轉(zhuǎn)變，不少專注GaN器件的Fabless公司正在 有著越來越大的影響力。 ? 器件設(shè)計 GaN器件設(shè)計根據(jù)類型我們可以分為三個部分，分別是：射頻、功率和光電子，這次主要關(guān)注的是射頻以及功率方面的應(yīng)用。 ? ? GaN射頻器件設(shè)計 GaN射頻器件主要可以分為三種：大
2022-07-18 01:59:45
4002 的功率密度。整板重量不足 230g。在穩(wěn)定的 950kHz 開關(guān)頻率下，可達(dá)到 97.6% 的峰值效率。 主要特色390V - 48V/1kW 高頻諧振轉(zhuǎn)換器諧振頻率為 950kHz，重量小于 210g
2018-10-26 10:32:18
使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來越多的高壓應(yīng)用提供功率。GaN更優(yōu)的開關(guān)能力意味著它可以用更少的器件更有效地轉(zhuǎn)換更高水平的功率，如圖1所示。GaN半導(dǎo)體能夠在交流/直流供電
2022-11-07 06:26:02
硅MOSFET功率晶體管多年來一直是電源設(shè)計的支柱。雖然它們?nèi)匀槐粡V泛使用，但是在一些新設(shè)計中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術(shù)的最新發(fā)展，以及改進(jìn)的GaN器件和驅(qū)動器電路
2017-05-03 10:41:53
效率耐高溫，允許使用較小的散熱器高度集成，允許在芯片上集成GaN HEMT（與硅材料不同）較少BOM材料，簡化設(shè)計方案，在電機驅(qū)動方案中GaN HEMT可以處理各種電流，而不需要IGBT所需的反向二極管
2019-07-16 00:27:49
GaN在單片功率集成電路中的工業(yè)應(yīng)用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
我想大多數(shù)聽眾都已經(jīng)了解了GaN在開關(guān)速度方面的優(yōu)勢，及能從這些設(shè)備中獲得的利益?？s小功率級極具吸引力，而更高的帶寬則更是錦上添花。電力工程師已考慮在正在開發(fā)的解決方案中使用GaN這一材料。既然如此
2022-11-16 08:05:34
所示），以證明GaN用于硬開關(guān)時完全合格。我們還在實際工作條件下運行部件，以確定并修復(fù)新發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)場故障機制。這使我們能證明GaN在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中是可靠的。圖1：符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的測試工具適用于感應(yīng)開關(guān)
2018-09-10 14:48:19
。碳化硅與Si相比，SiC具有： 1.導(dǎo)通電阻降低兩個數(shù)量級2.電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的功率損耗較少3.更高的熱導(dǎo)率和更高的溫度工作能力4.由于其物理特性固有的材料優(yōu)勢而提高了性能 SiC在600 V和更高
2022-08-12 09:42:07
。GaN器件尤其在高頻高功率的應(yīng)用領(lǐng)域體現(xiàn)了其獨特的優(yōu)勢，其中，針對GaN功率器件的性能特點，該器件可被用于適配器、DC-DC轉(zhuǎn)換、無線充電、激光雷達(dá)等應(yīng)用場合。
圖1 半導(dǎo)體材料特性對比
傳統(tǒng)的D類
2023-06-25 15:59:21
”就是把手機收起來的意思；最后，我們終于可以起飛了。我們的行業(yè)發(fā)言人已經(jīng)宣布，“GaN已經(jīng)為黃金時間做好了準(zhǔn)備?！边@個聲明似乎預(yù)示著GaN已經(jīng)為廣泛使用做好準(zhǔn)備，或者說在大量的應(yīng)用中，已經(jīng)可以使用GaN
2018-09-06 15:31:50
產(chǎn)生過度加熱部位和過度烹飪的結(jié)果。烹飪應(yīng)用中的射頻能量在固體器件中，射頻的頻率、振幅、相位、脈沖寬度和調(diào)制度全部可以進(jìn)行精確的控制。通過對射頻功率放大器和射頻合成器之間的閉環(huán)控制，其反饋回路能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">射頻
