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電子發(fā)燒友網(wǎng)>可編程邏輯>Synopsys推出可用于180nm CMOS工藝技術(shù)的可重編程非易失性存儲(chǔ)器IP

Synopsys推出可用于180nm CMOS工藝技術(shù)的可重編程非易失性存儲(chǔ)器IP

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2023-02-07 14:23:17

0.16微米CMOS工藝技術(shù)

和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術(shù)在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上,將半導(dǎo)體器件及相關(guān)繞線尺寸進(jìn)行10%微縮(實(shí)際尺寸為0.162 微米),大大降低了芯
2009-12-14 11:23:3625

面向納電子時(shí)代的非易失性存儲(chǔ)器

面向納電子時(shí)代的非易失性存儲(chǔ)器  摘要   目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是,閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28636

新思科技與中芯國際合作推出用于中芯65納米低漏電工藝技術(shù)的、

新思科技與中芯國際合作推出用于中芯65納米低漏電工藝技術(shù)的、獲得USB標(biāo)志認(rèn)證的DesignWareUSB 2.0 nanoPHY 通過芯片驗(yàn)證的DesignWare PHY IP
2010-05-20 17:39:09589

LDO線性調(diào)節(jié)器電路在StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器中的

德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130
2010-07-13 10:03:26521

非易失性存儲(chǔ)器FeRAM、MRAM和OUM

  本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲(chǔ)器做了一個(gè)簡單的介紹。   鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)   鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易
2010-08-31 10:50:591942

Synopsys推出DesignWare AEON非易失性存儲(chǔ)器IP

Synopsys, Inc.宣布:即日起推出面向多種180納米工藝技術(shù)的DesignWare? AEON?非易失性存儲(chǔ)器(NVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。
2011-06-29 09:04:28983

Ramtron推出最低功耗非易失性存儲(chǔ)器FM25P16

Ramtron宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲(chǔ)器。該16 kb器件的型號(hào)為FM25P16,是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器,為對功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)開創(chuàng)了全新的機(jī)遇.
2012-02-07 09:00:551190

Synopsys推出可用于TSMC 28納米工藝的DesignWare嵌入式存儲(chǔ)器和邏輯庫

新思科技有限公司(Synopsys, Inc., 納斯達(dá)克股票市場代碼:SNPS)日前宣布:即日起推出用于臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(TSMC)28納米高性能(HP)和移動(dòng)高性能(HPM)工藝技術(shù)
2012-02-22 14:04:27754

上海集成電路研發(fā)中心與Synopsys共同建立先進(jìn)工藝技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

新思科技公司(Synopsys)與上海集成電路研發(fā)中心有限公司(ICRD)今日宣布: Synopsys與上海集成電路研發(fā)中心共同建立的“ICRD - Synopsys先進(jìn)工藝技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”今日盛大成立,該實(shí)驗(yàn)室將致
2012-11-15 09:30:421030

先進(jìn)的模擬180nm CMOS設(shè)計(jì)套件支持一次設(shè)計(jì)成功

艾邁斯半導(dǎo)體晶圓代工事業(yè)部總經(jīng)理Markus Wuchse表示:“在我們的奧地利工廠中啟用aC18技術(shù)對我們來說是一項(xiàng)里程碑。基于我們在350nm制程中的成功實(shí)踐,新款hitkit設(shè)計(jì)套件使艾邁斯半導(dǎo)體可以為晶圓代工客戶快速提供基于180nm制程的復(fù)雜的模擬半導(dǎo)體產(chǎn)品原型以及高質(zhì)量的量產(chǎn)產(chǎn)品?!?/div>
2016-07-21 08:51:552227

艾邁斯半導(dǎo)體公布面向模擬代工客戶的2017年多項(xiàng)目晶圓制造服務(wù)計(jì)劃

艾邁斯半導(dǎo)體世界領(lǐng)先的MPW服務(wù)提供180nm和0.35μm兩個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)的制程,包括最近推出180nmCMOS (“aC18”)工藝MPW服務(wù)。
2016-10-24 15:56:241055

