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真空蝕刻技術(shù)的未來將會(huì)如何發(fā)展
- pcb(383710)
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氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻法
目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
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174PCB加工之蝕刻質(zhì)量及先期問題分析
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217情感語(yǔ)音識(shí)別技術(shù)的應(yīng)用與未來發(fā)展
的應(yīng)用、未來發(fā)展趨勢(shì)以及面臨的挑戰(zhàn)。 二、情感語(yǔ)音識(shí)別技術(shù)的應(yīng)用 人機(jī)交互：情感語(yǔ)音識(shí)別技術(shù)在人機(jī)交互領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。例如，智能客服可以通過分析用戶的語(yǔ)音情感，提供更加貼心和個(gè)性化的服務(wù)。此外，情感語(yǔ)音識(shí)別技術(shù)還可
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317陳海波：OpenHarmony技術(shù)領(lǐng)先，產(chǎn)學(xué)研深度協(xié)同，生態(tài)蓬勃發(fā)展
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技術(shù)筑生態(tài) 智聯(lián)贏未來，第二屆OpenHarmony技術(shù)大會(huì)圓滿舉行
操作系統(tǒng)十大技術(shù)挑戰(zhàn)方向”的年度進(jìn)展，為智能終端操作系統(tǒng)的未來發(fā)展指明了前進(jìn)的道路。
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華為常務(wù)董事、終端BG CEO、智能汽車解決方案BU董事長(zhǎng)余承
2023-11-04 14:59:45
技術(shù)筑生態(tài)，智聯(lián)贏未來 第二屆OpenHarmony技術(shù)大會(huì)即將在京啟幕
與進(jìn)步。
今年2月，OpenHarmony成功舉辦了第一屆技術(shù)大會(huì)，集結(jié)了多位行業(yè)專家，共同研討智能終端操作系統(tǒng)未來技術(shù)發(fā)展方向，展現(xiàn)智慧生態(tài)共建的榮耀成果，為加速國(guó)家數(shù)智化進(jìn)程助力。繼第一屆
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PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素
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545降低半導(dǎo)體金屬線電阻的沉積和蝕刻技術(shù)
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真空吸取及其在貼裝技術(shù)中應(yīng)用
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淺談PCB蝕刻質(zhì)量及先期存在的問題
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pcb蝕刻是什么意思
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未來智能技術(shù)架構(gòu)的潛在應(yīng)用和影響因素
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線材在不同溫度下電阻值的變化，通過精準(zhǔn)測(cè)量溫度和電阻值的變化來反推氣體的壓強(qiáng)。 電阻真空計(jì)的作用非常廣泛，主要應(yīng)用于真空技術(shù)領(lǐng)域，例如真空干燥、真空熱處理、真空冶煉、真空電子等。同時(shí)，電阻真空計(jì)還常見于航空航
2023-08-24 14:27:091150
1150什么是真空斷路器 真空斷路器的結(jié)構(gòu)組成 真空斷路器的特點(diǎn)有哪些
真空斷路器的結(jié)構(gòu)主要由三部分組成：真空滅弧室、操動(dòng)機(jī)構(gòu)、支架及其他部件。
2023-08-21 15:44:471747
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真空回流焊是什么？淺談SMT真空回流焊爐的基本原理
真空回流焊(Vacuum reflow soldering)是一種在高真空或低氣壓環(huán)境下進(jìn)行的電子組裝焊接技術(shù)。相比于常規(guī)的氣體環(huán)境下的回流焊，真空回流焊具有以下不同。
2023-08-21 09:40:098346
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真空回流焊工作原理
