通用適配器來了，氮化鎵技術(shù)做后盾

Tomas Moreno，Dialog公司業(yè)務(wù)發(fā)展與戰(zhàn)略總監(jiān)

在過去的半個(gè)世紀(jì)，硅一直是現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)，原因很顯然：到現(xiàn)在為止，硅是大規(guī)模應(yīng)用于最新消費(fèi)、商業(yè)和工業(yè)技術(shù)最完美的半導(dǎo)體材料。但是現(xiàn)在，面對(duì)一種可提供比舊行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)更高的速度、更強(qiáng)的功率處理能力和更小的尺寸的新型半導(dǎo)體材料，硅的局限性受到了挑戰(zhàn)。

這種顛覆性材料就是氮化鎵（GaN），自上世紀(jì)90年代以來主要用于LED和RF器件的化合物。盡管GaN并不是剛剛發(fā)現(xiàn)或新奇的材料，但是GaN剛剛進(jìn)入下一代電子設(shè)備的功率半導(dǎo)體應(yīng)用，創(chuàng)造了速度和轉(zhuǎn)換效率的新高度。

Dialog與臺(tái)積電（TSMC）合作，推出市場(chǎng)上首個(gè)高電壓GaN功率IC +控制器組合。該功率產(chǎn)品組合（以SmartGaNTM產(chǎn)品系列為先鋒）將實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換效率可達(dá)94%的快速充電技術(shù)。

我們的新PMIC DA8801與Dialog具有專利的數(shù)字式 Rapid Charge?電源轉(zhuǎn)換控制器結(jié)合使用，可以實(shí)現(xiàn)比目前的硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）設(shè)計(jì)更高效、更小、功率密度更高的適配器。事實(shí)上，DA8801可以使硅PMIC的功率損耗和尺寸幾乎減半，進(jìn)而使該技術(shù)的成本減半。

我們計(jì)劃首先將這種技術(shù)應(yīng)用于PC和手持設(shè)備的快速充電適配器。目前在快速充電適配器市場(chǎng)上，憑借Rapid Charge?快速充電技術(shù)，Dialog的市場(chǎng)占有率已超過70%。GaN具有十分驚人的促使這類產(chǎn)品的功能、外觀和成本發(fā)生革命性變化的潛力：因?yàn)镚aN技術(shù)可使功率電子器件的尺寸減小50%，一個(gè)典型的45W GaN驅(qū)動(dòng)的適配器的尺寸可與傳統(tǒng)25W設(shè)計(jì)的尺寸一樣甚至更小。通過更緊湊的設(shè)計(jì)，適配器能變得更輕巧，有助于在不久的將來實(shí)現(xiàn)能為所有移動(dòng)設(shè)備供電的通用適配器。

GaN技術(shù)提供全球速度最快的晶體管，這些晶體管是高頻和超高效功率轉(zhuǎn)換的核心。Dialog的DA8801半橋?qū)?a target="_blank">柵極驅(qū)動(dòng)和電平轉(zhuǎn)換電路與650V功率開關(guān)相集成，可使功率損耗降低達(dá)50%。同樣重要的是，這些特性有助于無縫應(yīng)用GaN技術(shù)，而無需設(shè)計(jì)復(fù)雜的外圍電路。

這使GaN技術(shù)能夠順利地集成入其他產(chǎn)品。因此，DA8801集成式GaN半橋?yàn)樘嵘鞣N技術(shù)的效率帶來了幾乎無窮的可能性，從助力更快速的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用，到提升服務(wù)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)操作的效率。到目前為止，硅材料對(duì)我們提供高效、敏捷的技術(shù)發(fā)揮了重要作用，而GaN將會(huì)在未來帶我們走的更遠(yuǎn)。

閱讀更多內(nèi)容，了解我們的SmartGaNTM產(chǎn)品如何幫助支持未來的技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更高效和連網(wǎng)的未來：http://www.dialog-semiconductor.com/products/DA8801。