2017-04-05 10:56:33
固態(tài)子系統(tǒng)在這種微波爐的應(yīng)用中，其固態(tài)射頻發(fā)生器這種子系統(tǒng)應(yīng)包括以下組成單元︰處于單片機同一位置的小信號發(fā)生器附有熱沉的大功率放大器功率電源此系統(tǒng)的框圖如上圖所示?！?b class="flag-6" style="color: red">射頻輸出”通過 RF 發(fā)射頭進(jìn)入
2017-04-06 16:50:08
本帖最后由 刺客508 于 2017-4-18 15:03 編輯
可靠性和成本效益比較長的工作壽命在烹飪和加熱應(yīng)用中，射頻功率晶體管具有比磁控管長得多的工作壽命。磁控管典型的總工作壽命一般為
2017-04-17 18:19:05
的80%。除了在常規(guī)波爐中應(yīng)用以外，這種射頻能量器件所具有的緊湊外形尺寸，將會產(chǎn)生大量創(chuàng)新應(yīng)用的機遇。例如在亞洲，電飯煲具有無處不在需求，固體器件可以應(yīng)用于較小外形尺寸的新型桌上型炊具中，其他具有創(chuàng)新性理念的應(yīng)用還包括有車內(nèi)使用的迷你型微波爐，或徒步旅行者和游客使用的緊湊型炊具等。
2017-04-18 15:02:44
效率、緊湊尺寸和可靠性等方面取得恰當(dāng)?shù)钠胶猓?b class="flag-6" style="color: red">在價格上能與 LDMOS器件相媲美，才能進(jìn)入到主流的市場應(yīng)用中。固態(tài)器件的優(yōu)勢MACOM公司的硅上GaN 技術(shù)是所有這些射頻能量應(yīng)用的理想選擇，它能
2017-05-01 15:47:21
— 價格和效率抑制了增長在上世紀(jì)70 年代早期，磁控管首先在微波爐中進(jìn)入了廣泛的商業(yè)應(yīng)用，但整個射頻能量市場的發(fā)展相對還比較緩慢。如今，已經(jīng)有了各種各樣的應(yīng)用，包括在工業(yè)和消費的烹飪、干燥、照明
2017-04-05 10:50:35
上要優(yōu)于傳統(tǒng)的磁控管，包括在烹調(diào)過程中能對爐內(nèi)的射頻功率電平和射頻能量投射方向進(jìn)行更高的精度的控制。而今的微波爐對其功率電平或射頻能量的投射方向缺乏必要的有效控制能力，這將導(dǎo)致產(chǎn)生過度加熱部位和過度烹飪的結(jié)果。那么大家知道GaN是如何轉(zhuǎn)換射頻能量的？如何在烹飪中的應(yīng)用的嗎？
2019-07-31 06:04:54
晶體管與其驅(qū)動器集成在一起（圖1b）可以消除共源電感，并且極大降低驅(qū)動器輸出與GaN柵極之間的電感，以及驅(qū)動器接地中的電感。在這篇文章中，我們將研究由封裝寄生效應(yīng)所引發(fā)的問題和限制。在一個集成封裝內(nèi)
2018-08-30 15:28:30
就可以將更多的主板裝入給定的機架中，最大限度地提高數(shù)據(jù)中心吞吐量和性能。在圖1所示的典型電信電源系統(tǒng)中，48VDC輸入電壓必須進(jìn)一步降低到中間母線電壓（在此例中為3.3V），然后用一個或多個降壓
2019-07-29 04:45:02
異步起動永磁同步電動機是怎樣實現(xiàn)自起動的？并網(wǎng)運行的同步發(fā)電機是怎樣調(diào)節(jié)無功功率的？在同步電機中怎樣才能實現(xiàn)機電能量轉(zhuǎn)換呢？
2021-10-22 09:08:53
`網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施與反導(dǎo)雷達(dá)等領(lǐng)域都要求使用高性能高功率密度的射頻器件，這使得市場對于射頻氮化鎵（GaN）器件的需求不斷升溫。舉個例子，現(xiàn)在的無線基站里面，已經(jīng)開始用氮化鎵器件取代硅基射頻器件，在
2016-08-30 16:39:28
能量采集是實現(xiàn)低功耗電子器件(如無線傳感器)長期免維護工作的一項關(guān)鍵技術(shù)。通過捕獲環(huán)境中的多余能量(如照明、溫差、振動和無線電波(射頻能量))，完全可以讓低功耗電子器件正常工作。在這些微功率能源中
2019-07-04 08:02:48
