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標簽 > 蝕刻技術

蝕刻技術

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蝕刻技術技術

在氮化鎵中利用光電化學蝕刻深層高縱橫比溝槽的進展

在溝槽蝕刻的實驗中,達到的深度是由電流密度控制的,而不是沿GaN晶格的m軸或a軸的掩模取向。短寬度孔徑掩模的溝槽蝕刻速率在約30μm深度處減慢。研究人員...

2018-09-05 標簽:二極管PCB設計晶片 4424 0

PCB蝕刻工藝過程中如何把控蝕刻質量

印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程,本文就對其最后的一步——蝕刻進行解析。

2019-05-31 標簽:PCBPCB設計蝕刻技術 3496 0

耐蝕點蝕鍍銅工藝

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隨著5G技術的推出,導致電子電路和IC基板在設計中要求更高的密度。由于5G應用的性質,這些設計中的高可靠性和出色的電氣性能也越來越重要。

2023-09-01 標簽:半導體鍍銅工藝蝕刻工藝 3088 0

pcb蝕刻過程中應注意哪些問題?

維護蝕刻設備的最關鍵因素就是要保證噴嘴的高清潔度及無阻塞物,使噴嘴能暢順地噴射。阻塞物或結渣會使噴射時產(chǎn)生壓力作用,沖擊板面。而噴嘴不清潔,則會造成蝕刻...

2018-10-16 標簽:pcbPCB設計蝕刻技術 2722 0

硅的濕式化學蝕刻和清洗

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本文綜述了工程師們使用的典型的濕化學配方。盡可能多的來源已經(jīng)被用來提供一個蝕刻劑和過程的簡明清單

2023-03-17 標簽:半導體蝕刻蝕刻技術 2399 0

LIDE激光誘導深度蝕刻技術在MEMS封裝領域的應用

良好的機械強度:玻璃是一種相對堅固且耐用的材料,可以保護MEMS器件免受機械應力的影響。另外,不同于金屬或其他材料, 玻璃材料不會產(chǎn)生疲勞效應。適用于長...

2023-03-03 標簽:mems晶圓蝕刻技術 2220 0

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術

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3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間...

2023-06-15 標簽:NAND存儲芯片蝕刻技術 2096 0

一種新型的鍺化硅(SiGe)干式選擇性各向同性原子層蝕刻技術

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納米線(NWs)已經(jīng)為氣體和生物傳感提供了一個極好的平臺, 從而研究如何使納米線的表面功能化,由于納米尺度尺寸與分子尺寸兼容性,導致我們需要考慮如何使納...

2023-06-16 標簽:半導體晶體管蝕刻技術 1422 0

混合鋁蝕刻劑的化學特性分析

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摘要 我們華林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性,以確定該蝕刻劑系統(tǒng)在純鋁電路光刻制造中的潛在生產(chǎn)應用。溫度變化...

2022-01-07 標簽:半導體印刷電路蝕刻 1375 0

研究人員開發(fā)出一種創(chuàng)新的光電化學(PEC)蝕刻技術

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近日,美國哈佛醫(yī)學院(HMS)和麻省理工學院總醫(yī)院的一個聯(lián)合研究小組表示,他們利用PEC刻蝕法實現(xiàn)了微盤激光器輸出的調諧,這使得納米光子學和生物醫(yī)學的新...

2023-09-12 標簽:光電激光器通信 1230 0

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2006-04-16 標簽:PCB設計真空蝕刻蝕刻技術 2283 0

采用蒸鍍工藝的OLED技術面臨哪些挑戰(zhàn)

原來糾結于OLED蒸鍍工藝和OLED印刷工藝的兩在陣營,都同時看上了無FMM的高開口率光刻技術,來替代FMM模塊和印刷控制模塊。

2022-11-10 標簽:OLED蝕刻技術 1905 0

日本芯片技術突破!400層堆疊 3D NAND閃存將至!

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在介紹日本電子公司研發(fā)的全新蝕刻技術之前,我們需要了解蝕刻技術的歷史。蝕刻技術是芯片制造基礎工藝之一,它是指對光刻技術制作的圖案進行蝕刻,得到具有一定幾...

2023-06-26 標簽:芯片技術產(chǎn)業(yè)鏈蝕刻技術 1165 0

應用材料公司推出兆位元時代的突破性蝕刻技術

  應用材料公司推出先進的蝕刻技術 ─ Applied Centura Avatar介電層蝕刻系統(tǒng),這項突破性的系統(tǒng)是解決建立3D記憶體架構的嚴峻挑戰(zhàn);...

2012-06-29 標簽:PCB設計蝕刻技術應用材料 938 0

真空蝕刻技術的未來將會如何發(fā)展

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在實踐中,在這一過程中出現(xiàn)了一些物理問題。通常,系統(tǒng)會使用水平線。在這里通??梢源_定一個缺陷:在電路板的上下兩側通常可以觀察到不同的蝕刻結果。對板上部的...

2022-06-16 標簽:pcb蝕刻技術 497 0

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