電子發(fā)燒友網站提供《30V N 溝道NexFET? 功率MOSFET CSD17556Q5B數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 14:11:23
0 耐壓30V降壓恒壓芯片的工作原理如下：
該芯片內部集成了開關管和同步整流管，通過它們進行電壓的轉換，將輸入的30V電壓降至所需的輸出電壓（如12V或5V）。在工作過程中，該芯片通過PWM
2024-03-22 11:31:10
ELM13415CA-S-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel MOSFET，采用SOT23封裝。以下是該器件的詳細參數說明和應用簡介：- **參數：** - 封裝類型
2024-03-18 17:36:33
全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 我想實現(xiàn)2.2V的非標準ttl電平轉3.3V的cmos電平，請問有什么合適的電平轉換器或者是電壓比較器推薦嗎？
2024-03-11 09:30:08
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
電子發(fā)燒友網站提供《N溝道40 V，2.6 mOhm，160 A邏輯電平MOSFET PSMN2R5-40YLB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:58:300 電子發(fā)燒友網站提供《N溝道40 V，2.2 mOhm，180 A標準電平MOSFET PSMN2R2-40YSB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:56:390 電子發(fā)燒友網站提供《N溝道40 V，2.1 mOhm，180 A邏輯電平MOSFET PSMN2R0-40YLB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:55:140 電子發(fā)燒友網站提供《N溝道40 V，1.9 mOhm，200 A標準電平MOSFET PSMN1R9-40YSB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:53:300 電子發(fā)燒友網站提供《N溝道40 V，1.8 mOhm，200 A邏輯電平MOSFET PSMN1R7-40YLB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:51:470 電子發(fā)燒友網站提供《N溝道40 V，3.5 mOhm，120 A標準電平MOSFET PSMN3R5-40YSB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:50:270 電子發(fā)燒友網站提供《N溝道40 V，3.3 mOhm，120 A邏輯電平MOSFET PSMN3R2-40YLB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:46:420 電子發(fā)燒友網站提供《N溝道40 V，2.8 mOhm，160 A標準電平MOSFET PSMN2R8-40YSB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:45:020 電子發(fā)燒友網站提供《20 V，雙N溝道溝槽MOSFET PMDPB30XNA數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:03:240 壓的應用需求。
產品特性
l內置30V耐壓MOS,支持2.5V-24V輸入
l低靜態(tài)電流：100uA
l輸出電流：16~2000mA
lPWM調光：最高頻率25KHz，分辨率可達1000：1
l輸出電流精度
2024-02-01 16:44:39
電子發(fā)燒友網站提供《LFPAK56中的N溝道40 V，1.3 mΩ邏輯電平MOSFET BUK9Y1R3-40H數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-26 09:25:320 。按導電溝道功率MOSFET可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型；對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才存在導電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強型。 MOSFET的主要特
2024-01-09 10:22:43112 
2104全橋驅動電路原理 IR2104是一種高速、低成本的高和低電平電荷泵驅動器。它可通過邏輯輸入信號控制兩個N溝MOSFET或IGBT的驅動信號，實現(xiàn)全橋輸出。IR2104內部集成了一個高壓引發(fā)電荷泵、邏輯電平和電流檢測電路。其主要包括低側和高側驅動器。 低側驅動器：
2024-01-05 16:11:041106 在雙電源±15V的供電的狀態(tài)下，ADG1408的模擬通道能輸入30V（相對GND）的模擬電壓嗎？
2024-01-05 12:57:40
電子發(fā)燒友網站提供《N溝道40 V，0.81 mOhm，320 A標準電平MOSFET PSMNR70-40YSN英文資料.pdf》資料免費下載
2024-01-04 14:19:310 電子發(fā)燒友網站提供《雙N溝道40 V，13 mOhm邏輯電平MOSFET LFPAK56D（半橋配置）產品數據表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 14:31:020 , 20Vgs (±V)- 閾值電壓：-1V- 封裝：SOT23**詳細參數說明：**RSR025P03TL-VB是一款P溝道MOSFET，最大耐壓為-30V，最大
2023-12-20 15:58:08
。- **工作電壓（VDS）：** -30V，表示MOSFET的耐壓上限，負值表示器件是P溝道。- **持續(xù)電流（ID）：** -7A，表示MOSFET可以承受的最大電流
2023-12-18 17:03:12
。- **工作電壓（VDS）：** -30V，表示MOSFET的耐壓上限，負值表示器件是P溝道。- **持續(xù)電流（ID）：** -6A，表示MOSFET可以承受的最
2023-12-18 10:18:54
VBsemi推出絲印型號為VB2355的MOSFET型號AO3401。這款P溝道MOSFET適用于各種電路應用。其主要特點包括高達-30V的高壓容忍度和-5.6A的電流處理能力，10V時的低導通電
2023-11-23 11:58:58
硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
利用AD5522怎么設計一個正負30V的PPMU? AD5522輸出電壓最大只能輸出正負11V左右。但我們客戶的需求是30V的。不知道用AD5522能否設計出30V的ppmu?。如果利用升壓電路可以解決，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何設計一個高效率低功耗低噪聲的直流3V升壓到30V的電路？
電流1ma之內即可。
2023-11-16 06:36:14
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:10459 ? 中國上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備
