肖特基二極管的情況下提供高效率。 JWH5276具有輸出短路保護、熱保護、電流流失保護和輸入欠壓鎖定功能，可確保堅固耐用。 JWH5276有QFN3X3-16封裝，
2024-03-13 18:18:12
FS4001H系列DFN1x1-6小封裝單節(jié)鋰電充電芯片在穿戴產(chǎn)品小電池充電中的應用隨著科技的快速發(fā)展，穿戴式電子產(chǎn)品已成為我們?nèi)粘Ｉ畹闹匾M成部分。智能手表、健康追蹤器、無線耳機等穿戴產(chǎn)品，以其
2024-03-12 19:15:20
全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應用的開關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導體領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36255 （AOS，納斯達克代碼：AOSL）推出了全新的應用導向 EZBuck? 轉(zhuǎn)換器。 AOZ22559QI 和 AOZ22539QI 是應用恒定導通時間控制的降壓轉(zhuǎn)換器。采用了業(yè)界最緊湊的 QFN 4 x 4 封裝，旨在支持 Intel
2024-02-27 17:08:36403 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41976 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
**詳細參數(shù)說明：**- 型號：SIS412DN-T1-GE3-VB- 絲?。篤BQF1320- 品牌：VBsemi- 封裝：DFN8(3X3)- 類型：2個N-Channel溝道- 額定電壓
2024-02-20 10:19:23
**VBsemi SIR416DP-T1-GE3-VB 產(chǎn)品詳細參數(shù)說明：**- **絲印標識：** VBQA1402- **品牌：** VBsemi- **封裝：** DFN8(5X
2024-02-19 16:27:26
**VBsemi CSD17308Q3-VB 產(chǎn)品詳細參數(shù)說明：**- **絲印標識：** VBQF1310- **品牌：** VBsemi- **封裝：** DFN8(3X3)- **通道類型
2024-02-19 15:17:40
**產(chǎn)品型號：** SIR462DP-T1-GE3-VB**絲印：** VBQA1308**品牌：** VBsemi**參數(shù)：**- 封裝：DFN8(5X6)- 溝道類型：N-Channel- 額定
2024-02-19 14:42:26
**產(chǎn)品型號：** FDMC2514SDC-VB**絲?。?* VBQF1303**品牌：** VBsemi**參數(shù)：**- 封裝：DFN8(3X3)- 溝道類型：2個N-Channel- 額定電壓
2024-02-19 11:20:05
(ON)): 11mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓 (Vth): -2.23V- 封裝: DFN8(3X3)應用簡介:VBsemi的RU30L30M-VB
2024-02-03 10:33:22
DFN封裝是一種先進的電子元件封裝工藝，與SMD封裝相比，DFN封裝提供了更高的靈活性和穩(wěn)定性。
2024-01-28 17:24:551388 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了創(chuàng)新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創(chuàng)新型封裝為 AOS 產(chǎn)品賦予了卓越的散熱性能，使其在長期惡劣的運行條件下仍能保持穩(wěn)定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 了一款 100V MOSFET—— AONA66916 ，該器件采用AOS創(chuàng)新型雙面散熱DFN 5 x 6 封裝。客戶系統(tǒng)研發(fā)人員一直以來把 AOS 產(chǎn)品作為其方案設(shè)計的重要組件之一，幫助客戶實現(xiàn)各種高性能應用
2024-01-25 15:18:42617 
: 封裝是12-Lead Plastic DFN (3mm × 3mm）
LT3650 ： 封裝是10-Lead Plastic DFN (3mm × 3mm）
LT3091：14-Lead
2024-01-05 08:25:19
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 型號：SI7617DN-VB絲?。篤BQF2309品牌：VBsemi參數(shù)：- 封裝：DFN8(3X3)- 溝道類型：P—Channel溝道- 額定電壓：-30V- 最大電流：-45A- 開態(tài)電阻
2024-01-02 11:58:32
型號：SI7884BDP-T1-GE3-VB絲印：VBQA1405品牌：VBsemi封裝：DFN8(5X6)**詳細參數(shù)說明：**- **溝道類型（Channel Type）：** N
2024-01-02 11:03:36
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應用優(yōu)化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
型號: SI7850DP-T1-E3-VB絲印: VBQA1638品牌: VBsemi參數(shù):- 封裝類型: DFN8(5X6)- 溝道類型: N-Channel- 額定電壓: 60V- 最大電流
2023-12-29 11:10:55
12月27日，浙江芯微泰克半導體有限公司（以下簡稱“芯微泰克”）功率器件超薄芯片背道加工線項目正式通線投產(chǎn)。
2023-12-29 10:20:37305 , 5mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓（Vth）：1.79V- 封裝類型：DFN8(5X6)應用簡介：MDU1517RH-VB是一款N溝道功率MO
2023-12-20 15:52:36
