上海伯東磁控共濺鍍設(shè)備 Co-Sputter

價(jià)格貨期電議
磁控共濺鍍是指同時(shí)有兩個(gè)或多個(gè)磁控濺鍍槍, 濺鍍于被鍍物上. 磁控共濺鍍主要用于復(fù)合金屬或復(fù)合材料, 通過分別優(yōu)化每一支磁控濺鍍槍 (靶材) 的功率來控制薄膜質(zhì)量, 其薄膜厚度取決于濺鍍時(shí)間.

上海伯東代理的磁控共濺鍍腔提供了精準(zhǔn)控制多個(gè)磁控濺鍍的制程條件, 加裝美國 KRi 離子源為客戶提供更好質(zhì)量的復(fù)合式薄膜.單片和多片式的loading chamber, 可節(jié)省其制程腔體的抽氣時(shí)間, 進(jìn)而節(jié)省整體實(shí)驗(yàn)時(shí)間. 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體, 納米科技, 太陽能電池等行業(yè)以及氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.

上海伯東磁控共濺鍍設(shè)備配置和優(yōu)點(diǎn)
客制化基板尺寸, 最大直徑可達(dá) 12寸晶圓
薄膜均勻度小于 ±3％
磁控濺鍍源 (最多8個(gè)源), 具有多種可選的靶材尺寸
具有順序操作或共沉積的多個(gè)濺鍍源
射頻, 直流或脈沖直流, 分別用于非導(dǎo)電與導(dǎo)電靶材
精準(zhǔn)流量控制器（最多4條氣體管線）
基板可加熱到 1000°C
基材到靶材之間距為可調(diào)節(jié)的
每個(gè)濺鍍源和基板均安裝遮板

濺鍍腔中, 在載臺(tái)部分可獨(dú)立施打偏壓, 對(duì)其基板進(jìn)行清潔與增加材料的附著性等功能. 安裝美國 KRi 離子源: 上海伯東代理美國 KRi 離子源可用于基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速率, 并且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.

磁控濺鍍設(shè)備基本參數(shù)

腔體
客制化的腔體尺寸取決于基板尺寸和其應(yīng)用
寬大的前開式門, 并有兩個(gè)窗口和窗口遮版, 用于觀察基材和濺鍍源
具有顯示功能的全量程真空計(jì)和用于壓力控制的 Baratron 真空計(jì)
腔體的極限真空度約 10-8 Torr

選件
可以與傳送腔, 機(jī)械手臂和手套箱整合在一起
結(jié)合離子源, 熱蒸發(fā)源, 電子束...等等
基板射頻或直流偏壓
膜厚監(jiān)測儀
射頻等離子清潔用于基材
OES, RGA 或制程監(jiān)控的額外備用端口

應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體類, 納米科技
產(chǎn)品質(zhì)量控制和質(zhì)量檢查
氧化物, 氮化物和金屬材料的研究
太陽能電池
光學(xué)研究, 材料研究

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