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標簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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伴隨著CPU, GPU等的性能進步和制程發(fā)展,主板的供電設(shè)計也迎來了更多的挑戰(zhàn),大電流、高效率、空間占用小、動態(tài)響應(yīng)快、保護更智能的需求使得傳統(tǒng)的采用分...
上一篇推文中我們已經(jīng)說了,驅(qū)動繼電器的時候,通常我們會采用三極管來配合單片機IO口。至于為什么不直接用單片機IO口驅(qū)動,非得加個三極管,在上一篇推文中我...
基于邏輯門的構(gòu)成解釋如何完成任意邏輯的管級電路設(shè)計
明白上述原因后,就可以理解輸出的高電平由上管決定,低電平由下管決定。為了保證在某一時刻,輸出只能為高電平或低電平,需要結(jié)合上下管,即當上管導通時,下管必...
1腳就是柵極,這個柵極就是控制極,在柵極加上電壓和不加上電壓來控制2腳和3腳的相通與不相通,N溝道的,在柵極加上電壓2腳和3腳就通電了,去掉電壓就關(guān)斷了...
2022-12-02 標簽:電路圖場效應(yīng)管MOS 3126 0
晶體管開關(guān)電路(工作在飽和狀態(tài))在現(xiàn)代電路設(shè)計應(yīng)用中很常見。經(jīng)典的74LS、74ALS和其他集成電路內(nèi)部使用晶體管開關(guān)電路,但它們只有共同的驅(qū)動能力。晶...
2022-11-28 標簽:開關(guān)電路晶體管MOS 3176 0
放大器設(shè)計:晶體管BJT的工作原理 MOS和BJT晶體管的區(qū)別
對于BJT晶體管,電流從一個基極到另一個發(fā)射極,決定了從集電極到發(fā)射極能流多少電流。 對于MOSFET晶體管,電壓柵極和源極之間的電流決定了有多少電流...
MOS在控制器電路中的工作狀態(tài):開通過程(由截止到導通的過渡過程)、導通狀態(tài)、關(guān)斷過程(由導通到截止的過渡過程)、截止狀態(tài)。
本章定性和定量分析MOS的電流IDS與柵源電壓VGS、漏源電壓VDS間的IV特性關(guān)系。NMOS的剖面結(jié)構(gòu)圖以及其電路符合如下圖所示,由柵極(G),漏極(...
RS瑞森半導體高壓MOS在開關(guān)電源中的應(yīng)用
瑞森高壓MOS采用新型橫向變摻雜技術(shù),專有功率MOS結(jié)構(gòu),高溫特性優(yōu)良,為開關(guān)電源開發(fā)提供最佳選擇。
2022-11-10 標簽:開關(guān)電源MOS 1810 0
mos雙向電平轉(zhuǎn)換電路_二極管電平轉(zhuǎn)換電路
電平轉(zhuǎn)換電路在電路設(shè)計中會經(jīng)常用到,市面上也有專用的電平轉(zhuǎn)換芯片,專用的電平轉(zhuǎn)換芯片主要是其轉(zhuǎn)換速度較快,多使用在速度較高的通訊接口,一般對速度要求不高...
2022-11-09 標簽:二極管MOS電平轉(zhuǎn)換電路 3208 0
使用SIC MOS的開發(fā)人員是越來越多,但驅(qū)動電壓到底選15V還是18V,每個人都有自己的理解,今晚聽許老師講SIC MOS驅(qū)動技術(shù),有些感悟分享給大家。
最近在公司碰到MOS驅(qū)動芯片損壞的問題,啃了一些資料后還算搞明白了點東西,來分享一些其中的基本原理吧。
MOS,即場效應(yīng)管,四端器件,S、D、G、B四個端口可以實現(xiàn)開和關(guān)的邏輯狀態(tài),進而實現(xiàn)基本的邏輯門。NMOS和PMOS具有明顯的對偶特性:NMOS高電平...
我們這里當然不是說規(guī)格書在挖坑,規(guī)格書的數(shù)據(jù)都是用儀器一個個測出來的,是剛正不阿的存在!
2022-10-17 標簽:電容數(shù)據(jù)MOS 3849 0
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