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標簽 > mos

mos

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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

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mos技術(shù)

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為什么大家都用三極管來配合單片機IO口驅(qū)動負載

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基于邏輯門的構(gòu)成解釋如何完成任意邏輯的管級電路設(shè)計

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MOS-半橋的功耗

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MOS晶體管開關(guān)電路設(shè)計與理論知識

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2022-11-28 標簽:開關(guān)電路晶體管MOS 3176 0

放大器設(shè)計:晶體管BJT的工作原理 MOS和BJT晶體管的區(qū)別

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MOS晶體管I-V特性

本章定性和定量分析MOS的電流IDS與柵源電壓VGS、漏源電壓VDS間的IV特性關(guān)系。NMOS的剖面結(jié)構(gòu)圖以及其電路符合如下圖所示,由柵極(G),漏極(...

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電平轉(zhuǎn)換電路在電路設(shè)計中會經(jīng)常用到,市面上也有專用的電平轉(zhuǎn)換芯片,專用的電平轉(zhuǎn)換芯片主要是其轉(zhuǎn)換速度較快,多使用在速度較高的通訊接口,一般對速度要求不高...

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SIC MOS驅(qū)動電壓15V和18V之辯

使用SIC MOS的開發(fā)人員是越來越多,但驅(qū)動電壓到底選15V還是18V,每個人都有自己的理解,今晚聽許老師講SIC MOS驅(qū)動技術(shù),有些感悟分享給大家。

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為了避免反復開關(guān)負載引起電源異常,那么一般就要增加快速放電電路。一個非常簡單的放電電路就是加一個對地開關(guān)MOS,當需要放電時,就打開MOS,不需要放電時...

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MOS自舉式驅(qū)動電路原理

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數(shù)字電路之MOS設(shè)計

MOS,即場效應(yīng)管,四端器件,S、D、G、B四個端口可以實現(xiàn)開和關(guān)的邏輯狀態(tài),進而實現(xiàn)基本的邏輯門。NMOS和PMOS具有明顯的對偶特性:NMOS高電平...

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常見的MOS驅(qū)動方式

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MOS規(guī)格書的選型及應(yīng)用

我們這里當然不是說規(guī)格書在挖坑,規(guī)格書的數(shù)據(jù)都是用儀器一個個測出來的,是剛正不阿的存在!

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5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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