高速和射頻電路有何差異？什么是射頻電路？隨著頻率的升高，相應(yīng)的電磁波波長變得可與分立電路元件的尺寸相比擬時，電路上的導(dǎo)線、電阻、電容和電感這些元件的電響應(yīng)開始偏移其理想頻率特性。一般將射頻定義在30
2019-07-08 08:02:55
Zhang則表示：“與之前的半導(dǎo)體工藝相比，GaN的優(yōu)勢在更高的功率密度及更高的截止頻率。在5G高集成的Massive MIMO應(yīng)用中，它可實現(xiàn)高集成化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。在毫米波應(yīng)用上，GaN
2019-12-20 16:51:12
（包括射頻）用于生物治療的理論基礎(chǔ)。到目前為止,醫(yī)用射頻已有近 80 年的歷史, 但射頻在美容整形醫(yī)學(xué)中的應(yīng)用是本世紀(jì)的事情。1 射頻的作用機制1.1 射頻物理作用射頻設(shè)備的分類主要是根據(jù)電極的幾何
2021-12-22 14:58:32
能力和相關(guān)電路喚醒。直流/直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計面臨著進(jìn)一步的挑戰(zhàn)。收獲的能量通常以一種難以使用的形式。雖然在一個相對較高的電壓，壓電和靜電收割機通常操作，大多數(shù)能量捕獲技術(shù)產(chǎn)生的電壓低于1 V為例，小的光
2016-03-01 18:26:40
`現(xiàn)在的原件在進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換的時候通常伴隨著非常可惜的能量損失，能不能對現(xiàn)有的原件進(jìn)行行而有效地革新，從而達(dá)到節(jié)能高效的目的`
2012-07-31 16:15:23
的系統(tǒng)。所有這些任務(wù)都必須在極低的電源功率條件下實現(xiàn)，以便系統(tǒng)能夠采用小型采集器或傳感器。這些功能高度集成在DC-DC轉(zhuǎn)換器中，有助于降低這類任務(wù)所需的電能。圖1中的系統(tǒng)顯示了一個用于無線環(huán)境傳感器
2018-11-01 10:44:36
Flex電源模塊（Flex Power Modules）宣布推出其DC-DC轉(zhuǎn)換器系列中的最新型號PKB4216HDPI，旨在用于電信市場領(lǐng)域的射頻功率放大器（RFPA）應(yīng)用。繼最近推出的750W
2020-10-30 06:17:55
演示測試版，2017年秋季開始供貨MACOM 近日宣布推出一款開發(fā)工具包，旨在幫助商業(yè)OEM快速、輕松地調(diào)整其產(chǎn)品設(shè)計，以將基于氮化鎵的射頻能量源融合到烹飪、照明、工業(yè)加熱/烘干、醫(yī)療/制藥和汽車點火
2017-08-03 10:11:14
材料和裸片焊接方法，有效消除了Si相對SiC在襯底中15%到30%的導(dǎo)熱性差異。Doherty功率放大器結(jié)構(gòu)因為高回退效率而被廣泛采用，但由于其引入非線性失真，會導(dǎo)致信號放大的失真問題。這可以通過數(shù)字預(yù)
2017-08-30 10:51:37
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
的地方找到用武之地。因為它能夠在保持或提升效率的同時，使電源更小巧。目前，GaN正被設(shè)計用于電子電源中，電子電源將電力在交流和直流形式間進(jìn)行轉(zhuǎn)換，改變電壓電平，并執(zhí)行一定的功能來確保潔凈電能的可用性
2018-09-11 14:04:25
設(shè)計的生態(tài)系統(tǒng)。GaN將在電源密集的地方找到用武之地。因為它能夠在保持或提升效率的同時，使電源更小巧。目前，GaN正被設(shè)計用于電子電源中，電子電源將電力在交流和直流形式間進(jìn)行轉(zhuǎn)換，改變電壓電平，并執(zhí)行一定的功能
2018-09-10 15:02:53
認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應(yīng)用都表現(xiàn)出色！帥呆了！至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN之間有什么區(qū)別？
2019-07-31 07:54:41