2023-11-09 15:19:57663 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設備和電池組保護。產品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22319 型晶體管，它屬于電壓控制型半導體器件。根據導電溝道類型和柵極驅動電壓的不同，可以分為N溝道-增強型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15638 
型號 20P03絲印 VBE2338品牌 VBsemi詳細參數說明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 26A 開通電阻（RDS(ON)） 33mΩ @ 10V, 46m
2023-11-06 11:24:18
型號 AP6679GH絲印 VBE2309品牌 VBsemi詳細參數說明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 60A 開通電阻（RDS(ON)） 9mΩ @ 10V, 12m
2023-11-06 09:41:12
型號 SI2323DST1GE3絲印 VB2355品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 5.6A 導通電阻 47mΩ @10V, 56m
2023-11-06 09:17:31
新潔能NCE30P12S NCE P通道增強模式電源MOSFET新潔能NCE30P12S，一款卓越的P通道增強模式電源MOSFET，采用前沿的溝槽技術，盡顯卓越性能。民信微其低RDS（ON）特性
2023-11-05 09:54:550 新潔能NCE30P30K NCE P通道增強模式電源MOSFET TO-252-2L新潔能NCE30P30K，全新升級，為您的高電流負載應用提供強大支持！采用先進的溝槽技術和設計，民信微我們
2023-11-03 20:39:340 FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開關和放大電路中，可以控制電流流動并放大信號。
2023-11-03 14:56:23293 
型號 AOD425A絲印 VBE2317品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 40A 導通電阻 18mΩ@10V, 25mΩ@4.5V
2023-11-03 14:34:40
型號 FDS4435BZNL絲印 VBA2317品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 7A 導通電阻 23mΩ@10V, 29m
2023-11-03 14:04:50
型號 FDD6637絲印 VBE2309品牌 VBsemi參數說明 MOSFET類型 P溝道 額定電壓(VDS) 30V
2023-11-03 11:57:26
MT4606詳細參數說明 極性 N+P溝道 額定電壓 ±30V 額定電流 9A (N溝道), 6A (P溝道) 導通電阻 15mΩ @ 10V (N溝道), 42mΩ @ 10V (P
2023-11-02 16:15:57
型號 ME4925絲印 VBA4317品牌 VBsemi參數 頻道類型 2個P溝道 額定電壓 30V 額定電流 8.5A RDS(ON) 21mΩ @ 10V，28mΩ @ 4.5V
2023-11-02 14:52:31
型號 AO4425絲印 VBA2311品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 11A 導通電阻 10mΩ @10V, 13mΩ @4.5V
2023-11-01 10:37:54
型號 FDN304PNL絲印 VB2355品牌 VBsemi參數 頻道類型 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 5.6A RDS(ON) 47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5V
2023-10-31 11:24:55
的前置驅動器。該設備可驅動多種 N 溝道的功率 MOSFET，支持的馬達供電電壓高達 30V。利用外部三個霍爾元件輸入信號實現(xiàn) 120°換相。其它功能包括固定關閉時間的脈寬調制（PWM）限制浪涌電流、可調
2023-10-27 09:30:29
VBsemi推出絲印型號為VB2355的MOSFET型號AO3401。這款P溝道MOSFET適用于各種電路應用。其主要特點包括高達-30V的高壓容忍度和-5.6A的電流處理能力，10V時的低導通電
2023-10-26 16:21:10
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 VPS8701B是一款專門為小體積、低待機功耗的微功率隔離電源而設計的變壓器驅動器，其外圍只需匹配簡單的輸入輸出濾波電容、隔離變壓器和整流電路，即可實現(xiàn)6~~~30V輸入電壓、多種輸出電壓、輸出功率
2023-10-12 10:04:51
電子發(fā)燒友網站提供《BUK4D50-30P P溝道溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 11:35:370 電子發(fā)燒友網站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 09:32:500 電子發(fā)燒友網站提供《BUK6D16-30E N溝道溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:43:170 電子發(fā)燒友網站提供《PXN040-100QS N溝道標準電平溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 11:45:140 電子發(fā)燒友網站提供《PXN028-100QL N溝道、邏輯電平溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 11:11:080 電子發(fā)燒友網站提供《PXN012-100QS N溝道、標準電平溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 11:05:310 電子發(fā)燒友網站提供《PXN020-100QS N溝道、標準電平溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 11:01:080 電子發(fā)燒友網站提供《PXN011-100QS N溝道、標準電平溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 10:59:231 電子發(fā)燒友網站提供《PXN012-100QL N溝道、邏輯電平溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 10:57:380 電子發(fā)燒友網站提供《PXN011-100QL N溝道、邏輯電平溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 10:54:290 供應AP3400A N溝道 30V 5.8A MOS場效應管-mos3400規(guī)格參數，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供mos3400規(guī)格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 11:28:260 供應AP30N03K 低結電容 30V MOS-30N03K場效應管參數，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP30N03K規(guī)格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 11:14:000 供應AP30H80K 30V 80A N溝道MOS管，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供30H80K規(guī)格書參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 10:52:000 供應AP30H150KA 30V 150A N溝道MOS管-30h150場效應管，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP30H150KA規(guī)格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 10:39:500 SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
