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電子發(fā)燒友網(wǎng)>可編程邏輯>單粒子翻轉(zhuǎn)引起SRAM型FPGA的故障機(jī)理闡述

單粒子翻轉(zhuǎn)引起SRAM型FPGA的故障機(jī)理闡述

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2010-07-17 17:59:2827

電池的損傷機(jī)理故障預(yù)警

電池的損傷機(jī)理故障預(yù)警 0    引言     電池組突發(fā)失效是后備供電系統(tǒng)中的一大安全隱患,如何預(yù)防電池組突發(fā)失效是電池維護(hù)技術(shù)中具
2009-07-04 12:27:59438

基于FPGASRAM的數(shù)控振蕩器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

基于FPGASRAM的數(shù)控振蕩器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) 1 引言  數(shù)控振蕩器是數(shù)字通信中調(diào)制解調(diào)單元必不可少的部分,同時(shí)也是各種數(shù)字頻率合成器和數(shù)字信號(hào)發(fā)生器的核心。
2010-01-07 10:35:53786

SRAM,SRAM原理是什么?

SRAM,SRAM原理是什么? 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM。 SRAM主要用于二級(jí)高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快
2010-03-24 16:11:328479

基于FPGASRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的設(shè)計(jì)

 1 前言  針對(duì)FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點(diǎn),提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來(lái)改進(jìn)設(shè)計(jì)的方法,并給出了部分VHDL程序。   2 硬件設(shè)計(jì)   這里將主
2010-09-16 10:10:351233

基于多DSP+FPGA的衛(wèi)星遙感圖像壓縮系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  目前的衛(wèi)星遙感圖像壓縮系統(tǒng)硬件方案大多基于高性能可編程邏輯器件FPGA[2-4]。但這種方案整系統(tǒng)成本居高不下,且FPGA存在單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)。因此,筆者提出一種多DSP+FPGA
2010-11-27 10:35:051386

基于FPGA的嵌入式塊SRAM的設(shè)計(jì)

嵌入式SRAM 是最常用的一種,其典型的應(yīng)用包括片上緩沖器、高速緩沖存儲(chǔ)器、寄存器堆等。除非用到某些特殊的結(jié)構(gòu),標(biāo)準(zhǔn)的六管單元(6T)SRAM 對(duì)于邏輯工藝有著很好的兼容性。
2011-03-04 09:58:162012

一種基于SRAMFPGA的加密方法

FPGA在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,由于其卓越性能、靈活方便而被廣泛使用,但基于SRAMFPGA需要從外部進(jìn)行配置,配置數(shù)據(jù)很容易被截獲,故存遮安全隱患??偨Y(jié)了當(dāng)前FPGA的加密方法;提出了一種基于外部單片機(jī)的FPGA加密方法,該方法中使用外部單片機(jī)配合FPGA產(chǎn)生
2011-03-16 14:22:2448

QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設(shè)計(jì)

以CY7C1302為例來(lái)詳細(xì)介紹QDR的工作原理及其與Spartan3系列FPGA的接口設(shè)計(jì)。CY7C1302是賽普拉斯公司生產(chǎn)的一種QDR SRAM。
2011-06-01 09:57:184687

Cortex M3的SRAM單元故障軟件的自檢測(cè)研究

目前,對(duì)于存儲(chǔ)單元SRAM的研究都是基于硬件電路來(lái)完成,而且這些方法都是運(yùn)用在生產(chǎn)過(guò)程中,但是生產(chǎn)過(guò)程并不能完全杜絕SRAM的硬件故障
2011-07-29 11:12:231434

基于FPGA的TMR方法改進(jìn)策略

基于SRAMFPGA對(duì)于空間粒子輻射非常敏感,很容易產(chǎn)生軟故障,所以對(duì)基于FPGA的電子系統(tǒng)采取容錯(cuò)措施以防止此類(lèi)故障的出現(xiàn)是非常重要的。三模冗余(TMR)方法以其實(shí)現(xiàn)的簡(jiǎn)單性和效果
2011-09-05 11:08:542500

基于FPGA與外部SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

針對(duì)FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點(diǎn),提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來(lái)改進(jìn)設(shè)計(jì)的方法,并給出了部分VHDL程序。
2012-01-10 11:51:304422

一種FPGA粒子軟錯(cuò)誤檢測(cè)電路設(shè)計(jì)

分析了FPGA器件發(fā)生單粒子效應(yīng)的空間分布特性,設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種面向FPGA粒子軟錯(cuò)誤的檢測(cè)電路。將該電路放置在FPGA待檢測(cè)電路的附近,利用單粒子效應(yīng)的空間特性,則可以根據(jù)檢測(cè)模塊的狀態(tài)變化
2015-12-31 09:25:138

