從ARM ELF目標(biāo)文件主要構(gòu)成出發(fā)，詳細(xì)介紹了分散加載的基本原理、分散加載文件的語法、分散加載時(shí)連接器生成的預(yù)定義符號(hào)及要重新實(shí)現(xiàn)的函數(shù)等；以定位目標(biāo)外設(shè)和定義超大型結(jié)構(gòu)體數(shù)組兩項(xiàng)應(yīng)用來加以說明
2011-05-04 16:09:46
出現(xiàn)上述情況。計(jì)算損耗是一個(gè)迭代過程。在每一次迭代計(jì)算IC功率損耗時(shí)，都需要評(píng)估結(jié)溫和相應(yīng)的RDSON，以得到精確的效率結(jié)果。WEBENCH Power Designer能很好的處理這一過程；還能顯示被動(dòng)元件
2018-08-30 14:59:56
在本系列最后一期文章中，我將討論DC/DC穩(wěn)壓器元件的傳導(dǎo)損耗。傳導(dǎo)損耗是由設(shè)備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC變換器中的傳導(dǎo)產(chǎn)生的。傳導(dǎo)損耗與占空比有直接關(guān)系。當(dāng)電流較高一側(cè)的MOSFET打開后
2022-11-16 06:30:24
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。
2020-03-24 09:01:13
? 1、功率損耗的原理圖和實(shí)測(cè)圖 一般來說，MOS管開關(guān)工作的功率損耗原理圖如圖1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過程”和“關(guān)閉過程”，小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”，而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以
2018-11-09 11:43:12
直流傳導(dǎo)損耗采用理想組件(導(dǎo)通狀態(tài)下零壓降和零開關(guān)損耗)時(shí)，理想降壓轉(zhuǎn)換器的效率為100%。而實(shí)際上，功耗始終與每個(gè)功率元件相關(guān)聯(lián)。SMPS中有兩種類型的損耗：直流傳導(dǎo)損耗和交流開關(guān)損耗。降壓轉(zhuǎn)換器的傳導(dǎo)損耗主要來自于晶體管Q1、二極管D1和電感L在傳導(dǎo)電流時(shí)產(chǎn)生的壓降。為...
2021-10-29 06:18:15
/電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)包括消減待機(jī)功耗在內(nèi)的節(jié)能目標(biāo)。在這種背景下，削減功率轉(zhuǎn)換時(shí)產(chǎn)生的能耗是當(dāng)務(wù)之急。不用說，必須將超過Si極限的物質(zhì)應(yīng)用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開關(guān)損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
交流電機(jī)的堵轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)矩是否為電機(jī)的轉(zhuǎn)矩極限，此時(shí)，電機(jī)輸出功率如何計(jì)算，是否為電機(jī)最大功率
2023-12-12 07:17:20
功率晶體管的功率適用范圍為什么是由它的安全工作區(qū)（SOA）來決定的？影響SOA功耗及散熱器的因素有哪些？你知道功率放大器的使用極限在哪里嗎？
2021-04-14 06:38:16
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
和計(jì)算開關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過程和自然零電壓關(guān)斷過程的實(shí)際過程，以便電子工程師了解哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關(guān)損耗1，通過過程中的MOSFET開關(guān)損耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。 01與功率
