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標簽 > 功率mosfet
功率MOS場效應晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),FET(Field Effect Transistor場效應晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應來控制半導體(S)的場效應晶體管。
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功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究 對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進行了研究,詳細分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過Q軌...
2009-06-30 標簽:功率MOSFET 3615 0
極豪科技光學指紋方案助力OPPO Reno 8 Pro+實現"極"速流暢解鎖
創(chuàng)"芯"體驗 上海2022年5月24日?/美通社/ --?"AI×Sensor"人工智能傳感器供應商極豪科技今日宣布,搭載其屏下光學指紋識別芯片JV03...
2022-05-26 標簽:電子系統(tǒng)意法半導體功率MOSFET 3334 0
功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上,它的密度是每平方毫米250.000個單元(50V功率MOS-FET)或者50.000單元...
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用...
東芝針對汽車應用推出三款100V N溝道功率MOSFET產品
一個人的工作能力是指他承擔某項工作、執(zhí)行某項業(yè)務、任務的能力。具體表現有兩方面,一是他的專業(yè)知識水平,二是他解決、處理實際工作的能力。在實踐中二者常常是...
瑞薩電子公司宣布開發(fā)面向消費類產品(如無線電動工具和電動自行車)中電機驅動的100A大電流功率MOSFET,
Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET
Vishay具有業(yè)內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內最小0.8mm x 0.8mm x ...
新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiH
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,...
2010-11-09 標簽:功率MOSFET 1734 0
Vishay發(fā)布TrenchFET功率MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA427DJ
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器...
Vishay推出新款n溝道功率MOSFET 60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布, Vishay Siliconix推出新款n溝道功率M...
Vishay推出新款40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L
Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
TI推出業(yè)內電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET
德州儀器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管,電阻實現業(yè)內最低,比傳統(tǒng)60-V負載開關低90%,同時,使終端系統(tǒng)功耗得以降...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA923EDJ
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923ED...
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