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標(biāo)簽 > 功率mosfet
功率MOS場效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場效應(yīng)晶體管。
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典型功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路設(shè)計(jì)方案
率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用;但它承受短時(shí)過載的能力較弱,使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求;計(jì)算...
2012-05-31 標(biāo)簽:MOSFET保護(hù)電路驅(qū)動(dòng)電路 9753 0
第一步:將電路板置于溫箱中,類似于下圖設(shè)備。主要是為了保證靜態(tài)無風(fēng)狀態(tài)。加熱后,使其內(nèi)部達(dá)到熱平衡。即Tj=Tc。這個(gè)溫度(T1)不能過低,因?yàn)闇囟冗^低...
功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究 對(duì)頻率為MHz級(jí)情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進(jìn)行了研究,詳細(xì)分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過Q軌...
2009-06-30 標(biāo)簽:功率MOSFET 3615 0
極豪科技光學(xué)指紋方案助力OPPO Reno 8 Pro+實(shí)現(xiàn)"極"速流暢解鎖
創(chuàng)"芯"體驗(yàn) 上海2022年5月24日?/美通社/ --?"AI×Sensor"人工智能傳感器供應(yīng)商極豪科技今日宣布,搭載其屏下光學(xué)指紋識(shí)別芯片JV03...
2022-05-26 標(biāo)簽:電子系統(tǒng)意法半導(dǎo)體功率MOSFET 3334 0
IGBT的結(jié)構(gòu)_功率MOSFET的垂直結(jié)構(gòu)
功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上,它的密度是每平方毫米250.000個(gè)單元(50V功率MOS-FET)或者50.000單元...
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用...
東芝針對(duì)汽車應(yīng)用推出三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品
一個(gè)人的工作能力是指他承擔(dān)某項(xiàng)工作、執(zhí)行某項(xiàng)業(yè)務(wù)、任務(wù)的能力。具體表現(xiàn)有兩方面,一是他的專業(yè)知識(shí)水平,二是他解決、處理實(shí)際工作的能力。在實(shí)踐中二者常常是...
瑞薩電子公司宣布開發(fā)面向消費(fèi)類產(chǎn)品(如無線電動(dòng)工具和電動(dòng)自行車)中電機(jī)驅(qū)動(dòng)的100A大電流功率MOSFET,
2011-07-29 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率MOSFET瑞薩電子 2118 0
Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET
Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x ...
新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiH
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,...
2010-11-09 標(biāo)簽:功率MOSFET 1734 0
功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn),因而非常適合用作開關(guān)電源的整流組件
2011-01-13 標(biāo)簽:功率MOSFET 1702 0
Vishay發(fā)布TrenchFET功率MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA427DJ
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器...
Vishay推出新款n溝道功率MOSFET 60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布, Vishay Siliconix推出新款n溝道功率M...
Vishay推出新款40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L
Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
TI推出業(yè)內(nèi)電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET
德州儀器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管,電阻實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低,比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)低90%,同時(shí),使終端系統(tǒng)功耗得以降...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA923EDJ
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923ED...
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