cvd

硅氧負(fù)極的工藝流程 CVD法的核心優(yōu)勢

從本質(zhì)上分析硅氧負(fù)極循環(huán)壽命更好的原理是：硅氧負(fù)極技術(shù)路線多用氧化亞硅，相較于單質(zhì)硅顆粒，氧化亞硅（SiOx）在鋰嵌入過程中發(fā)生的體積膨脹較小，其循環(huán)穩(wěn)...

2022-09-29 標(biāo)簽：CVD 1.2萬 0

集成電路芯片制造中的3種硅化物工藝介紹

為了降低接觸電阻和串聯(lián)電阻，在集成電路制造中引入了硅化物工藝，業(yè)界先后采用了可規(guī)模生產(chǎn)的 WSi2 、TiSi2、CoSi2、NiSi 等工藝。

2022-11-21 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻CVD集成電路芯片 8536 0

各種CVD材料介紹

Producer Black Diamond 3 系統(tǒng)設(shè)計(jì)為可與 應(yīng)用材料公司的 Producer Nanocure 3 UV 固化系統(tǒng)配合使用。Nan...

2023-05-25 標(biāo)簽：晶圓邏輯器件CVD 7083 0

刻蝕工藝基礎(chǔ)知識(shí)簡析

刻蝕速率是測量刻蝕物質(zhì)被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產(chǎn)量，因此刻蝕速率是一個(gè)重要參數(shù)。

2023-02-06 標(biāo)簽：晶圓SEM電子顯微鏡 6073 0

模擬硅基片上的UHV/CVD及硅生長

化學(xué)氣相沉積 (CVD) 能夠生產(chǎn)出兼具高質(zhì)量、高純度及高強(qiáng)度等優(yōu)點(diǎn)的材料，因此在半導(dǎo)體行業(yè)非常受歡迎。超高真空化學(xué)氣相沉積涉及相當(dāng)復(fù)雜的設(shè)備和極高的溫...

2018-06-02 標(biāo)簽：CVD硅基片 5099 0

磁場中的帶電粒子介紹

低頻功率時(shí)，離子所獲得的能量比在高頻功率獲得的能量稍高。低頻使離子有較多的反應(yīng)時(shí)間，所以能把離子加速到具有較高的能量，也因此能夠提供更多的能量在離子轟擊上。

2022-12-07 標(biāo)簽：電容耦合電磁場CVD 3266 0

等離子第一個(gè)電子是從哪里及如何產(chǎn)生的？

當(dāng)兩個(gè)電極通過射頻高電壓時(shí)，它們之間就產(chǎn)生一個(gè)交流電場。如果射頻功率足夠高，自由電子受到交流電場的影響被加速，直到獲得足夠的能量和反應(yīng)室中的原子或分子碰...

2022-11-21 標(biāo)簽：ICPCVD 2747 0

CVD過程中的等離子工藝

CVD過程中，不僅在晶圓表面出現(xiàn)沉積，工藝室的零件和反應(yīng)室的墻壁上也都會(huì)有沉積。

2022-12-27 標(biāo)簽：HDPCVD 2342 0

金剛石晶體的不同類型及應(yīng)用梳理

金剛石是我們都非常熟悉的超硬材料，人造金剛石晶體有多種不同的類型，大致可分為單形和聚形，每種類型都具有不同的特性和應(yīng)用。本文梳理了金剛石晶體的不同類型及應(yīng)用。

2024-01-02 標(biāo)簽：金剛石CVD 2099 0

等離子體刻蝕工藝簡介

鋁刻蝕可以使用多種不同的酸，其中最普遍的混合液是以磷酸(H3P04,80%)、醋酸(CH3COOH,5%)、硝酸(HN03,5%)和水(H20,10%)...

2023-02-17 標(biāo)簽：PVDICPCVD 2082 0

進(jìn)行MEMS制造的沉積方法

進(jìn)行MEMS制造的最基本需求是能夠沉積1到100微米之間的材料薄膜。NEMS的制造過程是基本一致的，膜沉積的測量范圍從幾納米到一微米。

2022-10-11 標(biāo)簽：memsNEMSPVD 1700 0