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標(biāo)簽 > 功率mosfet
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
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硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的發(fā)展
擁有30年發(fā)展史的硅功率MOSFET 功率MOSFET作為雙極晶體管的替代品最早出現(xiàn)于1976年。與那些少數(shù)載流子器件
2010-09-30 標(biāo)簽:功率MOSFET 916 1
東芝推出采用新型封裝的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGL(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車(chē)載40...
美高森美擴(kuò)大RF功率MOSFET產(chǎn)品陣容
美高森美公司(Microsemi )宣布擴(kuò)大RF功率產(chǎn)品線,推出DRF1400功率MOSFET。該產(chǎn)品非常適合在廣泛的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療 (indus...
飛兆半導(dǎo)體和英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議
飛兆半導(dǎo)體公司和英飛凌科技宣布進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系,擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。
2012-02-09 標(biāo)簽:英飛凌飛兆半導(dǎo)體協(xié)議 893 0
Vishay的PowerPAIR功率MOSFET榮獲2012中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR...
2011年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)放緩
據(jù)IHS iSuppli公司的研究,2010年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)快速增長(zhǎng),銷(xiāo)售額達(dá)到23億美元,比2009年的16億美元增長(zhǎng)43%
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴(kuò)...
FQD17P06TM是一款大功率MOS管,制造商:onsemi產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:DP...
2022-04-21 標(biāo)簽:功率MOSFET 697 0
威世科技發(fā)布創(chuàng)新PowerPAK 8 x 8LR封裝功率MOSFET
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第...
Vishay推出30V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET
全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Silic...
飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議 全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌...
2010-04-26 標(biāo)簽:功率MOSFET 642 0
超越期望,引領(lǐng)控制革新——ASDM65N18S功率MOSFET
引言: 在現(xiàn)代高效能系統(tǒng)中,功率MOSFET扮演著至關(guān)重要的角色,它們是實(shí)現(xiàn)低功耗、高效率和精確控制的關(guān)鍵元件。為滿足不斷發(fā)展的市場(chǎng)需求,我們推出了全新...
飛兆、英飛凌擴(kuò)展功率MOSFET封裝兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologi...
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術(shù),標(biāo)...
Vishay推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET
近日,全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET,型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊...
東芝推出兩款采用L-TOGL封裝的車(chē)載N溝道功率MOSFET產(chǎn)品
東芝近日發(fā)布了兩款專為車(chē)載環(huán)境設(shè)計(jì)的N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——“XPQR8308QB”(80V)和“XPQ1R00AQB”(100V),均采用了其前...
東芝拓展40V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品線,引領(lǐng)汽車(chē)節(jié)能新紀(jì)元
在追求極致駕駛體驗(yàn)的今天,高效功耗控制已成為衡量汽車(chē)技術(shù)先進(jìn)性的重要標(biāo)尺。它不僅關(guān)乎長(zhǎng)距離無(wú)憂行駛的能力,更是降低碳排放、實(shí)現(xiàn)綠色出行的關(guān)鍵所在。東芝,...
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