2020-08-27 08:07:20
要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論?！ ∨c功率
2023-03-16 16:37:04
電磁感應(yīng)加熱的原理是什么？有什么方法可以將電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的IGBT功率損耗降至最低嗎？
2021-05-10 06:41:13
功率MOSFET的Coss會(huì)產(chǎn)生開關(guān)損耗，在正常的硬開關(guān)過程中，關(guān)斷時(shí)VDS的電壓上升，電流ID對(duì)Coss充電，儲(chǔ)存能量。在MOSFET開通的過程中，由于VDS具有一定的電壓，那么Coss中儲(chǔ)能
2017-03-28 11:17:44
規(guī)定，例如美國聯(lián)邦通信委員會(huì)(FCC)制定的通信標(biāo)準(zhǔn)。但在“不受管制”系統(tǒng)中，比如雷達(dá)和電子戰(zhàn)(EW)平臺(tái)中，限制主要來自于系統(tǒng)中的電子元件。每個(gè)元件都有一個(gè)最大的功率極限，不管是有源器件(如放大器
2017-06-20 10:21:59
它能處理多大的功率？這是對(duì)發(fā)射機(jī)中的大多數(shù)元件不可避免要問的一個(gè)問題，而且通常問的是無源元件，比如濾波器、耦合器和天線。但隨著微波真空管（如行波管（TWT））和核心有源器件（如硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物
2019-06-21 08:03:27
要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。 與功率開關(guān)
2020-08-07 08:06:08
控雙極性晶體管IGBTIGBT晶體管是集GP與MOSFET二者優(yōu)點(diǎn)于一體的復(fù)合器件，既有MOSFET輸入阻抗高、速度快、開關(guān)損耗小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、要求驅(qū)動(dòng)功率小、極限工作溫度高、易驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn)穩(wěn)定運(yùn)行直流
2018-11-27 11:04:24
IC
功率損耗時(shí)，都需要評(píng)估結(jié)溫和相應(yīng)的RDSON，以得到精確的效率結(jié)果。WEBENCH Power Designer能很好的處理這一過程；還能顯示被動(dòng)
元件損耗的計(jì)算結(jié)果。了解這些
損耗是非常重要的，因?yàn)?/div>
2018-06-07 10:17:46
功率器件損耗主要分為哪幾類？什么叫柵極電荷？開關(guān)損耗和柵極電荷有什么關(guān)系？
2021-06-18 08:54:19
5、無源元件損耗??我們已經(jīng)了解MOSFET 和二極管會(huì)導(dǎo)致SMPS 損耗。采用高品質(zhì)的開關(guān)器件能夠大大提升效率，但它們并不是唯一能夠優(yōu)化電源效率的元件。圖1 詳細(xì)介紹了一個(gè)典型的降壓型轉(zhuǎn)換器IC
2021-12-31 06:19:44
1、摘要通帶插入損耗是無源射頻器件（如濾波器，發(fā)射合路器，電纜）的重要指標(biāo)。而用常見的單臺(tái)功率計(jì)輸入輸出測(cè)試法卻不能獲得準(zhǔn)確的結(jié)果。本文解釋了產(chǎn)生誤差的原因，并描述了一種在工程中極為實(shí)用的雙功率計(jì)
2019-06-10 07:53:22
,并且有過,欠電壓保護(hù)功能。 另外,還裝配監(jiān)視用的電壓表,電流表,功率因數(shù)表和信號(hào)指示燈等.。除了用改變電力網(wǎng)參數(shù)來減少電壓損耗以外，改變電壓損耗的另一個(gè)重要方面是改變電網(wǎng)元件中傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">功率。即改變表達(dá)式
2016-12-12 18:51:49