Ω @ 10V, 16mΩ @ 4.5V- 門源極電壓 (Vgs)：最大±20V- 閾值電壓 (Vth)：2.3V封裝：DFN8 (3X3)詳細參數(shù)說明：CSD1757
2023-12-20 10:47:53
應用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規(guī)級器件是TO-Leadless (TOLL)?封裝。AOS TOLL 封裝旨在優(yōu)化功率半導體器件成為電動汽車發(fā)展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其
2023-12-15 11:26:49279 應用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規(guī)級器件是TO-Leadless (TOLL) 封裝。AOS TOLL 封裝旨在優(yōu)化功率半導體器件成為電動汽車發(fā)展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其
2023-12-14 16:55:24949 (ON)）：1.8mΩ @ 10V, 2.5mΩ @ 4.5V, 20Vgs- 閾值電壓（Vth）：2V- 封裝：DFN8(5X6)應用簡介：SIR802DP-T1-GE3-VB
2023-12-14 15:34:43
Ω @ 10V- 門源極電壓（Vgs）：20V（±V）- 閾值電壓（Vth）：3.6V- 封裝類型：DFN8（5X6）應用簡介：SI7478DP-T1-GE3-VB 是
2023-12-14 11:59:15
：UT3N06G-AE3-R適用于功率開關(guān)和電機驅(qū)動等應用的N溝道MOSFET。其中等功率特性使其在多種中低功率應用中表現(xiàn)良好。適用領(lǐng)域與模塊：適用于電源開關(guān)、電機驅(qū)
2023-12-13 11:27:23
：IFNNY）順應系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:37494 
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?
2023-12-06 18:22:24522 
FDMC8026S（VBQF1310）是一款電源應用型MOSFET產(chǎn)品，采用N溝道結(jié)構(gòu)，封裝為DFN8（3X3封裝）。其參數(shù)包括：工作電壓30V、最大電流40A、靜態(tài)導通電阻RDS(ON)為11m
2023-12-06 15:24:44
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
問題1：在功率MOSFET管應用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負載開關(guān)的功率MOSFET管導通時間計算，通常取多少比較好？相應的PCB設(shè)計，銅箔面積布設(shè)多大散熱會比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
UT2301G-AE3-R是VBsemi品牌推出的一款P溝道MOSFET產(chǎn)品，絲印型號為VB2290；采用SOT23-3封裝。該產(chǎn)品的特性包括額定電壓為-20V，額定電流為-4A，RDS(ON)參數(shù)
2023-11-30 16:14:04
SSM3J327R是VBsemi品牌推出的一款P溝道MOSFET產(chǎn)品，絲印型號為VB2290；采用SOT23-3封裝。該產(chǎn)品的特性包括額定電壓為-20V，額定電流為-4A，RDS(ON)參數(shù)為57m
2023-11-30 16:06:16
SI2333DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P溝道MOSFET產(chǎn)品，絲印型號為VB2290；采用SOT23-3封裝。該產(chǎn)品的特性包括額定電壓為-20V，額定電流為-4A，RDS
2023-11-30 16:02:35
SI2308BDS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET產(chǎn)品，采用SOT23-3封裝。其特性包括額定電壓為60V，額定電流為4A，RDS(ON)參數(shù)為85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下
2023-11-30 14:23:32
SI2305DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P溝道MOSFET產(chǎn)品，絲印型號為VB2290；采用SOT23-3封裝。該產(chǎn)品的特性包括額定電壓為-20V，額定電流為-4A，RDS
2023-11-30 14:21:31
為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:46862 日前，集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售一體的著名功率半導體及芯片解決方案供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS, 納斯達克代碼:AOSL)推出了用于電池
2023-11-13 18:11:28219 
Electro-Photonics的Q3XG-1088R耦合器是款3dB 90度SMT混合耦合器。使用中小型封裝形式，具備較低插損和高功率性能。專門針對挑選的電路板布置進行全面優(yōu)化
2023-11-13 14:08:14
的著名功率半導體器件及芯片供應商 Alpha and Omega Semiconductor Limited （簡稱AOS, 股票代碼：AOSL) 推出了具有超低反向工作電壓 (VRWM) 的低功耗
2023-11-13 10:19:51171 
的時間控制，提供快速的瞬態(tài)響應，抗噪聲性和各種非常低的ESR輸出電容器，以確保性能穩(wěn)定。
FR9206采用TSOT-23-6封裝，提供良好的導熱性。
特征
?低RDS（開）集成功率MOSFET（80m
2023-11-11 11:47:34