方形，通過兩個晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
）。因此，硅注入毫無疑問對ITO和GaN材料之間形成歐姆接觸非常有利?！ 」ぷ骶w管 為了測試這種方法，我們將透明的源極和漏極歐姆接觸技術(shù)應(yīng)用到了真正的氮化鎵晶體管上，其設(shè)計如圖1所示。在這些器件中
2020-11-27 16:30:52
什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰(zhàn)？
2021-05-06 07:52:03
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
漏感能量損耗，限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關(guān)頻率，從而限制了功率密度。在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計中實現(xiàn)更高
2022-04-12 11:07:51
漏感能量損耗，限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關(guān)頻率，從而限制了功率密度。在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計中實現(xiàn)更高
2022-06-14 10:14:18
實現(xiàn)的，該FET具有2.2 mΩ R上額定峰值直流電流為 90 A。兩相設(shè)計還降低了電感器所需的額定電流。 圖1： 采用eGaN FET的兩相雙向轉(zhuǎn)換器的簡化原理圖?！ ?b class="flag-6" style="color: red">在該設(shè)計中，電感值和開關(guān)
2023-02-21 15:57:35
。因此，在整個美國，由于服務(wù)器用電源轉(zhuǎn)換造成的總浪費電量為330億千瓦時，這幾乎相當(dāng)于十幾個發(fā)電廠產(chǎn)出的電量。但是，服務(wù)器場中浪費的總電量更多，因為通過電源轉(zhuǎn)換的每瓦功率損耗實際上是被轉(zhuǎn)換成熱能的能量，而
2018-08-29 15:10:47
符合嚴(yán)格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）替代技術(shù)。固態(tài)射頻能量技術(shù)具有從生活消費品到工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療系統(tǒng)及基礎(chǔ)設(shè)施的全方位優(yōu)勢，有望在未來撼動
2018-08-21 10:57:30
對磁控管是個很好地補充和優(yōu)化。通過使用RF能量代替磁控管，我們可以在微波爐中實現(xiàn)固態(tài)、高度可控的烹飪。微波爐內(nèi)的旋轉(zhuǎn)盤不需要均勻分配熱量。相反，微波爐可以通過程序設(shè)定以不同能量的特定區(qū)域，最終產(chǎn)生更徹底
2018-08-06 10:44:39
和電機控制中。他們的接受度和可信度正在逐漸提高。（請注意，基于GaN的射頻功放或功放也取得了很大的成功，但與GaN器件具有不同的應(yīng)用場合，超出了本文的范圍。）本文探討了GaN器件的潛力，GaN和MOSFET器件的不同，GaN驅(qū)動器件成功的關(guān)鍵并介紹了減小柵極驅(qū)動環(huán)耦合噪聲技術(shù)。
2019-06-21 08:27:30
GaN PA 設(shè)計？）后，了解I-V 曲線（亦稱為電流-電壓特性曲線）是一個很好的起點。本篇文章探討I-V 曲線的重要性，及其在非線性GaN 模型（如Modelithics Qorvo GaN 庫里的模型）中的表示如何精確高效的完成GaN PA中的I-V曲線設(shè)計？
2019-07-31 06:44:26
氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng)，因為頻率越高，氮化鎵的優(yōu)勢越明顯。那對于手機來說射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
如圖所示，其中Vref=2Vcm,由1轉(zhuǎn)換到2的開關(guān)功耗求出是-0.5Vref^2*C，開關(guān)轉(zhuǎn)換不消耗能量反而產(chǎn)生能量，求大神指導(dǎo)??！我按照能量公式也算出了負(fù)的能量，相當(dāng)于給電壓源充電。是不是可以