非易失性存儲(chǔ)器有哪些_如何選擇汽車系統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器

汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來越復(fù)雜,因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ?,如高?jí)駕駛輔助,圖形儀表,車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作,每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器,以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲(chǔ)信息。
2018-04-29 11:02:007701

賽普拉斯推出全新ExcelonF-RAM的非易失性存儲(chǔ)器

用于汽車事件數(shù)據(jù)記錄儀和Industry 4.0等應(yīng)用的關(guān)鍵數(shù)據(jù)記錄 先進(jìn)嵌入式解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼:CY)近日宣布推出新型串行非易失性存儲(chǔ)器系列,為關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)采集
2018-03-17 09:40:004456

TB3163 - 8位PIC?單片機(jī)上的存儲(chǔ)器訪問分區(qū)

閃存程序存儲(chǔ)器是可存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼的非易失性存儲(chǔ)器。除指令外,它還可用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-03-21 14:35:090

Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC工藝認(rèn)證_7-nm FinFET Plus工藝技術(shù)

Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)用于高性能、高密度芯片設(shè)計(jì) 重點(diǎn): Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC工藝認(rèn)證,支持高性能7-nm FinFET Plus工藝技術(shù),已成功用于客戶的多個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目。 針對
2018-05-17 06:59:004461

Synopsys 設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC最新版且最先進(jìn)的5nm工藝

Synopsys Synopsys近日宣布, Synopsys 設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC最新版且最先進(jìn)的5nm工藝技術(shù)認(rèn)證,可用于客戶先期設(shè)計(jì)。通過與TSMC的早期密切協(xié)作,IC CompilerII
2018-06-01 09:35:003784

新思科技推出基于TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級(jí)IP

基于7nm工藝技術(shù)的控制器和PHY IP具有豐富的產(chǎn)品組合,包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全IP。 IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術(shù)所需的先進(jìn)汽車設(shè)計(jì)規(guī)則,滿足可靠性和15年汽車運(yùn)行要求。
2018-10-18 14:57:216541

Synopsys推出支持TSMC 7nm工藝技術(shù)

新思科技(Synopsys推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級(jí)DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:231518

非易失性存儲(chǔ)器的分類和未來發(fā)展預(yù)測

非易失性存儲(chǔ)器是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中,依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類產(chǎn)品,即ROM和Flash memory。
2018-12-23 13:31:0010224

CMOS工藝制程技術(shù)的詳細(xì)資料說明

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝制程技術(shù)的詳細(xì)資料說明。主要包括了:1.典型工藝技術(shù):①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù),BCD工藝技術(shù),HV-CMOSI藝技術(shù)。
2019-01-08 08:00:0075

關(guān)于非易失性存儲(chǔ)器和易失性存儲(chǔ)器的區(qū)別詳解

非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-01-23 11:33:4117003

非易失性存儲(chǔ)器和易失性存儲(chǔ)器有什么全部詳細(xì)資料對比

非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-04-07 14:33:008357

XPM技術(shù)使用標(biāo)準(zhǔn)邏輯CMOS 90納米硅工藝 現(xiàn)在可用于ASIC和SoC

Kilopass Technology,Inc。宣布其XPM技術(shù)現(xiàn)在可用于ASIC和SoC,使用標(biāo)準(zhǔn)邏輯CMOS 90納米硅工藝,以及目前使用0.18,0.15和0.13微米工藝的產(chǎn)品。
2019-10-06 14:38:002341

三星突破次世代存儲(chǔ)器將大規(guī)模生產(chǎn)28nm工藝EMRAM

三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品,該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù),并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591051

格芯宣布已完成22FDX技術(shù)開發(fā) 將用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器

據(jù)外媒報(bào)道稱,GlobalFoundries(格芯)今天宣布已經(jīng)完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技術(shù)開發(fā),而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器(eMRAM)。
2020-02-28 11:24:282405

