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深圳市浮思特科技有限公司
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MC96FT162D(T) ABOV(韓國現(xiàn)代)單片機 封裝SOP-24 規(guī)格書 現(xiàn)貨
mcu
單片機
韓國現(xiàn)代
型號:
MC96FT162D(T)
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--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
工作電壓
3.3V
工作溫度
≥0℃,≤85℃
封裝
SOP-24
應(yīng)用場景
家電
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
UM_MC96FTxx2_Eng(2).pdf
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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產(chǎn)品
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MC96FT162D(T) ABOV(韓國現(xiàn)代)單片機 封裝SOP-24 規(guī)格書 現(xiàn)貨
2023-09-08 16:44
產(chǎn)品型號:MC96FT162D(T)
工作電壓:3.3V
工作溫度:≥0℃,≤85℃
封裝:SOP-24
應(yīng)用場景:家電
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FT6436U-B 敦泰FOCALTECH 封裝 QFN32 觸控IC 規(guī)格書 現(xiàn)貨庫存
2023-09-08 16:29
產(chǎn)品型號:FT6436U-B
工作溫度:≥-40℃,≤85℃
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PD020065EP-G 碳化硅二極管SiC Diode SK TO-220-2L 650V 8A 車載
2023-09-08 15:08
產(chǎn)品型號:PM130N120LH-G
品牌:SK PowerTech
封裝:TO-247
應(yīng)用:開關(guān)電源/太陽能逆變器/DC-DC轉(zhuǎn)換器/電池充電器/電機驅(qū)
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MBB500TX7B HITACHI/日立 B-3 IPM模塊 變頻空調(diào) 電動汽車驅(qū)動器
2023-09-08 14:19
產(chǎn)品型號:MBB500TX7B
品牌:HITACHI
封裝:B-3
應(yīng)用:變頻空調(diào),辦公電器,醫(yī)療儀器,通訊電源,逆變焊機,電動汽車驅(qū)
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ATGH40N120F2DR TRINNO/特瑞諾 IGBT 封裝 TO-247-3L 功率器件
2023-09-08 10:21
產(chǎn)品型號:ATGH40N120F2DR
品牌:特瑞諾
封裝:TO-247-3L
應(yīng)用:PTC加熱器、馬達驅(qū)動逆變器、壓縮機、汽車
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N通道和P通道場效應(yīng)晶體管(FET)之間的區(qū)別是什么?
2024-10-25 11:58
晶體管是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。它們可以執(zhí)行兩種主要功能。首先,作為其真空管前身三極管,晶體管可以放大電信號。其次,晶體管可以作為計算機的信息處理和存儲的開關(guān)設(shè)備。場效應(yīng)晶體管是控制電流通過電場的半導(dǎo)體器件。晶體管不僅可以放大電信號,還可以作為開關(guān)設(shè)備。計算機利用晶體管的開關(guān)能力進行算術(shù)和邏輯運算以及信息存儲。它們使用二進制代碼——以基數(shù)2書寫的
FET
p通道
場效應(yīng)管
晶體管
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Wolfspeed暫停德國SiC晶圓廠建設(shè),德國半導(dǎo)體招商引資再遭重創(chuàng)
2024-10-25 11:53
近期,美國半導(dǎo)體公司W(wǎng)olfspeed宣布暫停在德國恩斯多夫(Ensdorf)建設(shè)碳化硅(SiC)晶圓廠的計劃,此舉引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。Wolfspeed的決定恰逢英特爾也因營運危機而擱置馬格德堡建廠案,進一步凸顯了當前德國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的投資挑戰(zhàn)。Wolfspeed原計劃在德國投資30億歐元,旨在增強其在碳化硅材料領(lǐng)域的生產(chǎn)能力,以滿足電動車和新能源行業(yè)
SiC
Wolfspeed
半導(dǎo)體
場效應(yīng)管
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2024年全球硅晶圓市場回暖:SEMI預(yù)測出貨量將穩(wěn)步增長
2024-10-24 11:13
近日,半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(SEMI)發(fā)布了其最新的年度硅晶圓出貨量預(yù)測報告,展現(xiàn)出全球硅晶圓市場的積極信號。報告指出,經(jīng)歷了去年的14.3%跌幅后,今年全球硅晶圓出貨量的下跌幅度將顯著收窄,僅下降2.4%。這一趨勢不僅反映出市場的恢復(fù)力,還顯示出在人工智能(AI)和先進制程等領(lǐng)域的強勁需求。硅晶圓作為大多數(shù)半導(dǎo)體產(chǎn)品的基礎(chǔ)構(gòu)建材料,扮演著至關(guān)重要的角色。半導(dǎo)體本