2021-06-24 07:29:39
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應(yīng)用為工業(yè)市場帶來重大變革。以前分享過氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過程，接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28
我們在“日常生活中的微波射頻能量”系列此前的技術(shù)知識分享中有提到氮化鎵(GaN)技術(shù)在固態(tài)烹飪和等離子照明應(yīng)用中的諸多優(yōu)勢以及普遍認(rèn)為的氮化鎵將對商業(yè)和工業(yè)市場產(chǎn)生變革的影響。在談?wù)撏黄菩缘陌雽?dǎo)體
2017-12-27 10:48:11
固態(tài)等離子燈由微波射頻能量供電，等離子體照明通常也稱為發(fā)光等離子體(LEP)，正快速發(fā)展成為主流技術(shù)，即將取代眾多應(yīng)用中的LED和高壓氣體放電(HID)照明，在這些應(yīng)用中，等離子照明的性能優(yōu)于傳統(tǒng)
2018-02-07 10:15:47
兼容基于射頻等離子的照明技術(shù)，無需改裝。無論在洛杉磯還是世界各地，我們都可以從超精確的照明中帶來巨大的節(jié)能效益！將等離子照明中的射頻能量與氮化鎵技術(shù)相結(jié)合，其價值近乎無窮。關(guān)于MACOMMACOM是一家
2017-12-14 10:24:22
微波射頻在生活中的應(yīng)用有哪些方面？ 1.網(wǎng)絡(luò)通信，信號覆蓋以及信息溝通?！ ?.微波射頻能產(chǎn)生均勻的能量，也用于烹飪或者加熱食物 3.因為微波射頻產(chǎn)生的能量可控，可用于穩(wěn)定照明?！ ?.在人體健康方面也有相關(guān)應(yīng)用。
2022-03-30 13:51:57
熱應(yīng)用。固態(tài)射頻晶體管能夠產(chǎn)生超精確、可控且響應(yīng)迅速的能量場，使射頻能量能夠精確、合理地分布，從而按照精確規(guī)范將食物加熱到理想狀態(tài)。例如，在小分量的典型烹飪食譜中，MACOM的硅基氮化鎵300W晶體管可在
2017-11-15 10:08:05
網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，目前已得到了廣泛應(yīng)用。但是采用傳統(tǒng)供電模式的傳感器節(jié)點一旦電池耗盡需要重新更換電池，如果傳感器節(jié)點大量分布，人工更換電池所需的工作將不容忽視。隨著超低功耗芯片技術(shù)的越發(fā)成熟，收集周圍環(huán)境中的無線射頻能量提供電能成為一種有效可行的新型能源供應(yīng)模式。
2019-08-13 06:53:48
。相反，我們談?wù)摰氖俏覀兛梢詮墓卜?wù)中收集到的能量。在城市和人口密集地區(qū)，有大量的射頻源，如廣播電臺和電視臺、移動電話基站和無線網(wǎng)絡(luò)。人們有可能收集它們的部分能量，并將其轉(zhuǎn)化為有用的能量。圖1
2022-04-29 17:11:19
，射頻能量收集元件的最大理論功率為7.0 μW 和1.0 μW，自由空間距離為40m。在自由空間以外的環(huán)境中，信號的路徑損耗是不同的。表 1 顯示了不同的頻譜及其特殊的應(yīng)用。不同的頻段有不同的應(yīng)用，圖1
2021-12-28 09:53:09
數(shù)據(jù)中心應(yīng)用服務(wù)器電源管理的直接轉(zhuǎn)換。 此外，自動駕駛車輛激光雷達(dá)驅(qū)動器、無線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡(luò)線跟蹤等應(yīng)用可從GaN技術(shù)的效率和快速切換中受益?！ ?b class="flag-6" style="color: red">GaN功率器件的傳導(dǎo)損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