格芯22FDX技術(shù)用于批量生產(chǎn)eMRAM磁阻非易失性存儲(chǔ)器芯片

據(jù)外媒報(bào)道稱,美國半導(dǎo)體晶圓代工廠商GlobalFoundries(格芯)宣布已經(jīng)完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技術(shù)開發(fā),而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器(eMRAM)。
2020-03-03 15:57:27490

格芯22nm工藝量產(chǎn)eMRAM,新型存儲(chǔ)機(jī)會(huì)來臨

近日,格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工藝平臺(tái),新型存儲(chǔ)器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存儲(chǔ)器)已投入生產(chǎn)。
2020-03-11 10:54:37713

新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)誰將更勝一籌

新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類型:閃存(Flash),鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM),磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM),相變存儲(chǔ)器(PCM)和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840

存儲(chǔ)器和新興非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn)

良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵,包括測試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級(jí)別進(jìn)行質(zhì)量控制測試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造和測試,這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng),人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:16847

汽車導(dǎo)航系統(tǒng)應(yīng)用于富士通FRAM鐵電存儲(chǔ)器MB85R2001

MB85R2001是一種富士通FRAM芯片,由262,144字8位非易失性存儲(chǔ)單元組成,這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)創(chuàng)建。能夠保留數(shù)據(jù),而無需使用SRAM所需的備用
2020-06-28 16:04:16777

淺談幾種給定的非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)

SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲(chǔ)提供了一個(gè)快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源(如電池)供電時(shí),他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。 表1非易失性存儲(chǔ)器比較
2020-10-23 14:36:121516

CMOS工藝技術(shù)的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝技術(shù)的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載。
2020-12-09 08:00:000

非易失性存儲(chǔ)器-Nor Flash的特點(diǎn)都有哪些

Flash(快閃或閃存)由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程非易失性存儲(chǔ)器,其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:013046

Arasan宣布用于臺(tái)積公司22nm工藝技術(shù)的eMMC PHY IP立即可用

領(lǐng)先的移動(dòng)和汽車SoC半導(dǎo)體IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布,用于臺(tái)積公司22nm工藝技術(shù)的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亞州圣何塞2021年1月21
2021-01-21 10:18:232385

非易失性存儲(chǔ)器X24C44中文數(shù)據(jù)手冊

非易失性存儲(chǔ)器X24C44中文數(shù)據(jù)手冊分享。
2021-04-14 10:20:486

非易失性存儲(chǔ)器X24C45中文數(shù)據(jù)手冊

非易失性存儲(chǔ)器X24C45中文數(shù)據(jù)手冊分享。
2021-04-14 10:30:0915

AN-579:使用帶非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器

AN-579:使用帶非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器
2021-04-25 20:34:3712

非易失性存儲(chǔ)器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,低VDD復(fù)位,看門狗定時(shí)器,非易失性事件計(jì)數(shù)器,可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及可用于斷電(NMI)中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。
2021-05-17 16:43:53912

FM25V10-GTR是采用先進(jìn)鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲(chǔ)器

FM25V10-GTR是采用先進(jìn)鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性的,并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時(shí)消除了由串行閃存
2021-06-08 16:39:521134

非易失性存儲(chǔ)器S25FL512S手冊

非易失性存儲(chǔ)器S25FL512S手冊免費(fèi)下載。
2021-06-10 09:46:242

MCU片內(nèi)非易失性存儲(chǔ)器操作應(yīng)用筆記

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MCU片內(nèi)非易失性存儲(chǔ)器操作應(yīng)用筆記.zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-22 10:00:540

非易失性存儲(chǔ)器是如何發(fā)展起來的?

DRAM屬于易失性存儲(chǔ)器,也就是大家常說的內(nèi)存。今天,我們再來看看半導(dǎo)體存儲(chǔ)的另一個(gè)重要領(lǐng)域,也就是非易失性存儲(chǔ)器(也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD硬盤等)。
2022-10-13 09:24:131348

基于非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 16:04:350

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