反熔絲型FPGA粒子效應(yīng)及加固技術(shù)研究

反熔絲型FPGA粒子效應(yīng)及加固技術(shù)研究.
2016-01-04 17:03:5511

粒子翻轉(zhuǎn)加固鎖存器分析與輻照試驗(yàn)驗(yàn)證

粒子翻轉(zhuǎn)加固鎖存器分析與輻照試驗(yàn)驗(yàn)證_李天文
2017-01-07 22:14:031

基于FPGA的嵌入式塊SRAM的設(shè)計(jì)

基于FPGA的嵌入式塊SRAM的設(shè)計(jì)
2017-01-19 21:22:5415

基于EDAC模塊嵌入到ARINC 659用來(lái)提高總線控制器的容錯(cuò)處理能力

航天應(yīng)用中,單粒子翻轉(zhuǎn)引發(fā)SRAMFPGA的錯(cuò)誤最多,而EDAC設(shè)計(jì)在糾錯(cuò)模塊中有著廣泛的應(yīng)用。將依據(jù)擴(kuò)展海明碼設(shè)計(jì)的[40,32]EDAC模塊嵌入到ARINC 659的雙口數(shù)據(jù)DPRAM和指令
2017-11-17 04:04:012101

基于FPGA的三模冗余容錯(cuò)技術(shù)的研究

基于SRAMFPGA對(duì)于空間粒子輻射非常敏感,很容易產(chǎn)生軟故障,所以對(duì)基于FPGA的電子系統(tǒng)采取容錯(cuò)措施以防止此類(lèi)故障的出現(xiàn)非常重要。通過(guò)對(duì)敏感電路使用三模冗余( TMR)方法并利用FPGA 的動(dòng)態(tài)可重構(gòu)特性,可以有效的增強(qiáng)FPGA 的抗單粒子性能,解決FPGA對(duì)因空間粒子輻射而形成的軟故障。
2017-11-18 11:40:0210826

ARM Cortex-M3的SRAM單元故障軟件的自檢測(cè)研究

引言 目前,對(duì)于存儲(chǔ)單元SRAM的研究都是基于硬件電路來(lái)完成,而且這些方法都是運(yùn)用在生產(chǎn)過(guò)程中,但是生產(chǎn)過(guò)程并不能完全杜絕SRAM的硬件故障。在其使用過(guò)程中,如果SRAM硬件出錯(cuò),將導(dǎo)致程序出錯(cuò)而且
2017-12-01 06:10:07368

MMC-HVDC直流雙極短路故障機(jī)理分析

converter)-HVDC系統(tǒng)建立了一套完整的直流雙極短路故障機(jī)理分析的解析模型,分別對(duì)換流器閉鎖前,換流器閉鎖后和交流斷路器斷開(kāi)后3個(gè)階段的故障機(jī)理進(jìn)行了詳細(xì)分析,并給出了
2017-12-22 10:21:0518

ARINC659總線的單粒子翻轉(zhuǎn)識(shí)別

,對(duì)ARINC659總線標(biāo)準(zhǔn)背板總線組件在空間環(huán)境應(yīng)用下的單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)敏感環(huán)節(jié)進(jìn)行識(shí)別,并提出了有針對(duì)性的抗單粒子翻轉(zhuǎn)加固設(shè)計(jì)措施,最后通過(guò)地面模擬試驗(yàn)對(duì)抗單粒子翻轉(zhuǎn)加固措施的正確性和有效性進(jìn)行了驗(yàn)證。試驗(yàn)表明進(jìn)行單粒子翻轉(zhuǎn)加固設(shè)計(jì)后的ARI
2018-01-29 17:22:110

Microsemi PolarFire FPGA相比基于SRAMFPGA 耗電量最高可降低50%

的邏輯元件,相比基于SRAMFPGA來(lái)說(shuō),耗電量最高可降低50%。該器件提供出眾的安全性、單粒子翻轉(zhuǎn) (SEU) 免疫結(jié)構(gòu)和串行器/解串器 (SerDes) 性能,適用于通信、國(guó)防、航空、工業(yè)自動(dòng)化和物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 等市場(chǎng)的各種應(yīng)用。
2019-01-19 10:34:111803

FPGA的存儲(chǔ)解決方案——外掛SRAM

外部SRAM是指連接在FPGA外部的靜態(tài)RAM(SRAM)。外部SRAM存儲(chǔ)器也有很多種類(lèi)。對(duì)于外部SRAM的選擇是由應(yīng)用需求的性質(zhì)決定的。使用外部SRAM存儲(chǔ)器兼具優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn) 外部SRAM
2019-11-18 23:20:225234