35年多來，功率MOSFET一直在低功率到中功率范圍內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。這得到了元件結(jié)構(gòu)和相關(guān)半導(dǎo)體技術(shù)不斷創(chuàng)新的支持?？焖匍_關(guān)特性和低損耗以及各種電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的易用性也有
2023-02-27 15:53:50
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN
2018-08-17 09:49:42
信號集成到固件中。
正確驅(qū)動LMG5200 GaN功率級
LMG5200 GaN半橋功率級對于其輸入信號有特別的需要。我已經(jīng)在上一篇博文中詳細(xì)介紹了這些信號。關(guān)鍵是創(chuàng)建2個相反的PWM信號。在特定點上
2018-08-31 07:15:04
描述這個教學(xué)演示了一個原型，它通過天線收集周圍環(huán)境的射頻輻射來收集能量。該電路放置在 Wi-Fi、手機等射頻發(fā)射源附近時，會從周圍收集射頻能量并將其轉(zhuǎn)換為直流電荷，存儲在超級電容器中，然后用于低壓應(yīng)用。
2022-08-31 06:13:08
毫微功耗級別時，選擇就變得有限了。幸運的是，目前已經(jīng)有了可供設(shè)計師選擇的功率轉(zhuǎn)換和電池充電解決方案，其低于 1μA 的靜態(tài)電流可延長低功率傳感器以及新一代 WSN 中持續(xù)運作電路的電池壽命
2016-02-23 15:09:39
串聯(lián)放置。圖1所示為實現(xiàn)此目的的兩種不同配置：共源共柵驅(qū)動和直接驅(qū)動?，F(xiàn)在，我們將對比功耗，并描述與每種方法相關(guān)的警告所涉及的問題。在共源共柵配置中，GaN柵極接地，MOSFET柵極被驅(qū)動，以控制
2023-02-14 15:06:51
GaAs功率放大器雖然能滿足高頻通信的需求，但其輸出功率比GaN器件遜色很多。然而，在移動終端領(lǐng)域GaN射頻器件尚未開始規(guī)模應(yīng)用，原因在于較高的生產(chǎn)成本和供電電壓。GaN將在高功率，高頻率射頻市場發(fā)揮
2019-04-13 22:28:48
耐受高電壓或承受大電流的半導(dǎo)體分立器件，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。在功率半導(dǎo)體的發(fā)展路徑中，功率半導(dǎo)體從結(jié)構(gòu)、制程、技術(shù)、工藝、集成化、材料等各方面進(jìn)行了全面提升，其演進(jìn)的主要
2021-12-01 13:33:21
未轉(zhuǎn)換為射頻輸出功率的直流加載電源將作為熱量耗散（除非晶體管的效率為100%）。· 因此，GaN 晶體管變得非常熱，熱管理成為重要的設(shè)計考慮因素。幸運的是，碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC) 能夠
2018-08-04 14:55:07
ADuM4121評估板當(dāng)隔離式柵極驅(qū)動器用在高速拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中時，必須對其正確供電以保持其性能水平。ADI公司的LT8304/LT8304-1是單芯片、微功耗、隔離式反激轉(zhuǎn)換器。這些器件從原邊反激式波形直接對隔離
2018-10-22 17:01:41
，以將基于氮化鎵的射頻能量源融合到烹飪、照明、工業(yè)加熱/烘干、醫(yī)療/制藥和汽車點火系統(tǒng)等各種應(yīng)用之中。商業(yè)OEM將固態(tài)射頻能量作為高效、精確的能源，可使未來幾代產(chǎn)品實現(xiàn)全新的性能水平和承受能力。
2017-06-12 15:58:571001 當(dāng)今射頻能量的最大潛在市場之一是在烹飪和加熱方面的應(yīng)用?，F(xiàn)在全球每年微波爐的制造產(chǎn)量遠(yuǎn)超7000 萬臺，從低成本的消費類產(chǎn)品到高端的專業(yè)和工業(yè)加熱爐，它的產(chǎn)品類型跨度很廣。
2019-03-07 10:51:04450 
鎵(Ga)是一種化學(xué)元素，原子序數(shù)為31。鎵在自然界中不存在游離態(tài)，而是鋅和鋁生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)品。 GaN 化合物由鎵原子和氮原子排列構(gòu)成，最常見的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。GaN-on-SiC在射頻