的新型Type-C PD 高壓電源輸入保護開關(guān)。AOZ13984DI-02 和 AOZ13987DI-02 是采用單個緊湊的耐熱增強型 3mm x 3mm DFN 封裝的智能保護開關(guān)。新產(chǎn)品采用 AOS
2023-11-10 09:05:10188 無過熱危險的情況下實現(xiàn)充電速率最大化的熱調(diào)節(jié)功能? ESOP8/DFN2x2-8/DFN2x3-8/DFN3x3-8封裝? 符合RoHS標準描述PC3221是一款適用于單節(jié)鋰電池的完整恒流/恒壓
2023-11-08 10:12:35
Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1Vth 封裝 SOT23應用簡介 SI2323DST1GE3 是一款 P 溝道 MOSFET，適用于負電
2023-11-06 09:17:31
1.9Vth (V) 封裝類型 DFN8 (5X6)應用簡介 SIR422DPT1GE3是一款N溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應用。具有較高的
2023-11-03 13:55:28
-7032 3dB SMD 耦合器將組合兩個信號，總輸出功率高達 100 瓦 CW。該耦合器采用表面貼裝 (SMD) 封裝，尺寸為 0 0.50 x 1.80
2023-11-03 13:23:42
Ω@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1Vth 封裝 SOT23應用簡介 SI2369DST1GE3是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控制和負
2023-11-02 10:57:13
Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.76Vth 封裝 TO252應用簡介 SQD50P0615LGE3是一款P溝道MOSFET，適用于負
2023-11-02 09:28:15
) 閾值電壓 1Vth (V) 封裝類型 SOT23應用簡介 SI2319DST1GE3是一款P溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應用。它具有負的額定電壓和
2023-11-01 11:30:21
為滿足緊湊機箱對電源更輕薄的要求，金升陽推出了超薄塑料導軌LI20-20BxxPU系列，輸出電壓涵蓋05/12/15/24V。該系列具備恒電流限制，國際通用全范圍交流輸入，4000VAC高隔離耐壓等優(yōu)點，可提供3年質(zhì)保，為客戶應用提供穩(wěn)定安全的電源供應。
2023-11-01 09:59:33338 Ω@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.6Vth 封裝 TO252應用簡介 SUD50P0408GE3是一款P溝道MOSFET，適用于高功率開關(guān)和
2023-10-28 15:35:51
型號 SI2324DS-T1-GE3絲印 VB1102M品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 - 類型 N溝道MOSFET- 最大耐壓 100V- 最大電流 2A- 導通電阻 246m
2023-10-27 17:18:42
Ω@4.5V- 柵極電壓（Vgs）范圍 ±20V- 閾值電壓（Vth） 1.2V- 封裝 DFN6 (2X2)該產(chǎn)品適用于以下領(lǐng)域模塊 - 電源開關(guān) SiA40
2023-10-27 15:55:27
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
ZXMN6A07ZTA (VBI1695)參數(shù)說明：N溝道，60V，5A，導通電阻76mΩ@10V，88mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓1~3V，封裝：SOT89-3。應用簡介
2023-10-27 10:30:17
功率MOSFET選型的幾點經(jīng)驗在此，根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實際
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計能滿足汽車應用的嚴苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 4.20V/8.4V(二合一） 4000件/包 概述 PC6688是一款3A鋰離子電池充電器。它利用 500KHz同步降壓轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)減少充電過程中的功耗。低功率耗散，內(nèi)部MOSFET允許可廣泛嵌入的小型
2023-10-24 10:20:35
X3-DFN0603-2 中，占位面積為 0.18mm2，封裝外形超薄，專為節(jié)省便攜式電子設(shè)備中的 PCB 空間而設(shè)計。產(chǎn)品規(guī)格 品牌
2023-10-19 12:50:02
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 超低功耗STM32L011x3/4系列包括7種不同封裝類型的設(shè)備從14到32個引腳。以下描述概述了該家族中提出的外圍設(shè)備。
這些功能使超低功耗STM32L011x3/4微控制器適用于
廣泛
2023-10-09 07:06:47
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DFN2020MD-6:帶有側(cè)邊可濕焊盤的無引腳封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-27 10:06:11
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081 如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?
2023-09-18 16:54:35590 