一種基于SRAMFPGA的實(shí)時(shí)容錯(cuò)自修復(fù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)概述

中,如α粒子、宇宙射線、外太空強(qiáng)輻射等等惡劣環(huán)境,加之一些電子系統(tǒng)工作在地面的高電磁輻射環(huán)境中,這些輻射環(huán)境中充滿了各種高能粒子,高能粒子撞擊工作中的電子器件會(huì)引發(fā)輻射效應(yīng),如單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)等,并導(dǎo)致器件發(fā)生故障,由輻射效應(yīng)引起的軟錯(cuò)誤是導(dǎo)致空間環(huán)境中電子系統(tǒng)失效的重要原因之一[1]。
2019-11-19 15:17:24989

在芯片設(shè)計(jì)階段如何防護(hù)“單粒子翻轉(zhuǎn)

粒子翻轉(zhuǎn)(Single-Event Upsets,SEU)指的是元器件受輻照影響引起電位狀態(tài)的跳變,“0”變成“1”,或者“1”變成“0”,但一般不會(huì)造成器件的物理性損傷。正因?yàn)椤皢?b class="flag-6" style="color: red">粒子翻轉(zhuǎn)”頻繁出現(xiàn),因此在芯片設(shè)計(jì)階段需要重點(diǎn)關(guān)注。這也是這篇文章的重點(diǎn)。
2020-11-29 11:07:104795

有效容忍單粒子多點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的加固鎖存器

隨著集成電路工藝不斷改進(jìn),電荷共享效應(yīng)誘發(fā)的單粒子多點(diǎn)翻轉(zhuǎn)已經(jīng)成為影響芯片可靠性的重要因素為此提出一種有效容忍單粒子多點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的加固鎖存器:低功耗多點(diǎn)翻轉(zhuǎn)加固鎖存器( low power
2021-06-03 14:42:3614

基于改進(jìn)二進(jìn)制粒子群算法的配電網(wǎng)故障檢測(cè)

基于改進(jìn)二進(jìn)制粒子群算法的配電網(wǎng)故障檢測(cè)
2021-06-22 11:55:4224

剖析RS232、RS485時(shí)序?qū)ζ?b class="flag-6" style="color: red">機(jī)理和故障排查有啟發(fā)和理解

剖析RS232、RS485時(shí)序?qū)ζ?b class="flag-6" style="color: red">機(jī)理和故障排查有啟發(fā)和理解
2022-01-24 09:37:575

航空電子設(shè)計(jì)之“單粒子翻轉(zhuǎn)”問(wèn)題

粒子效應(yīng)是一種瞬態(tài)效應(yīng),指某個(gè)特定的高能粒子穿過(guò)電路敏感區(qū)域所引起的電路故障,這個(gè)故障可能是可恢復(fù)的或是永久性的。
2022-07-13 11:23:053567

粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的FPGA模擬技術(shù) (上)

隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展,器件特征尺寸逐漸減少,激發(fā)單粒子翻轉(zhuǎn)(Single Event Upset, SEU)效應(yīng)所需的能量閾值呈幾何級(jí)下降趨勢(shì)。例如,65 nm工藝下器件發(fā)生電平翻轉(zhuǎn)需6500個(gè)電荷,16 nm工藝下器件電平翻轉(zhuǎn)僅需1000個(gè)電荷 。
2023-02-09 10:12:211126

粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的FPGA模擬技術(shù) (下)

**旁路電路注入故障** 旁路電路技術(shù)的實(shí)現(xiàn)原理和掃描鏈技術(shù)類(lèi)似,在原有的電路結(jié)構(gòu)上添加附加電路來(lái)使電路能夠模擬單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng) ^[25-26]^ 。以寄存器為例,在正常狀態(tài)下寄存器保持其原本的功能,在故障注入模式下通過(guò)外部控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)附加電路從旁路修改寄存器的數(shù)值。
2023-02-09 10:13:25764

SRAMFPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響

SRAMFPGA屬于核心元器件,因此對(duì)SRAMFPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAMFPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響。
2023-08-11 10:30:451264

SRAMFPGA的抗輻照加固設(shè)計(jì)

讓一顆SRAMFPGA在太空長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的難度,就類(lèi)似練成獨(dú)孤九劍的難度。
2023-08-15 10:36:081905

instance是何時(shí)翻轉(zhuǎn)的?每次有多少instance在翻轉(zhuǎn)?

在run dynamic vectorless IR時(shí),instance是何時(shí)翻轉(zhuǎn)的?每次有多少instance在翻轉(zhuǎn)
2024-01-26 09:31:44172

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