2017-11-22 10:41:028545 能量采集是實現(xiàn)低功耗電子器件(如無線傳感器)長期免維護工作的一項關(guān)鍵技術(shù)。通過捕獲環(huán)境中的多余能量(如照明、溫差、振動和無線電波(射頻能量))，完全可以讓低功耗電子器件正常工作。在這些微功率能源
2017-11-24 10:14:317533 
半導(dǎo)體RF能量讓烹飪電器制造商有機會打造差異化的烹飪電器產(chǎn)品。結(jié)合新興餐飲服務(wù)，這些電器可以為消費者提供更好的便捷性，同時提供一致的烹飪效果。本次會議將介紹半導(dǎo)體RF烹飪的關(guān)鍵技術(shù)、優(yōu)勢及其如何結(jié)合IoT技術(shù)來提供更大差異化優(yōu)勢。
2018-06-28 18:45:002935 固態(tài)RF功率器件可以實現(xiàn)烹飪產(chǎn)品的功率調(diào)節(jié)和高能效。這需要設(shè)計師對尺寸、成本和性能作綜合考慮。本次會議將介紹恩智浦推出的一款可擴展功率模塊，它可快速的集成到烹飪產(chǎn)品中，簡化系統(tǒng)設(shè)計，實現(xiàn)產(chǎn)品的功率擴展。
2018-06-28 18:43:003506 半導(dǎo)體RF能量讓烹飪電器制造商有機會打造差異化的烹飪電器產(chǎn)品。結(jié)合新興餐飲服務(wù)，這些電器可以為消費者提供更好的便捷性，同時提供一致的烹飪效果。本次會議將介紹半導(dǎo)體RF烹飪的關(guān)鍵技術(shù)、優(yōu)勢及其如何結(jié)合IoT技術(shù)來提供更大差異化優(yōu)勢。
2018-06-28 10:47:002898 在現(xiàn)今人工智能的時代，智能、連接、可編程的烹飪設(shè)備即將上市，利用有關(guān)電器的數(shù)字化為消費者提供便利性的烹飪優(yōu)勢。而RF無線射頻應(yīng)用在烹飪領(lǐng)域，意味著“吃貨”的春天已經(jīng)來了。
2018-08-31 17:46:001265 
典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環(huán)節(jié)：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。
2018-10-26 17:33:0610616 當(dāng)今射頻能量的最大潛在市場之一是在烹飪和加熱方面的應(yīng)用。現(xiàn)在全球每年微波爐的制造產(chǎn)量遠(yuǎn)超7000 萬臺，從低成本的消費類產(chǎn)品到高端的專業(yè)和工業(yè)加熱爐，它的產(chǎn)品類型跨度很廣。射頻功率晶體管在許多性能
2020-09-29 10:44:00
0 氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙材料，在高功率射頻 (RF) 應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。
2021-07-05 14:46:502779 
能量收集或能量收集的概念是一種使用不同方法從外部環(huán)境收集能量的技術(shù)，包括熱電轉(zhuǎn)換、振動激發(fā)、太陽能轉(zhuǎn)換、壓力梯度和射頻信號。射頻無線能量收集為更換電池或延長電池壽命提供了巨大的潛力。目前，電池為大多數(shù)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備供電，包括可穿戴設(shè)備。電池的尺寸有限，從而限制了它們的使用壽命并需要定期更換。
2022-08-09 09:07:281867 
文章來源：新華網(wǎng) 老板電器高級副總裁何亞東在接受采訪時表示，用科技助力烹飪，降低烹飪門檻。老板電器認(rèn)為數(shù)字烹飪能夠降低烹飪的門檻，讓更多人有意愿、有動力走進(jìn)廚房。同時，也可以增加烹飪的參與感，讓家人
2022-09-08 10:38:08237 采用GaN實現(xiàn)48V至POL單級轉(zhuǎn)換
2022-11-02 08:16:162
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