晶圓

晶圓知識(shí)

• 簡(jiǎn)述光刻工藝的三個(gè)主要步驟

  “ 光刻作為半導(dǎo)體中的關(guān)鍵工藝，其中包括3大步驟的工藝：涂膠、曝光、顯影。三個(gè)步驟有一個(gè)異常，整個(gè)光刻工藝都需要返工處理

  2024-10-22 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 晶圓 硅片 23 0

• 全球產(chǎn)能份額超72%,中國(guó)晶圓代工強(qiáng)勢(shì)崛起

  近年來(lái)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展帶動(dòng)了全球晶圓代工產(chǎn)能的穩(wěn)步增長(zhǎng)。隨著AI、HPC、IoT等新興應(yīng)用領(lǐng)域的迅速崛起，對(duì)芯片性

  2024-10-22 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 晶圓 晶圓代工 109 0

• 晶圓鍵合技術(shù)的類型有哪些

  晶圓鍵合技術(shù)是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，它通過(guò)將兩塊或多塊晶圓在一定的工藝條件下緊密結(jié)合，形成一個(gè)整體結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)廣泛

  2024-10-21 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 晶圓 鍵合 76 0

• 

  使用0.5英寸晶圓的代工廠

  來(lái)源：半導(dǎo)體芯聞 據(jù)日媒報(bào)道，在“CEATEC 2024”上，最小晶圓廠推廣組織展示了用于最小晶圓廠的使用超小型半導(dǎo)體制

  2024-10-18 標(biāo)簽： 晶圓 109 0

• 

  光刻工藝中分辨率增強(qiáng)技術(shù)詳解

  分辨率增強(qiáng)及技術(shù)(Resolution Enhancement Technique, RET)實(shí)際上就是根據(jù)已有的掩膜版

  2024-10-18 標(biāo)簽： 晶圓 分辨率 光刻技術(shù) 101 0

• 

  靜電吸盤(pán)的實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)

  在刻蝕機(jī)中，如果晶圓不能在托盤(pán)上平整放置，則會(huì)造成刻蝕離子的轟擊產(chǎn)生角度，同時(shí)，刻蝕時(shí)晶圓的散熱情況也會(huì)嚴(yán)重影響刻蝕速率

  2024-10-18 標(biāo)簽： 靜電 晶圓 電極 68 0

• 

  半導(dǎo)體制造過(guò)程解析

  在這篇文章中，我們將學(xué)習(xí)基本的半導(dǎo)體制造過(guò)程。為了將晶圓轉(zhuǎn)化為半導(dǎo)體芯片，它需要經(jīng)歷一系列復(fù)雜的制造過(guò)程，包括氧化、光刻

  2024-10-16 標(biāo)簽： 芯片 半導(dǎo)體 晶圓 176 0

• 

  晶圓微凸點(diǎn)技術(shù)在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用

  先進(jìn)封裝技術(shù)持續(xù)朝著連接密集化、堆疊多樣化和功能系統(tǒng)化的方向發(fā)展，探索了扇出型封裝、2.5D/3D、系統(tǒng)級(jí)封 裝等多種封

  2024-10-16 標(biāo)簽： 晶圓 封裝技術(shù) 封裝工藝 335 0

• 

  SiC MOSFET溝道遷移率提升工藝介紹

  過(guò)去三十年，碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰(zhàn)。其主要問(wèn)題是——碳化硅與柵氧化層之

  2024-10-16 標(biāo)簽： MOSFET 半導(dǎo)體 晶圓 251 0

• 微型晶體管怎么做出來(lái)的

  微型晶體管的制造過(guò)程 1. 硅晶圓的制備 微型晶體管的制造始于硅晶圓的制備。硅晶圓是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，通常采用高純度

  2024-10-15 標(biāo)簽： 晶圓 晶體管 半導(dǎo)體制造 88 0

展開(kāi)查看更多