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標(biāo)簽 > 功率mosfet
功率MOS場效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場效應(yīng)晶體管。
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深入理解MOSFET規(guī)格書及應(yīng)用設(shè)計(jì)
MOS的導(dǎo)通電阻隨溫度上升而上升,下圖顯示該MOS的導(dǎo)通電阻在結(jié)溫為140度的時(shí)候,為20度時(shí)候的2倍。
2017-10-16 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)電路功率mosfet 1.2萬 0
功率MOSFET管在過電流和過電壓條件下?lián)p壞形態(tài)的原因
硅片中間區(qū)域是散熱條件最差的位置,也是最容易產(chǎn)生熱點(diǎn)的地方,可以看到,上圖中,擊穿小孔洞即熱點(diǎn),正好都位于硅片的中間區(qū)域。
連續(xù)模式PFC功率MOSFET電流有效值、平均值是怎么計(jì)算
中大功率的ACDC電源都會(huì)采用有源功率因數(shù)校正PFC電路來提高其功率因數(shù),減少對電網(wǎng)的干擾。在PFC電路中,常用的結(jié)構(gòu)是BOOST電路,功率MOSFET...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):平面結(jié)構(gòu)
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor...
功率MOSFET結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀
眾所周知,由于采用了絕緣柵,功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率,且開關(guān)速度優(yōu)異。可以說具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))...
高耐壓600V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器WD0412引腳參數(shù)與電路應(yīng)用
WD0412 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓高低邊驅(qū)動(dòng)器,具有高低邊兩路輸出,可以單獨(dú)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)高壓大功率 MOSFET 或 IG...
在此對功率MOSFET的SEB效應(yīng)的機(jī)理進(jìn)行了簡單分析,并針對600 V平面柵VDMOSFET,利用半導(dǎo)體器件模擬軟件Medici研究了緩沖層對提高M(jìn)O...
功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值是衡量器件針對于感性負(fù)載在開關(guān)動(dòng)作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強(qiáng)度的定義,失效的現(xiàn)象及評估的方法是功率MOSFET電...
2023-05-15 標(biāo)簽:負(fù)載MOSFET電路設(shè)計(jì) 2211 0
功率MOSFET輸出電容為什么會(huì)隨著外加電壓增加而降低?
功率MOSFET的輸出電容是非常重要的一個(gè)參數(shù),讀過功率MOSFET數(shù)據(jù)表的工程師應(yīng)該注意到:輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化,表現(xiàn)出非...
工作于線性區(qū)功率MOSFET的設(shè)計(jì)-2
VGS與電流ID曲線有一個(gè)溫度系數(shù)為0的電壓值5.5V,通常這個(gè)點(diǎn)就稱為零溫度系數(shù)點(diǎn)ZTC(Zero Temperature Coefficient)。...
工作于線性區(qū)的功率MOSFET的設(shè)計(jì)-1
在筆記本電腦主板、LCDTV主板、STB機(jī)頂盒等電子系統(tǒng)應(yīng)用中,內(nèi)部有不同電壓的多路電源,通常需要采用功率MOSFET作為負(fù)載切換開關(guān),控制不同電壓的電...
2023-02-16 標(biāo)簽:電子系統(tǒng)功率MOSFET上電時(shí)序 1675 1
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊中會(huì)有一個(gè)看似復(fù)雜的SOA(Safe Operation Area)圖片,這個(gè)安全工作區(qū)域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲...
如何在實(shí)際應(yīng)用中選擇正確類型的功率MOSFET
MOSFET是電壓控制型器件,三極管是電流控制型器件,這里說的優(yōu)缺點(diǎn)當(dāng)然是要跟功率三極管(GTR)來做比較的:優(yōu)點(diǎn)—開關(guān)速度快、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)方便等;...
一文詳細(xì)告訴你如何避免MOSFET常見問題和失效模式
今天給大家分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì),如何避免常見問題和故障模式》。
寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿,從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作,降低的漏電...
功率MOSFET是一種功率型半導(dǎo)體元件,它可以控制大電流的流動(dòng),從而控制電路的功能。
2023-02-16 標(biāo)簽:控制電路功率MOSFET半導(dǎo)體元件 1492 0
什么是超結(jié)高壓功率MOSFET的零電壓ZVS關(guān)斷特性
功率MOSFET在開通的過程中,當(dāng)VGS的驅(qū)動(dòng)電壓從VTH上升到米勒平臺(tái)VGP時(shí)間段t1-t2,漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流,VGS和ID保持由...
2023-02-16 標(biāo)簽:電流功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓 1476 0
功率MOSFET的分類及優(yōu)缺點(diǎn) 功率MOSFET的選型要求
在此,根據(jù)學(xué)到的理論知識和實(shí)際經(jīng)驗(yàn),和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
功率場效應(yīng)管有哪些類型?功率場效應(yīng)管的選擇標(biāo)準(zhǔn)
功率MOSFET的類型:按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。當(dāng)柵極電壓為零時(shí),有導(dǎo)電通道和增強(qiáng)型。對于N(P)溝道器件,柵極電壓大于(小于)零,功率MOSF...
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