CVD

硅氧負(fù)極的工藝流程 CVD法的核心優(yōu)勢

從本質(zhì)上分析硅氧負(fù)極循環(huán)壽命更好的原理是：硅氧負(fù)極技術(shù)路線多用氧化亞硅，相較于單質(zhì)硅顆粒，氧化亞硅（SiOx）在鋰嵌入過程中發(fā)生的體積膨脹較小，其循環(huán)穩(wěn)...

2022-09-29 標(biāo)簽：CVD 1.2萬 0

集成電路芯片制造中的3種硅化物工藝介紹

為了降低接觸電阻和串聯(lián)電阻，在集成電路制造中引入了硅化物工藝，業(yè)界先后采用了可規(guī)模生產(chǎn)的 WSi2 、TiSi2、CoSi2、NiSi 等工藝。

2022-11-21 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻CVD集成電路芯片 8536 0

各種CVD材料介紹

Producer Black Diamond 3 系統(tǒng)設(shè)計為可與 應(yīng)用材料公司的 Producer Nanocure 3 UV 固化系統(tǒng)配合使用。Nan...

2023-05-25 標(biāo)簽：晶圓邏輯器件CVD 7083 0

刻蝕工藝基礎(chǔ)知識簡析

刻蝕速率是測量刻蝕物質(zhì)被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產(chǎn)量，因此刻蝕速率是一個重要參數(shù)。

2023-02-06 標(biāo)簽：晶圓SEM電子顯微鏡 6072 0

模擬硅基片上的UHV/CVD及硅生長

化學(xué)氣相沉積 (CVD) 能夠生產(chǎn)出兼具高質(zhì)量、高純度及高強(qiáng)度等優(yōu)點的材料，因此在半導(dǎo)體行業(yè)非常受歡迎。超高真空化學(xué)氣相沉積涉及相當(dāng)復(fù)雜的設(shè)備和極高的溫...

2018-06-02 標(biāo)簽：CVD硅基片 5099 0

磁場中的帶電粒子介紹

低頻功率時，離子所獲得的能量比在高頻功率獲得的能量稍高。低頻使離子有較多的反應(yīng)時間，所以能把離子加速到具有較高的能量，也因此能夠提供更多的能量在離子轟擊上。

2022-12-07 標(biāo)簽：電容耦合電磁場CVD 3266 0

等離子第一個電子是從哪里及如何產(chǎn)生的？

當(dāng)兩個電極通過射頻高電壓時，它們之間就產(chǎn)生一個交流電場。如果射頻功率足夠高，自由電子受到交流電場的影響被加速，直到獲得足夠的能量和反應(yīng)室中的原子或分子碰...

2022-11-21 標(biāo)簽：ICPCVD 2745 0

接觸孔工藝（Contact Process）

接觸孔工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵工藝，也是技術(shù)難度最高的工藝之一。接觸孔的尺寸是集成電路工藝中最小的尺寸之一，是決定芯片面積的關(guān)鍵尺寸。

2022-11-22 標(biāo)簽：集成電路SiO2CVD 6733 0

碳化硅材料技術(shù)對器件可靠性有哪些影響

前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化...

2021-08-16 標(biāo)簽：SiC碳化硅CVD 5639 0

Novellus正在悄悄地開發(fā)用于銅的旋轉(zhuǎn)低k，以防萬一

應(yīng)用，Novellus正在悄悄地開發(fā)用于銅的旋轉(zhuǎn)低k，以防萬一 慕尼黑 - 您認(rèn)為IBM公司周一宣布在0.13微米銅IC中使用旋涂低k電介質(zhì)材料將是Ap...

2020-02-12 標(biāo)簽：CVD電介質(zhì)華強(qiáng)pcb線路板打樣 3436 0

簡述基于金剛石量子技術(shù)的醫(yī)療成像應(yīng)用

據(jù)麥姆斯咨詢介紹，量子態(tài)的獨特性能為開發(fā)測量磁場、溫度和電場等變量的高靈敏傳感器提供了巨大潛力。不過，至今該技術(shù)的應(yīng)用仍存在局限性，因為量子態(tài)（量子比特...

2021-06-28 標(biāo)簽：激光晶體管CVD 3431 0

金屬薄膜的制備條件如何

隨著工業(yè)的發(fā)展，金屬薄膜已經(jīng)廣泛應(yīng)用于社會生產(chǎn)生活中，如：糖果包裝、藥品膠囊包裝、佛像貼金、以及宮殿裝飾等等。

2022-09-15 標(biāo)簽：PVD光電顯示CVD 3311 0