隨著電動(dòng)汽車 （EV） 制造商之間在開發(fā)成本更低、行駛里程更長(zhǎng)的車型方面的競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力，這可以提高行駛里程并提供競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。效率與較低
2022-11-02 12:02:05
香蕉派USB口極限功率測(cè)試。本帖最后由 FishX 于 2014-8-8 18:41 編輯測(cè)試工具以及連接順序如下（可惜手機(jī)壞了，無法拍照，幸好有SSH截圖為證）：PHILIPS插排 → 北電海盜版
2014-08-16 10:55:34
(絕緣柵雙極型晶體管)—傳統(tǒng)開關(guān)逆變器（現(xiàn)代電動(dòng)機(jī)控制的關(guān)鍵元件）的基礎(chǔ)—正在努力滿足這方面的需求。然而功率密度和擊穿電壓閾值有限，這就限制了驅(qū)動(dòng)電壓，高頻操作的快速開關(guān)會(huì)增加功率損耗，造成的結(jié)果是
2019-07-16 20:43:13
POWERPCB元件制作詳解
非常詳細(xì)的介紹了其對(duì)應(yīng)功能，是份不錯(cuò)的資料
2006-03-12 01:24:50
0 本文針對(duì)傳統(tǒng)功率追蹤法的不足，給出了線路和變壓器元件上的復(fù)功率損耗分配計(jì)算的方法，推導(dǎo)了具有多條等值支路的電力元件的復(fù)功率損耗分配算法，提出了一種適用任意結(jié)構(gòu)
2009-05-30 14:22:2510 通過對(duì)磁性元件的損耗分析，構(gòu)建了總損耗模型，該模型的磁芯損耗考慮了波形因素，銅損耗考慮了高頻率對(duì)損耗的影響，用交流電阻損耗代替直流損耗，使得總損耗計(jì)算值更接近
2009-10-16 09:37:1737 儀器介紹： DZ3600炭黑分散度檢測(cè)儀是針對(duì)聚烯烴管材、管件和混配料中顏料或炭黑分散的檢測(cè)儀器。 測(cè)試原理：
2022-12-29 11:06:00
電熱元件功率的計(jì)算在業(yè)余制作或維修時(shí)，經(jīng)常要與一些發(fā)熱元件打交道。其工作電壓（220V）的3倍時(shí)，則電熱元件必須采用星形連接。當(dāng)電
2009-08-13 15:43:27
2204 
理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并
2009-10-25 15:30:593320 晶體管的極限參數(shù)
以下介紹晶體管的主要極限參數(shù)。晶體管所能承受的電壓、功率耗散以及所通過的電流都是有一定限度的，當(dāng)其超過額定值時(shí)，
2010-01-26 08:54:036887 變頻損耗,變頻損耗是什么意思
frequency conversion loss
信號(hào)經(jīng)過變頻器變頻后的功率損失。在接收機(jī)中變頻損
2010-03-22 16:12:472512 今天我們來討論下電源電路中磁性元件的損耗。
電源中的磁性元件一般就是指電感與變壓器，這里我們這
2010-12-13 11:26:553620 
電子資料論文：基于IGBT功率逆變器損耗準(zhǔn)建模方法
2016-07-06 15:14:4727 工程師需要在系統(tǒng)設(shè)計(jì)過程中，精確的計(jì)算出不同的數(shù)值，并采取相應(yīng)措施減少無功損耗。這里將會(huì)通過雙向型DC-DC變換器的功率開關(guān)元件損耗計(jì)算及對(duì)續(xù)流二極管的損耗產(chǎn)生原因分析，為工程師詳細(xì)介紹其損耗數(shù)值的計(jì)算方式。
2016-11-05 09:53:124582 
交錯(cuò)反激微功率光伏并網(wǎng)逆變器損耗分析_王小彬
2016-12-15 19:30:580 歡迎回到DC/DC變換器數(shù)據(jù)表博客系列。在本系列最后一期文章中，我將討論DC/DC穩(wěn)壓器元件的傳導(dǎo)損耗。 傳導(dǎo)損耗是由設(shè)備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC變換器中的傳導(dǎo)產(chǎn)生的。傳導(dǎo)損耗與占空比有直接關(guān)系。當(dāng)電流較高一側(cè)的MOSFET打開后，負(fù)載電流就會(huì)從其中通過。
