英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29
117 功率MOSFET是一種在電源管理、信號處理、汽車電子和可再生能源系統(tǒng)等多種應用中廣泛使用的高效半導體開關器件。
2024-03-19 16:34:35163 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 蓉矽半導體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力，也進一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228 意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這些產(chǎn)品不僅在設計上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關鍵應用的開關電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導體領域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36255 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
MOSFET，全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導體場效應晶體管，是一種半導體器件。這種晶體管利用控制輸入回路
2024-02-19 16:38:061952 
MOSFET功率放大器是一種使用MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）技術的電子設備，用于增強輸入信號的幅度。MOSFET放大器是音頻源如唱片播放器或CD播放器以及均衡器、前置放大器和揚聲器等其他設備的重要組成部分。
2024-02-19 15:50:56476 
樁中決定充電效率和能量轉(zhuǎn)化的關鍵元件是IGBT和MOSFET。在各類半導體功率器件中，未來增長最強勁的產(chǎn)品將是MOSFET與IGBT模塊。MOSFET和IGBT區(qū)別以
2024-02-19 12:28:04191 
的基本結構。MOSFET是金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的簡稱。它由一個絕緣層上方的金屬接電
2024-01-31 13:39:45300 安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺，平臺采用先進的技術和設計，提供了卓越的開關特性和低導通電阻，從而實現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49291 
安建半導體推出具有完全自主知識產(chǎn)權的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨特設計確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國內(nèi)領先的碳化硅晶圓代工廠流片，產(chǎn)能充裕，供應穩(wěn)定，性價比高。
2024-01-20 17:54:00916 
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種常用的功率開關器件，也是現(xiàn)代電子設備和電路中最重要的元件之一。它由金屬-氧化物-半導體結構組成。
2024-01-17 17:16:44365 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FP6151內(nèi)置內(nèi)部功率MOSFET產(chǎn)品手冊》資料免費下載
2024-01-15 14:47:23
0 近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 V 功率 MOSFET 的半導體制造商，采用全新系統(tǒng)和應用優(yōu)化的OptiMOS 7 MOSFET 技術。新產(chǎn)品創(chuàng)建行業(yè)新基準，我們使客戶能夠在低輸出電壓的 DC-DC 轉(zhuǎn)換領域邁出新的一步, 釋放更優(yōu)秀系統(tǒng)效率和性能，賦能未來。
2023-12-29 12:30:49362 
遷移率晶體管）。為什么同是第三代半導體材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？為什么沒有GaN MOSFET產(chǎn)品？下面我們來簡單分析一下。 ? GaN 和SiC 功率器件的襯底材料區(qū)別 ? 首先我們從襯底材料來看看SiC和GaN功率器件的區(qū)別，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:361219 可行的解決方案。 首先，讓我們了解一下SIC MOSFET的基本原理和結構。SIC（碳化硅）MOSFET是一種基于碳化硅材料制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管。相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET，SIC MOSFET具有更高的載流能力、更低的導通電阻和更優(yōu)秀的耐高溫性能，可以應用于高頻、高功率和高溫環(huán)境
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種新興的功率半導體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應用于各種驅(qū)動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49416 MOSFET (金屬氧化物半導體場效應晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導體器件。它們在不同的應用場景中具有不同的特點和優(yōu)勢。本文將對MOSFET和IGBT進行詳盡
2023-12-15 15:25:35366 11 月 28 日，安世半導體 BG MOS 產(chǎn)品線高級應用經(jīng)理方舟先生，為廣大工程師帶來了《Nexperia車規(guī)級 MOSFET - 提升 EV 驅(qū)動能效的絕佳選擇》的網(wǎng)絡研討會，重點介紹了安世半導體最新車規(guī)級 MOSFET 產(chǎn)品，及其在新能源汽車車身和底盤中的應用。
2023-12-15 10:35:31417 【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?