真空回流焊工作原理真空回流焊是一種先進(jìn)的電子組件表面貼裝技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝、高密度互連板和其他高性能電子產(chǎn)品的制造。真空回流焊技術(shù)通過在真空環(huán)境中進(jìn)行回流焊，實(shí)現(xiàn)了對(duì)焊接缺陷的有效控制
2023-08-18 09:25:302355
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XR虛擬制作技術(shù)在未來將會(huì)有更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域和更深入的發(fā)展
。未來，XR虛擬制作技術(shù)將在以下幾個(gè)方面實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的發(fā)展： 更高的視覺質(zhì)量 隨著顯示技術(shù)和光效技術(shù)的不斷進(jìn)步，XR虛擬拍攝的視覺質(zhì)量將得到進(jìn)一步提升。未來的LED顯示屏將具備更高的分辨率、更高的刷新率和更低的延遲，提供更加逼真、流暢的虛擬背景。
2023-08-15 17:51:00298
298人工智能的未來發(fā)展趨勢(shì)
人工智能的未來發(fā)展趨勢(shì)? 人工智能（Artificial Intelligence，AI）是一種模擬人類智能的計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)，它的發(fā)展已經(jīng)改變了我們的生活方式。隨著AI技術(shù)的不斷升級(jí)和發(fā)展，未來它將
2023-08-15 16:07:086906
6906如何實(shí)現(xiàn)PCB蝕刻工藝中的均勻性呢？有哪些方法？
PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致大尺寸PCB整個(gè)板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431013
1013面部表情識(shí)別的未來發(fā)展趨勢(shì)
面部表情識(shí)別作為一項(xiàng)復(fù)雜的技術(shù)，未來將會(huì)面臨更多的挑戰(zhàn)和機(jī)遇。本文將探討面部表情識(shí)別的未來發(fā)展趨勢(shì)，包括技術(shù)進(jìn)步、應(yīng)用拓展、標(biāo)準(zhǔn)化和開放性等方面。 首先，面部表情識(shí)別的技術(shù)將會(huì)不斷進(jìn)步。未來，面部
2023-08-09 16:16:10307
307真空光纖饋通
VFT光纖過真空裝置可以將光導(dǎo)入或?qū)С?b class="flag-6" style="color: red">真空室，以實(shí)現(xiàn)超高真空的應(yīng)用場(chǎng)合，例如半導(dǎo)體處理的光學(xué)監(jiān)測(cè)和薄膜吸附的*終檢測(cè)。
2023-07-27 11:22:55277
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重新定義單光子探測(cè)技術(shù)：基于真空管的探測(cè)器解決方案
Photonis 單光子探測(cè)解決方案基于真空管探測(cè)器技術(shù)。該技術(shù)結(jié)合了高檢測(cè)效率 (QE) 和極低的暗計(jì)數(shù)(暗噪聲)。發(fā)出脈沖后，檢測(cè)器在檢測(cè)到光子后生成脈沖的現(xiàn)象是最小的，并且停滯時(shí)間是非刺激性
2023-07-26 06:48:24387
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真空共晶焊爐技術(shù)：光纖器件制造的未來之路
隨著通信技術(shù)和光電技術(shù)的發(fā)展，光纖器件在現(xiàn)代社會(huì)中扮演著越來越重要的角色。而為了確保光纖器件的性能、穩(wěn)定性和壽命，需要應(yīng)用高度精確和可靠的制造工藝。在這其中，真空共晶焊爐設(shè)備是關(guān)鍵性的工具，為光纖器件的生產(chǎn)和應(yīng)用提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
2023-07-22 09:47:29903
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探究真空共晶焊爐：混合電路封裝的未來所向
隨著電子工業(yè)的飛速發(fā)展，對(duì)電子封裝技術(shù)的需求也日益增加，尤其是在混合電路的封裝中?；旌想娐?，也稱為混合集成電路，是由不同材料和技術(shù)制成的多種元件組成，如：被動(dòng)元件、有源元件、微波元件等。為了滿足這些
2023-07-21 10:53:091225
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點(diǎn)云標(biāo)注的未來發(fā)展與技術(shù)革新
點(diǎn)云標(biāo)注作為自動(dòng)駕駛技術(shù)中的重要一環(huán)，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和進(jìn)步，其未來發(fā)展與技術(shù)革新將具有重要意義。 首先，點(diǎn)云標(biāo)注技術(shù)的發(fā)展將更加注重智能化和自動(dòng)化。未來的點(diǎn)云標(biāo)注系統(tǒng)將采用更加先進(jìn)的深度學(xué)習(xí)模型