2017-04-18 08:59:111180 
當(dāng)電流流過電路時(shí)，部分電能將被轉(zhuǎn)換成熱能。處理足夠大電流的電路將發(fā)熱——特別是在電阻高的地方，如分立電阻。對(duì)電路或系統(tǒng)設(shè)定功率極限的基本思路是利用低工作溫度防止任何可能損壞電路或系統(tǒng)中元件或材料的溫升，例如印刷電路板中使用的介電材料。
2017-09-15 10:36:053 分散是至少兩種互不相溶或者難以相溶且不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的物質(zhì)的混合過程。其原理有三大 步驟：1、先潤(rùn)濕固體顆粒表面（低速攪拌）；2、通過機(jī)械打散締合顆粒（打破約束力）；3 最后獲得更穩(wěn)定更小的微粒
2017-09-24 09:59:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《詳解Edmund光學(xué)元件的清洗技術(shù).pdf》資料免費(fèi)下載
2017-10-08 13:10:510 本文檔內(nèi)容介紹了GD32單片機(jī)程序分散加載的方法，圖像詳解，供參考。
2017-11-22 11:02:0138 每個(gè)器件都有一個(gè)最大的功率極限，不管是有源器件（如放大器），還是無源器件（如電纜或?yàn)V波器）。理解功率在這些器件中如何流動(dòng)有助于在設(shè)計(jì)電路與系統(tǒng)時(shí)處理更高的功率電平。 它能處理多大的功率這是對(duì)發(fā)射機(jī)
2017-12-06 06:00:01378 。每個(gè)元件都有一個(gè)最大的功率極限，不管是有源器件(如放大器)，還是無源器件(如電纜或?yàn)V波器)。理解功率在這些元件中如何流動(dòng)有助于在設(shè)計(jì)電路與系統(tǒng)時(shí)處理更高的功率電平。 當(dāng)電流流過電路時(shí)，部分電能將被轉(zhuǎn)換成熱能。處理足夠大電流
2017-12-07 20:17:16220 磁性元件是開關(guān)電源設(shè)備中的重要元件，它對(duì)開關(guān)電源設(shè)備的體積、效率有很大影響。在高頻下，磁性元件損耗占整機(jī)的比重很大。因此對(duì)磁性元件的損耗進(jìn)行相關(guān)研究是十分重要的。
磁芯損耗與磁性材料特性和工作
2017-12-21 08:53:2963613 
工頻電源測(cè)量鐵磁元件鐵心損耗的低頻測(cè)量法。該方法通過施加幾個(gè)頻率的低頻電壓，測(cè)量低頻下的鐵損耗PFe，得到不同頻率的E/f（電動(dòng)勢(shì)／頻率）PFe曲線，再通過樣條插值法計(jì)算頻率不同、E/f相等時(shí)的鐵損耗，根據(jù)最小二乘原理計(jì)算折算
2018-02-07 13:59:421 的輸出功率，而到達(dá)受電設(shè)備的功率是12.95W，電源損耗為2.45W 。2009年設(shè)立的國際標(biāo)準(zhǔn)IEEE802.3at則要求PSE能達(dá)到30W的輸出功率，到達(dá)受電設(shè)備的功率是25.5W，電源損耗
2018-12-13 10:15:11677 
效率是電機(jī)中的定轉(zhuǎn)子銅損，鐵損和機(jī)械損耗造成的，完全不同的概念。無功功率沒有功率損耗，只是有能量以磁場(chǎng)的形式儲(chǔ)存在儲(chǔ)能元件中，沒有傳遞到機(jī)械功率輸出，而效率的損耗全部轉(zhuǎn)化成了熱能，會(huì)使電機(jī)產(chǎn)生溫升。
2021-03-16 16:03:2826840 功率MOSFET的開關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 磁性元件是功率變流器的重要組成部分，為了更好地發(fā)揮磁性元件的作用，提高功率變流器的轉(zhuǎn)換效率，必須深入了解磁性元件的損耗問題。在此從電路運(yùn)行條件，即開關(guān)頻率、激勵(lì)波形、占空比、直流偏置，以及磁路運(yùn)行
2021-05-11 10:58:367 光伏組件熱斑電池片功率損耗的簡(jiǎn)化算法研究說明。
2021-05-17 09:51:202 功率半導(dǎo)體元件的損耗計(jì)算分析方法內(nèi)容講解.
