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標(biāo)簽 > 功率mosfet
功率MOS場效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場效應(yīng)晶體管。
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功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識
功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識
2023-11-23 標(biāo)簽:開關(guān)電源ZVS軟開關(guān) 1317 0
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):平面結(jié)構(gòu)
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三...
功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點(diǎn),因此在各種高壓、高頻、...
2024-01-17 標(biāo)簽:電壓功率MOSFET開關(guān)器件 1274 0
什么是超結(jié)高壓功率MOSFET驅(qū)動電路與EMI
功率MOSFET通常由PWM或其它模式的控制器IC內(nèi)部的驅(qū)動源來驅(qū)動,為了提高關(guān)斷的速度,實(shí)現(xiàn)快速的關(guān)斷降低關(guān)斷損耗提高系統(tǒng)效率,在很多ACDC電源、手...
TV、戶外LED照明等功率比較大的電源系統(tǒng)中,通常輸入端使用PFC功率因素校正電路。系統(tǒng)反復(fù)起動的過程中,如系統(tǒng)動態(tài)老化Burn In測試、輸入打火測試...
車規(guī)級N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(1)
規(guī)格書中會給出一顆元件的相關(guān)參數(shù)值和曲線。在設(shè)計(jì)初期選擇元件時(shí),通過這些參數(shù)可以評估某顆元件是否適合應(yīng)用在需要的電路中。在規(guī)格書中,一些參數(shù)的測試條件(...
車規(guī)級N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(2)
雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓,但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時(shí)施加在其上的能量稱為雪崩能...
功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊技術(shù)解析
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 標(biāo)簽:MOSFET功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊 906 0
ASDM30N40AE 功率MOSFET — 優(yōu)質(zhì)性能,引領(lǐng)能效革命
隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)保的重視不斷增加,電力管理和控制技術(shù)也在不斷發(fā)展。在這個變革的時(shí)代,ASDM30N40AE 功率MOSFET憑借其卓越的性能和創(chuàng)新...
超結(jié)高壓功率MOSFET驅(qū)動參數(shù)對開關(guān)特性有什么影響
新一代的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET中有一些在關(guān)斷的過程中溝道具有提前關(guān)斷的特性,因此,它們的關(guān)斷的特性不受柵極驅(qū)動電阻的控制,但是,并不是所有的超結(jié)結(jié)構(gòu)...
在關(guān)斷狀態(tài)下,功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極...
非連續(xù)模式PFC功率MOSFET電流有效值的計(jì)算
有源功率因數(shù)校正PFC電路,在非連續(xù)導(dǎo)通模式DCM工作時(shí),輸入電感的電流波形如圖1所示??梢钥吹?,在每個開關(guān)周期結(jié)束的時(shí)候,輸入電感的電流降到0,這樣,...
俗話說“人無遠(yuǎn)慮必有近憂”,對于電子設(shè)計(jì)工程師,在項(xiàng)目開始之前,器件選型之初,就要做好充分考慮,選擇最適合自己需要的器件,才能保證項(xiàng)目的成功。
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一...
為什么超結(jié)高壓功率MOSFET輸出電容的非線性特性更嚴(yán)重?
功率MOSFET的輸出電容Coss會隨著外加電壓VDS的變化而變化,表現(xiàn)出非線性的特性,超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET采用橫向電場的電荷平衡技術(shù)
功率MOSFET在電池管理充放電系統(tǒng)中的應(yīng)用
功率MOSFET需要在鋰離子電池組內(nèi)部和輸出負(fù)載之間串聯(lián)。同時(shí),專用IC用于控制MOSFET的開啟和關(guān)閉,以管理電池的充放電,如圖1所示。在消費(fèi)類電子系...
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