2023-07-18 15:13:22295
295深度解析：真空共晶焊爐在光電器件封裝中的重要性
隨著光電器件技術(shù)的飛速發(fā)展，光電器件封裝技術(shù)已經(jīng)成為了影響光電器件性能的關(guān)鍵因素。封裝技術(shù)中，一個(gè)關(guān)鍵的環(huán)節(jié)是焊接過程。在這個(gè)過程中，真空共晶焊爐設(shè)備的作用尤為重要。那么，真空共晶焊爐設(shè)備在光電器件封裝應(yīng)用領(lǐng)域是如何運(yùn)作的呢？我們接下來將深入挖掘這一話題。
2023-07-18 10:51:55777
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深度解讀硅微納技術(shù)之的蝕刻技術(shù)
蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183
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深度解讀硅微納技術(shù)之蝕刻技術(shù)
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190
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論串口屏的未來發(fā)展方向
方向。 一、 高清晰度和高刷新率 隨著科技的不斷進(jìn)步，人們對(duì)顯示屏的要求也越來越高。未來的串口屏將會(huì)朝著高清晰度和高刷新率的方向發(fā)展。高清晰度可以提供更加清晰、細(xì)膩的圖像和文字顯示效果，而高刷新率則可以提供更加流暢、自然
2023-07-03 09:51:08733
733人臉識(shí)別技術(shù)的未來發(fā)展方向
人臉識(shí)別技術(shù)是一種非常重要的技術(shù)，它可以幫助人們更加便捷、安全地完成許多任務(wù)。未來，人臉識(shí)別技術(shù)將朝著更高的準(zhǔn)確率、更快的識(shí)別速度、更強(qiáng)的安全性、更低的成本和更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域等方向發(fā)展。 未來的人
2023-06-29 18:38:29722
722鋁等離子體蝕刻率的限制
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318
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鍺、硅、SiNx薄膜的各向同性等離子體蝕刻
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時(shí)，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學(xué)也會(huì)有問題。
2023-06-26 13:32:441053
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常用的真空泵技術(shù)
而獲得真空的器件或設(shè)備。隨著真空應(yīng)用的發(fā)展，真空泵的種類已發(fā)展了很多種，其抽速?gòu)拿棵肓泓c(diǎn)幾升到每秒幾十萬、數(shù)百萬升。極限壓力(極限真空)從粗真空到10-12Pa以上的極高真空范圍。 真空區(qū)域的劃分 粗真空 105～103Pa 低真空
2023-06-20 11:48:251226
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水環(huán)真空泵軸承位磨損在線修復(fù)
我司接到某企業(yè)負(fù)責(zé)人來電，詢問我司索雷技術(shù)是否可以在線解決水環(huán)真空泵軸承位磨損問題。初步溝通了解到該水環(huán)真空泵軸承位磨損后曾用點(diǎn)焊修復(fù)過，但是效果并不理想。企業(yè)提供的相關(guān)設(shè)備數(shù)據(jù)如下：設(shè)備名稱
2023-06-19 16:38:110
0利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機(jī)制對(duì)富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526
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遠(yuǎn)程等離子體選擇性蝕刻的新途徑
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場(chǎng)電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779
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凸塊制造技術(shù)演變及發(fā)展歷史
凸塊制造過程一般是基于定制的光掩模，通過真空濺鍍、黃光、電鍍、蝕刻等環(huán)節(jié)而成，該技術(shù)是晶圓制造環(huán)節(jié)的延伸，也是實(shí)施倒裝（FC）封裝工藝的基礎(chǔ)及前提。
2023-06-12 09:35:42771
771
電子元器件知識(shí)：怎么判斷真空傳感器壞了?會(huì)有哪些表現(xiàn)？
