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功率場效應(yīng)管

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  功率場效應(yīng)管一般指功率MOS場效應(yīng)晶體管,功率MOS場效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場效應(yīng)晶體管。

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功率場效應(yīng)管簡介

  功率MOS場效應(yīng)晶體管的種類:按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當(dāng)柵極電壓為零時漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道,增強(qiáng)型;對于N(P)溝道器件,柵極電壓大于(小于)零時才存在導(dǎo)電溝道,功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型。

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功率場效應(yīng)管知識

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功率場效應(yīng)管技術(shù)

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功率場效應(yīng)管資料下載

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