2021-05-25 16:29:2720 損耗的定義?損耗與效率 為了更好地理解，我們來看一下效率的定義、以及效率與損耗之間的關(guān)系。效率是輸出功率與輸入功率之比。這是因?yàn)樵趯⑤斎?b class="flag-6" style="color: red">功率轉(zhuǎn)換為所需的輸出時(shí)會(huì)產(chǎn)生損耗。所以，如果用比例來表達(dá)損耗
2021-06-01 17:53:197376 
三菱FX系列PLC的軟元件詳解。
2021-06-04 10:33:4869 本文介紹了電動(dòng)自行車無刷電機(jī)控制器的熱設(shè)計(jì)。其中包括控制器工作原理的介紹、MOSFET功率損耗的計(jì)算、熱模型的分析、穩(wěn)態(tài)溫升的計(jì)算、導(dǎo)熱材料的選擇、熱仿真等。
2021-06-10 10:34:2965 一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開關(guān)管在開通時(shí)，開關(guān)
2021-10-22 10:51:0611 損耗的定義 損耗與效率為了更好地理解，我們來看一下效率的定義、以及效率與損耗之間的關(guān)系。效率是輸出功率與輸入功率之比。這是因?yàn)樵趯⑤斎?b class="flag-6" style="color: red">功率轉(zhuǎn)換為所需的輸出時(shí)會(huì)產(chǎn)生損耗。所以，如果用比例來表達(dá)損耗的話
2021-11-03 09:49:533485 
作者：Akshay Mehta
歡迎回到DC/DC變換器數(shù)據(jù)表博客系列。在本系列最后一期文章中，我將討論DC/DC穩(wěn)壓器元件的傳導(dǎo)損耗。
傳導(dǎo)損耗是由設(shè)備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC變換器
2022-01-26 15:33:36999 
詳解MOS驅(qū)動(dòng)電路功率損耗的構(gòu)成以及計(jì)算方法
2022-04-13 08:35:0020803 
無功分散補(bǔ)償就是在電網(wǎng)公司10KV配電線路變壓器的低壓側(cè)裝設(shè)無功補(bǔ)償裝置以補(bǔ)償變壓器的無功損耗，或者在10KW以上的異步電動(dòng)機(jī)旁，配備相應(yīng)容量的電容器以補(bǔ)償電動(dòng)機(jī)的無功功率，與集中補(bǔ)償相比，分散補(bǔ)償可以合理的平衡用電負(fù)載以及變壓器的無功損失。
2022-04-18 15:09:28873 同步降壓電路廣泛用于為系統(tǒng)芯片提供低電壓和大電流的非隔離電源。實(shí)現(xiàn)同步降壓轉(zhuǎn)換器的功率損耗并提高效率對(duì)于電源設(shè)計(jì)人員來說非常重要。應(yīng)用筆記介紹了降壓轉(zhuǎn)換器效率的分析，并實(shí)現(xiàn)了同步降壓轉(zhuǎn)換器的主要功率元件損耗。
2022-04-20 16:52:023763 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:22673 
磁性元件在光伏中的功率轉(zhuǎn)換及應(yīng)用
2023-02-10 16:57:42914 
使用失配損耗方程，了解失配損耗對(duì)射頻功率測(cè)量和級(jí)聯(lián)放大器增益的影響。
2023-02-19 10:06:28976 繼上一篇“死區(qū)時(shí)間損耗”之后，本文將探討控制IC（Controller）自身功耗中的損耗?？刂艻C的自身功率損耗，在該例中，使用同步整流式控制IC、即未內(nèi)置功率開關(guān)的控制器型IC作為電源用IC。
2023-02-23 10:40:50589 
此前計(jì)算了損耗發(fā)生部分的損耗，本文將介紹匯總這些損耗并作為電源IC的損耗進(jìn)行計(jì)算的例子。電源IC的功率損耗計(jì)算示例（內(nèi)置MOSFET的同步整流型IC），圖中給出了從“電源IC的損耗”這個(gè)角度考慮時(shí)相關(guān)的部分。