SEMI
半導(dǎo)體
硅晶圓
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BiGaN開關(guān)在廣泛電源管理中的應(yīng)用
2024-10-24 11:11
保護USB端口、為來自不同源的設(shè)備切換電路、以及高側(cè)負載開關(guān)免受浪涌影響,都依賴于雙向電壓阻斷和電流導(dǎo)通。到目前為止,設(shè)計人員只能使用兩個N型MOSFET以背靠背的方式連接在共同源極配置中來實現(xiàn)這一目的。這種方法涉及兩個組件,并因?qū)娮?RDS(on))、安全工作區(qū)(SOA)及其他特性而受到限制(見圖1)。雙向氮化鎵(BiGaN)開關(guān)是一種創(chuàng)新的解決方案,
GaN
MOSFET
電源管理
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中國新能源汽車與光伏市場推動SiC襯底價格劇烈波動
2024-10-23 11:37
2024年,中國新能源汽車和光伏市場的快速發(fā)展引發(fā)了SiC(碳化硅)襯底價格的顯著下跌。今年,SiC襯底的價格已下降近30%,并預(yù)計到2024年中期將降至500美元以下。這一變化不僅影響了相關(guān)制造商的財務(wù)狀況,也反映出行業(yè)內(nèi)潛在的供需矛盾。SiC襯底作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要材料,其成本占整個生產(chǎn)鏈的70%,其中襯底本身幾乎占據(jù)了50%的成本比重。這意味著SiC襯
SiC
光伏
新能源汽車
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如何通過高壓SiC電池斷開開關(guān)提升電氣系統(tǒng)的可靠性與效率
2024-10-23 11:35
電氣系統(tǒng)的直流母線電壓在400伏特或更高,由單相或三相電網(wǎng)電源或能量存儲系統(tǒng)(ESS)供電,可以通過固態(tài)電路保護提高其可靠性和韌性。在設(shè)計高壓固態(tài)電池斷開開關(guān)時,需要考慮多個基本設(shè)計決策。關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)、器件類型、熱包裝、器件的穩(wěn)健性,以及在電路中斷時管理感應(yīng)能量。本文將討論在選擇高壓高電流電池斷開開關(guān)的功率半導(dǎo)體技術(shù)和定義半導(dǎo)體封裝時的設(shè)計考慮,以
SiC
電氣系統(tǒng)
電池
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光伏模塊技術(shù):選擇合適的太陽能電池板
2024-10-22 11:38
太陽能是最豐富的能源來源。太陽輻射如果得到合理利用,可以作為水加熱器或照明系統(tǒng)使用。1983年,貝爾實驗室成功地利用光伏模塊將太陽輻射轉(zhuǎn)化為電能。從那時起,許多公司和研究人員開始開發(fā)這項技術(shù),以更有效地利用太陽能。選擇太陽能電池板:硅的優(yōu)缺點光伏電池包含摻雜硅,這是一種吸光半導(dǎo)體。因此,電池類型是選擇太陽能電池板時的主要考慮因素。目前主要有三種類型的硅電池:
光伏模塊
太陽能
電池板
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英飛凌攜手聯(lián)發(fā)科技打造先進汽車座艙解決方案
2024-10-21 12:01
近日,英飛凌科技公司(InfineonTechnologies)宣布與聯(lián)發(fā)科技(MediaTek)及其他合作伙伴共同研發(fā)了一款基于英飛凌TRAVEOCYT4DN微控制器和聯(lián)發(fā)科技DimensityAutoSoC的創(chuàng)新解決方案。這一合作旨在提升現(xiàn)代汽車的安全性和智能化水平,為汽車制造商提供更為高效和可靠的技術(shù)支持。在此次方案中,英飛凌的CYT4DN微控制器作為
座艙
聯(lián)發(fā)科技
英飛凌
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如何通過霍爾效應(yīng)測量半導(dǎo)體中電子和空穴的遷移率?
2024-10-21 12:00
在半導(dǎo)體中,除了能帶寬度外,一個重要的物理量是電荷載流子(電子和空穴)的遷移率。在本教程中,我們將研究霍爾效應(yīng),這使我們能夠?qū)嶒炐缘卮_定半導(dǎo)體中的這一物理量。電荷載流子遷移率在本篇文章中,我們將采用在早期期刊中探討的德魯?shù)?洛倫茲框架。我們回顧一下,這一模型完全基于經(jīng)典力學。唯一的“外部”成分是電子的有效質(zhì)量m?;這是一種數(shù)學手段,使我們能夠?qū)㈦娮右暈椴皇芰?
半導(dǎo)體
測量
霍爾效應(yīng)
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宇宙輻射如何影響半導(dǎo)體功率器件的故障率?
2024-10-18 10:50
能量粒子以多種方式影響半導(dǎo)體芯片,例如存儲器、處理器以及模擬和電源設(shè)備。器件的故障率取決于其所暴露的輻射量,這不僅是空間應(yīng)用中至關(guān)重要的因素,在地面電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計中也同樣重要。本文討論了宇宙輻射對宇宙設(shè)備故障率的主要影響因素。半導(dǎo)體器件的故障率“浴缸曲線”通常用于圖示半導(dǎo)體器件的使用壽命。這一曲線呈現(xiàn)了故障率與時間的關(guān)系,其中包括一個初始的高故障率階段,稱為
功率器件
半導(dǎo)體
輻射
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