和功率水平。這些快速恢復硅基功率MOSFET的器件適用于工業(yè)和汽車應用，提供廣泛的封裝選項，包括長引線TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
2023-09-08 06:00:53
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計、節(jié)省了空間，并增強了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552 
供應AP2080Q 30A 20V耐壓mos DFN3*3封裝，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP2080Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 16:43:18
包括輸出短路保護(OSP) ，逐周期峰值電流限制，熱調(diào)節(jié)，熱停機，輸入 UVLO，輸出 OVP 等
雙輸出平均電流限制與穩(wěn)定的 CC 環(huán)
QFN5x5-32封裝
典型應用：
汽車啟停系統(tǒng)
工業(yè)PC電源
USB電源傳輸
線路圖示：
2023-08-16 11:33:09
產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計實現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
通過AEC-Q101認證且可承受的接面溫度高達175°C，強茂P溝道MOSFET是汽車設(shè)計工程師理想的選擇，可實現(xiàn)簡化電路而又不犧牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多種封裝。
2023-07-20 15:57:45526 MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對應于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對應于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37975 
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導體場效應晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
納芯微全新推出120V半橋驅(qū)動NSD1224系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品具備3A/-4A的峰值驅(qū)動電流能力，集成 高壓自舉二極管 ，提供使能、互鎖、欠壓保護不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN
2023-06-27 15:14:07
、2 A VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3和5 A VS-5EAH02xM3，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤DFN3820A封裝。這四款新器件為商業(yè)、工業(yè)和車載應用提供節(jié)省空間的高效解決方案，每種產(chǎn)品都有
2023-06-26 15:19:16372 
功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
功率模組封裝代工 功率模塊封裝是指其中在一個基板上集成有一個或多個開關(guān)元件的功率半導體產(chǎn)品，所述開關(guān)元件包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、二極管、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、晶閘管
2023-05-31 09:32:31287 TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經(jīng)在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-26 09:52:42393 
分享功率MOSFET驅(qū)動保護電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”，該器件可用于移動設(shè)備鋰離子（Li-ion）電池組中的電池保護電路。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-05-22 14:33:12512 
是否可以獲得HVQFN148 SOT2111-1封裝的3D STEP模型？
2023-05-12 07:21:34
Limited?（AOS,?納斯達克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結(jié)高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺，旨在滿足服務器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:15664 
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實現(xiàn)？怎樣實現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
Vishay 推出三款新系列汽車級表面貼裝標準整流器，皆為業(yè)內(nèi)先進的薄型可潤濕側(cè)翼 DFN3820A 封裝器件。
2023-04-28 09:09:53390 
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術(shù)來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39987 
AOS3729A-T42-NXC
2023-03-29 21:51:53
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