2023-02-23 10:40:51705 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28493 
一文詳解分立元件門電路
2023-03-27 17:44:041607 
數(shù)據(jù)手冊(cè)就是電子
元件的使用說明書，在電路設(shè)計(jì)之前，十分有必要通讀數(shù)據(jù)手冊(cè)，并了解產(chǎn)品的重要性能參數(shù)。在MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中
極限值表格中的總
功率損耗Ptot就是一個(gè)十分有趣的參數(shù)。說它有趣是因?yàn)?/div>
2023-05-15 16:10:25626 
這期我們介紹PCB熱仿真，重點(diǎn)是確定熱源和PCB簡(jiǎn)化。PCB上的熱源有三種：**元件功率散熱，****DC** **直流損耗熱轉(zhuǎn)換，** **AC** **交流損耗熱轉(zhuǎn)換** 。
2023-06-16 15:30:231246 
功率元件具有較大的承載能力和較低的內(nèi)阻，以應(yīng)對(duì)較高的功率需求，并保證能量傳輸?shù)男?。例如?b class="flag-6" style="color: red">功率晶體管（如MOSFET、BJT）和功率放大器模塊屬于典型的功率元件。
2023-06-30 16:28:141020 隨著電子元件功率密度的增加，它們的工作結(jié)溫會(huì)超出極限，從而將更多的熱能消散到封裝、PCB和外殼上。電子元件散發(fā)的一小部分熱量通過引線和外殼傳遞到PCB，隨著功率密度的增加，這一份額也隨之增加。PCB
2023-07-06 10:14:041544 如何計(jì)算高速RS-485收發(fā)器的功率損耗
2023-08-24 13:37:07340 
隨著科技的發(fā)展，電力供應(yīng)和使用的效率越來越重要。提高電路功率因素是一種有效的方法，它可以減少電流損耗，提高能耗效率。那么，為什么提高電路功率因素對(duì)于減少電損耗有直接作用呢？
2023-09-04 16:26:411011 一、變壓器的損耗 變壓器的損耗是變壓器的質(zhì)量指標(biāo)之一，變壓器的損耗包括空載損耗和負(fù)載損耗。 1、空載損耗 空載損耗又稱為鐵損P Fe ，它是由勵(lì)磁電流在變壓器鐵芯中產(chǎn)生的交變磁通引起的。鐵損P Fe
2023-09-14 15:48:002225 一、電動(dòng)機(jī)的損耗 電動(dòng)機(jī)在將電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能的同時(shí)，內(nèi)部總有一定的功率損耗。電動(dòng)機(jī)的損耗可分為恒定損耗和負(fù)載損耗。 1、恒定損耗 恒定損耗包括風(fēng)摩損耗和鐵芯損耗，是電動(dòng)機(jī)運(yùn)行時(shí)的固有損耗，與電材料
2023-10-20 15:50:301097 變壓器的損耗、功率和效率都分別是什么？ 變壓器是一種用來改變電壓的電力設(shè)備。在使用變壓器的過程中，會(huì)發(fā)生損耗、產(chǎn)生功率和效率。本文將詳細(xì)解釋變壓器的損耗、功率和效率的概念和計(jì)算方法。 一、損耗
2023-11-20 15:13:43699 二極管的損耗與波形系數(shù)——看似簡(jiǎn)單的整流電路詳解（二）
2023-12-04 16:06:28346 
IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開關(guān)損耗。開關(guān)損耗分別為開通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
有功功率是指交流電路中實(shí)際消耗的功率，它是電路中的負(fù)載元件消耗的功率。在交流電路中，電流和電壓不是同相的，所以有功功率是通過電流和電壓的乘積來計(jì)算。 有功功率主要由電阻性元件消耗，包括電阻器、電燈泡
2024-02-27 09:28:33239 已全部加載完成
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