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標(biāo)簽 > CVD
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從本質(zhì)上分析硅氧負(fù)極循環(huán)壽命更好的原理是:硅氧負(fù)極技術(shù)路線多用氧化亞硅,相較于單質(zhì)硅顆粒,氧化亞硅(SiOx)在鋰嵌入過程中發(fā)生的體積膨脹較小,其循環(huán)穩(wěn)...
2022-09-29 標(biāo)簽:CVD 1.2萬 0
為了降低接觸電阻和串聯(lián)電阻,在集成電路制造中引入了硅化物工藝,業(yè)界先后采用了可規(guī)模生產(chǎn)的 WSi2 、TiSi2、CoSi2、NiSi 等工藝。
2022-11-21 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻CVD集成電路芯片 8536 0
Producer Black Diamond 3 系統(tǒng)設(shè)計為可與 應(yīng)用材料公司的 Producer Nanocure 3 UV 固化系統(tǒng)配合使用。Nan...
刻蝕速率是測量刻蝕物質(zhì)被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產(chǎn)量,因此刻蝕速率是一個重要參數(shù)。
化學(xué)氣相沉積 (CVD) 能夠生產(chǎn)出兼具高質(zhì)量、高純度及高強(qiáng)度等優(yōu)點的材料,因此在半導(dǎo)體行業(yè)非常受歡迎。超高真空化學(xué)氣相沉積涉及相當(dāng)復(fù)雜的設(shè)備和極高的溫...
低頻功率時,離子所獲得的能量比在高頻功率獲得的能量稍高。低頻使離子有較多的反應(yīng)時間,所以能把離子加速到具有較高的能量,也因此能夠提供更多的能量在離子轟擊上。
當(dāng)兩個電極通過射頻高電壓時,它們之間就產(chǎn)生一個交流電場。如果射頻功率足夠高,自由電子受到交流電場的影響被加速,直到獲得足夠的能量和反應(yīng)室中的原子或分子碰...
說起石墨烯,幾乎家喻戶曉,其優(yōu)異的機(jī)械和電學(xué)性能引起全世界科學(xué)家們瘋狂的追捧。盡管目前在實驗室中小尺寸的石墨烯單晶制備及其應(yīng)用研究已經(jīng)獲得了長足的進(jìn)步,...
接觸孔工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵工藝,也是技術(shù)難度最高的工藝之一。接觸孔的尺寸是集成電路工藝中最小的尺寸之一,是決定芯片面積的關(guān)鍵尺寸。
前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化...
Novellus正在悄悄地開發(fā)用于銅的旋轉(zhuǎn)低k,以防萬一
應(yīng)用,Novellus正在悄悄地開發(fā)用于銅的旋轉(zhuǎn)低k,以防萬一 慕尼黑 - 您認(rèn)為IBM公司周一宣布在0.13微米銅IC中使用旋涂低k電介質(zhì)材料將是Ap...
2020-02-12 標(biāo)簽:CVD電介質(zhì)華強(qiáng)pcb線路板打樣 3436 0
簡述基于金剛石量子技術(shù)的醫(yī)療成像應(yīng)用
據(jù)麥姆斯咨詢介紹,量子態(tài)的獨特性能為開發(fā)測量磁場、溫度和電場等變量的高靈敏傳感器提供了巨大潛力。不過,至今該技術(shù)的應(yīng)用仍存在局限性,因為量子態(tài)(量子比特...
隨著工業(yè)的發(fā)展,金屬薄膜已經(jīng)廣泛應(yīng)用于社會生產(chǎn)生活中,如:糖果包裝、藥品膠囊包裝、佛像貼金、以及宮殿裝飾等等。
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