，將會(huì)導(dǎo)致發(fā)動(dòng)機(jī)失去精確的燃料噴射控制，而降低燃油經(jīng)濟(jì)性、增加尾氣排放甚至出現(xiàn)發(fā)動(dòng)機(jī)熄火等問題。那么，怎么判斷真空傳感器壞了？會(huì)有哪些表現(xiàn)呢？ 判斷真空傳感器是否壞了，一般需要從以下幾個(gè)方面進(jìn)行檢查： 檢查引擎
2023-06-02 17:01:18621
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高真空排氣臺(tái)密封性泄露檢測(cè)
上海伯東某客戶生產(chǎn)研發(fā)多工位高真空和超高真空排氣臺(tái), 實(shí)現(xiàn)多工位同時(shí)抽真空的效果, 真空度需要穩(wěn)定在 -7 mbar, - 8 mbar, 包含真空系統(tǒng)在內(nèi)的多個(gè)組件, 均需要進(jìn)行密封性泄露測(cè)試
2023-06-02 15:37:25358
358
載體晶圓對(duì)蝕刻速率、選擇性、形貌的影響
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452
452
淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個(gè)階段
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071
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智能電網(wǎng)未來發(fā)展趨勢(shì)
智能電網(wǎng)是指應(yīng)用新一代信息技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)電網(wǎng)自主、智能化、互聯(lián)互通、高效優(yōu)質(zhì)運(yùn)行為目標(biāo)的電網(wǎng)。未來智能電網(wǎng)的發(fā)展趨勢(shì)將會(huì)朝著以下方向發(fā)展： 1、增加可再生能源比例：未來智能電網(wǎng)將更加注重可再生能源
2023-05-29 13:47:212723
2723硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測(cè)量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測(cè)不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618
618
晶圓鍵合機(jī)中的無油真空系統(tǒng)
晶圓鍵合機(jī)主要用于將晶圓通過真空環(huán)境, 加熱, 加壓等指定的工藝過程鍵合在一起, 滿足微電子材料, 光電材料及其納米等級(jí)微機(jī)電元件的制作和封裝需求. 晶圓鍵合機(jī)需要清潔干燥的高真空工藝環(huán)境, 真空
2023-05-25 15:58:06520
520
加熱板：真空共晶爐的熱力中心與材料塑造者
真空共晶爐是一個(gè)關(guān)鍵的設(shè)備，用于制造和處理各種材料，尤其是在微電子和納米技術(shù)領(lǐng)域。這種設(shè)備的核心組件之一就是加熱板。在本文中，我們將詳細(xì)介紹真空共晶爐的加熱板，包括其結(jié)構(gòu)，功能，以及在整個(gè)真空共晶過程中的作用。
2023-05-23 11:35:47363
363
如何在蝕刻工藝中實(shí)施控制？
蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會(huì)變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來維護(hù)蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575
575
UWB人員定位未來的發(fā)展趨勢(shì)
等優(yōu)勢(shì)。未來幾年，UWB發(fā)展趨勢(shì)主要有以下幾個(gè)方面： 5G和UWB的結(jié)合。5G是未來的核心通信技術(shù)，而UWB可以為5G提供更高精度、更可靠的位置信息，兩者的結(jié)合將會(huì)推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)、智能制造等領(lǐng)域的發(fā)展。 ?UWB在智能家居中的應(yīng)用。UWB可以提供高精度的人體檢測(cè)
2023-05-19 09:03:16299
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適用于中低真空度測(cè)量的AGP3000皮拉尼真空計(jì)
三類：利用力學(xué)性能（如波爾登真空計(jì)和薄膜電容規(guī)）、利用氣體動(dòng)力學(xué)效應(yīng)（如皮拉尼電阻規(guī)和熱電偶規(guī)）和利用帶電粒子效應(yīng)（熱陰極電離規(guī)和冷陰極電離規(guī)）。其中皮拉尼原理是大多數(shù)真空技術(shù)下優(yōu)先考慮的測(cè)量方式。 精致耐
2023-05-18 17:06:25349
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高速硅濕式各向異性蝕刻技術(shù)在批量微加工中的應(yīng)用
蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽(yáng)能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700
700