DMP3028LSD 產品簡介DIODES 的 DMP3028LSD 這款新一代 30V P 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 RDS(on)，同時保持卓越的開關
2023-09-13 20:17:07
供應AP90P03Q p溝道mos管 30v 60a絲印:90P03Q-銓力半導體代理，提供AP90P03Q規(guī)格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:40:01
供應AP50P03K 35a 30v p溝道增強型mos管絲印AP50P03，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP50P03K規(guī)格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:31:063 供應AP50P03K p溝道mos -30v -35a絲印:AP50P03 儲能、小家電mos管，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP50P03K 規(guī)格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:30:12
供應AP18P30Q -20a -30v耐壓的p型mos 絲印:18P30Q參數，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP18P30Q規(guī)格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:19:590 供應AP18P30Q p溝道mos管 30v 20a 絲印:18P30Q，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP18P30Q規(guī)格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:19:05
供應AP15P03Q PDFN3*3 P溝道-30v -12A vbus開關mos管，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP15P03Q規(guī)格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:13:54
通過AEC-Q101認證且可承受的接面溫度高達175°C，強茂P溝道MOSFET是汽車設計工程師理想的選擇，可實現(xiàn)簡化電路而又不犧牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多種封裝。
2023-07-20 15:57:45526 在H橋電路中實現(xiàn)P溝道MOSFET可能看起來既簡單又誘人，但可能需要一些嚴格的計算和參數才能實現(xiàn)最佳響應。
2023-06-29 15:28:02957 
在這個設計中，我們看到了使用N溝道MOSFET實現(xiàn)BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。
2023-06-16 09:03:30228 
中國上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列
2023-06-13 16:38:50712 
產品特點：● 8路NPN信號轉PNP信號高速轉換● 8路0-5V電平轉0-24V電平● 8路TTL電平轉0-24V電平● 8路NPN信號轉TTL電平
2023-06-12 16:41:08
供應mos PTS4842 30V/7.7A雙n溝道mos管，提供4842雙mos管規(guī)格書及關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 14:46:251 供應PTS4842 MOS場效應管-30V/7.7A雙N溝道高級功率MOSFET，提供PTS4842雙mos管關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 14:45:17
日：基礎半導體器件領域的專家 Nexperia（安世半導體）推出了用于自動化安全氣囊應用的專用 MOSFET (ASFET) 新產品組合，重點發(fā)布的 BUK9M20-60EL 為單 N 溝道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:11372 為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道
2023-05-22 11:11:391173 上海數明半導體有限公司最新推出的雙通道 30V, 5A/5A 的高速低邊門極驅動器 SiLM27624 系列，支持高達 30V 的輸入電源供電，滿足更高的驅動電壓輸出。
2023-05-17 11:18:21438 
，
邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯
輸出電平。 高速風筒專用電機驅動芯片其浮動通道可
用于驅動高壓側 N 溝道功率 MOSFET，浮地通道最高
工作電壓可達 700V。高速風筒專用電機驅動芯片采用
SOIC8 封裝，可以在-40℃至 125℃溫度范圍內工作
2023-05-10 10:05:20
請問CANbus至RS232協(xié)議轉換器能夠用30V電壓的電源嗎？
2023-05-09 11:03:26
在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288 
降至45KHZ。
芯片參數：
1.輸入電壓范圍：5V -80V
2.輸出電壓范圍：3V -55V
3.輸出電流范圍：1000MA
4.外接元器件少，無需外圍補償網絡能達到穩(wěn)定工作
5.外接一個電容可設
2023-04-28 11:55:25
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場效應來控制半導體（S）的場效應晶體管，其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 LAMP INCAND S-6 BAYONET 30V
2023-03-28 20:26:17
LAMP INCAND 30V CANDELABRA SCRW
2023-03-28 20:23:07
RLD 30V UF系列PTC器件
2023-03-28 12:55:54
-30V P溝道MOSFET
2023-03-28 12:55:19
30V P溝道MOSFET
2023-03-27 11:54:35
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