因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)
金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備 Metal Thermal
熱蒸發(fā)是物理氣相沉積 PVD 中最常用方法, 也是 PVD 最簡(jiǎn)單的形式之一. 使用電加熱的蒸發(fā)源可用于沉積大多數(shù)的有機(jī)和無(wú)機(jī)薄膜, 其中以電阻式加熱法最為常見的. 這些蒸發(fā)源的優(yōu)點(diǎn)為它們可以提供一種簡(jiǎn)單的薄膜沉積方法, 以電流通過(guò)其容納材料的舟為方式, 從而加熱材料, 當(dāng)沉積材料的蒸氣壓超過(guò)真空室的溫度時(shí), 材??料將開始蒸發(fā)并沉積到基板上.
上海伯東代理的熱蒸鍍?cè)O(shè)備可以精準(zhǔn)的控制蒸發(fā)速度, 且薄膜的厚度和均勻度小于+/- 3％, 使用美國(guó) KRi 離子源可用于基板清潔和加速材料的蒸發(fā)速度, 并且離子源在材料沉積過(guò)程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.
上海伯東金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備配置和優(yōu)點(diǎn):
客制化的基板尺寸, 最大直徑為 12寸晶圓或 470 x 370 mm2 (玻璃)
寬大的前開式門, 并有兩個(gè)窗口和窗口遮版用于觀察基材和蒸發(fā)源
優(yōu)異的薄膜均勻度小于±3％
具有順序操作或共沉積的多個(gè)蒸發(fā)源
基板可加熱到 800°C
利用載臺(tái)旋轉(zhuǎn)來(lái)改善薄膜沉積之質(zhì)量
基板至蒸發(fā)源之間距為可調(diào)式的
每個(gè)蒸發(fā)源和基材均有安裝遮板
金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備基本參數(shù):
| 系統(tǒng)類型 | 超高真空 | 高真空 | 高真空緊湊型 |
| 腔室設(shè)計(jì) | 鎳墊圈密封 | O型圈密封 | O型圈密封 |
| 極限真空 | 5X10-9 Torr | 3X10-7 Torr | 5X10-7 Torr |
| 腔室密封 | 一些密封圈 | 全部密封圈 | 全部密封圈 |
| Load-lock | 標(biāo)準(zhǔn) | 標(biāo)準(zhǔn) | 可選 |
| 蒸發(fā)源 | 舟型或坩堝 7-25 cc | 舟型或坩堝 7-25 cc | 舟型或坩堝 7-25 cc |
| 基板 | 4-8 英寸 加熱 / 水冷 | 4-8 英寸 加熱 / 水冷 | 2-4 英寸 加熱 / 水冷 |
| 真空泵 | 低溫泵 / 分子泵 冷阱設(shè)計(jì) | 低溫泵 / 分子泵 冷阱設(shè)計(jì) | 分子泵和油泵 |
| 監(jiān)控 | 真空規(guī) 和 QCM | 真空規(guī) 和 QCM | 真空規(guī) 和 QCM |
| 工藝控制 | 速率控制 | 速率控制 | 速率控制 |
| 供氣 | 氮?dú)?/td> | 氮?dú)?/td> | 氮?dú)?/td> |
| 手套箱連接 | 可選 | 可選 | 可選 |
腔體
客制化的腔體尺寸取決于基板尺寸和其應(yīng)用
寬大的前開式門, 并有兩個(gè)窗口和窗口遮版用于觀察基材和蒸發(fā)源
腔體的極限真空度約為 10-8 Torr
選件
可以與傳送腔, 機(jī)械手臂和手套箱整合在一起
結(jié)合 KRi 離子源, 濺鍍槍, 電子束, 等離子清潔...
基板冷卻
殘留氣體分析儀
應(yīng)用領(lǐng)域
金屬材料研究
納米薄膜
太陽(yáng)能電池
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