NB-IOT與LoRa未來兩種技術(shù)在國(guó)內(nèi)的發(fā)展究竟如何呢？
備受爭(zhēng)議，但隨著廣電，鐵塔及互聯(lián)網(wǎng)巨頭騰訊，阿里相繼加入LoRa陣營(yíng)，無疑又為L(zhǎng)oRa在國(guó)內(nèi)的發(fā)展注入一支“強(qiáng)心劑”。那未來兩種技術(shù)在國(guó)內(nèi)的發(fā)展究竟如何呢？
NB-IOT（ Narrow Band
2023-05-11 10:14:49
中國(guó)開源未來發(fā)展峰會(huì)“問道 AI 分論壇”即將開幕！
的發(fā)展，一個(gè)好的 AI 技術(shù)產(chǎn)品該如何迭代與運(yùn)營(yíng)……
為了能夠與廣大開發(fā)者一起更好地?fù)肀?AI 技術(shù)的發(fā)展，5 月 13 日，由天工開物開源基金會(huì)、開源中國(guó)社區(qū)聯(lián)合發(fā)起的，面向廣大開發(fā)者的中國(guó)開源未來
2023-05-09 09:49:41
5g技術(shù)的發(fā)展前景及未來發(fā)展趨勢(shì)
5G技術(shù)的發(fā)展前景非常廣闊，它將為我們未來提供更快、更智能、更可靠的通信服務(wù)。以下是5G技術(shù)的發(fā)展前景：
更快的網(wǎng)絡(luò)速度和更低的延遲：5G技術(shù)將使通信行業(yè)向更高速、更低延遲的方向發(fā)展，這將
2023-05-08 16:08:3911951
11951真空泵軸承位磨損可以這樣修復(fù)
真空泵是指利用機(jī)械、物理、化學(xué)或物理化學(xué)的方法對(duì)被抽容器進(jìn)行抽氣而獲得真空的器件或設(shè)備。通俗來講，真空泵是用各種方法在某一封閉空間中改善、產(chǎn)生和維持真空的裝置。按真空泵的工作原理，真空泵基本上可以分為兩種類型，即氣體捕集泵和氣體傳輸泵。其廣泛用于冶金、化工、食品、電子鍍膜等行業(yè)。
2023-04-17 10:02:420
0光子晶體用硅中圓柱形納米孔的深反應(yīng)離子蝕刻
反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253
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干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應(yīng)用
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭(zhēng)論是微電子制造商在項(xiàng)目開始時(shí)必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004
1004mcu具有什么功能？未來的創(chuàng)新發(fā)展趨勢(shì)是什么？
什么？MCU具有什么功能？在未來又將有哪些創(chuàng)新發(fā)展呢？這篇文章將會(huì)為大家詳細(xì)解答。 一、什么是MCU，具有什么功能？ MCU是Microcontroller Unit 的簡(jiǎn)稱，中文叫微控制器，俗稱單片機(jī)
2023-04-10 15:07:42
水環(huán)真空泵軸徑磨損的修復(fù)技術(shù)
性能較差，抗疲勞性能差，因此容易造成疲勞磨損、微動(dòng)磨損等。該企業(yè)曾經(jīng)采用過其他技術(shù)修復(fù)水環(huán)真空泵軸徑磨損問題，但是修復(fù)效果并不理想，在這種情況下企業(yè)聯(lián)系到我司工程師，咨詢我司技術(shù)能否有效解決水環(huán)真空泵軸徑磨損問題。
2023-04-06 17:45:340
0低溫蝕刻重新出現(xiàn)_
經(jīng)過多年的研發(fā)，隨著該行業(yè)在內(nèi)存和邏輯方面面臨新的挑戰(zhàn)，一種稱為低溫蝕刻的技術(shù)正在重新出現(xiàn)，成為一種可能的生產(chǎn)選擇。
2023-03-29 10:14:41392
392PCB加工的蝕刻工藝
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886
886新技術(shù)使蝕刻半導(dǎo)體更容易
研究表明，半導(dǎo)體的物理特性會(huì)根據(jù)其結(jié)構(gòu)而變化，因此半導(dǎo)體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調(diào)整其電氣和光學(xué)特性以及連接性的結(jié)構(gòu)。
2023-03-28 09:58:34251
251請(qǐng)問MPX2050DP可以測(cè)量真空壓力嗎？
這可能是一個(gè)簡(jiǎn)單的問題，但我在數(shù)據(jù)表中找不到明確的答案。既然是差壓傳感器，MPX2050DP能測(cè)到-50kPa的真空壓力嗎？
2023-03-28 08:07:13
企業(yè)真空伏輥磨損如何修復(fù)
真空伏輥，造紙機(jī)械構(gòu)成之一，位于濕部末端。真空伏輥由于受物料沖擊常會(huì)出現(xiàn)局部劃傷的問題，如輥面的局部損壞、輥體內(nèi)壁劃傷、輥體兩端氣胎部位磨損等；輥體的傳動(dòng)部位磨損是另一類經(jīng)常出現(xiàn)的故障，如真空
2023-03-27 10:49:450
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工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論