2023-12-06 18:22:24522 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導體將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 據(jù)介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導體將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:11519 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 問題1：在功率MOSFET管應用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負載開關的功率MOSFET管導通時間計算，通常取多少比較好？相應的PCB設計，銅箔面積布設多大散熱會比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
官方網(wǎng)站稱，2015年6月成立的鉅芯科技是從事半導體輸出芯片和零部件研發(fā)，生產(chǎn)，銷售的高新技術企業(yè)。產(chǎn)品包括半導體分立元件芯片、半導體分立元件、半導體功率模塊及mosfet等。
2023-11-30 10:07:46343 MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 2023年11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導體。
2023-11-25 16:50:53451 功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎認識
2023-11-23 09:06:38407 
mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種現(xiàn)代電子器件，常用于電子電路中的開關和放大器。它的工作原理與JFET（結型場效應晶體管）有很大
2023-11-22 17:33:301060 MOSFET 的選擇關乎效率，設計人員需要在其傳導損耗和開關損耗之間進行權衡。傳導損耗發(fā)生在在 MOSFET 關閉期間，由于電流流過導通電阻而造成；開關損耗則發(fā)生在MOSFET 開關期間，因為 MOSFET 沒有即時開關而產(chǎn)生。這些都是由 MOSFET 內(nèi)半導體結構的電容行為引起的。
2023-11-15 16:12:33167 
MOSFET （Metal -Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是金屬-氧化物半導體場效應晶體管的英文縮寫，由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極
2023-11-07 14:51:15638 
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
國產(chǎn)新風尚！WAYON維安針對PC及PC電源推出MOSFET細分產(chǎn)品
2023-11-01 15:10:01231 
功率MOSFET選型的幾點經(jīng)驗在此，根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應理論技術文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實際
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個創(chuàng)新的產(chǎn)品設計能滿足汽車應用的嚴苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 能。?功率半導體芯片：如IGBT、FRD、MOSFET等等，傳統(tǒng)Si基和新興的第三代半導體SiC等，它們的特性受制于其本身的設計，同時也需要看于其搭配的封裝材料和
2023-10-24 09:45:033032 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動電路設計簡單，可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02268 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 美格納半導體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格納極限溝槽
2023-10-12 17:15:09736 400kHz。同時也使得開關電源的體積變得更小，由此產(chǎn)生了大量使用小型電源的新產(chǎn)品。個人計算機的不斷小型化就是一個典型的例子。
開關電源工作頻率的不斷提高促使電子元件工業(yè)發(fā)生了廣泛的變革。半導體工業(yè)首當其沖
2023-09-28 06:33:09
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設備中開關和放大電子信號的半導體器件。
MOSFET 是一種四端子器件，具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經(jīng)常連接到源極端子，因此使其成為類似于場效應晶體管的三端器件。
2023-09-20 15:09:28791 
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?
2023-09-18 16:54:35590 
降低MOSFET 1/f噪聲的三種辦法是什么？? MOSFET是一種重要的半導體器件，廣泛應用于各種電子設備中。然而，MOSFET存在著一種非常特殊的噪聲，即1/f噪聲。這種噪聲影響了MOSFET
2023-09-17 17:17:361208 SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
安建半導體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
穩(wěn)定性和效率兼?zhèn)?，雷?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET改變您的產(chǎn)品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種常用的半導體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 閃爍噪聲，也稱為1/f噪聲，是由于導體接觸點電導的隨機漲落引起的。在低頻區(qū)域，這種噪聲功率譜密度與頻率成反比，因此，它對電路的影響可能更加顯著。
在RF振蕩器中，閃爍噪聲尤其可能占主導地位。這可
2023-09-01 16:59:12
功率半導體自20世紀50年代開始發(fā)展起來，至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和技術的應用范圍，適應更多終端產(chǎn)品的需求，MOSFET同樣衍生出GaN，SiC新型材料的產(chǎn)品去覆蓋更高功率密度、更高電壓、以及高開關速度的應用場景。
2023-08-31 14:14:071044 
和管理者。今年，Nexperia（安世半導體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導體！ 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時
2023-08-28 15:45:311140 功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552 
本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關系。
2023-08-17 09:16:301287 
隨著現(xiàn)代電子設備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動態(tài)性能參數(shù),將助您的設計實現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
MOSFET，也稱為金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一種常見的電子器件。它是一種半導體器件
2023-08-04 15:24:152047 功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導體分立器件，按照器件結構劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管。
2023-07-21 16:13:21480 
及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設及第三代半導體功率器件研發(fā)項目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設及第三代半導體功率器件研發(fā)項目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對應于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對應于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開關狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37975 
，需要更多的制造測試能力。除了成熟的半導體ATE供應商之外，許多公司正在開發(fā)產(chǎn)品以滿足功率MOSFET測試需求。
2023-06-30 11:26:16878 
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導體場效應晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于開關型應用中，發(fā)揮著開關的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布擴充 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:32562 （VLSI）設備采用的設計方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導體加工工藝。金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)從70年代的初級場效應晶體管發(fā)展而來。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號。雙極結型晶體管（BJT)自身的局限性驅(qū)動了功率
2023-06-17 14:24:52591 
廣，不管是在居民區(qū)、商業(yè)區(qū)或是高速公路服務區(qū)，都能使用充電樁為新能源電動汽車便捷充電。安森德憑借在半導體功率器件和封裝領域的技術積累，研發(fā)出同類別性能優(yōu)異的超級結MOSFET，具備更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
蘭奈梅亨--(美國商業(yè)資訊)--Nexperia(安世半導體)，分立器件、邏輯器件和 MOSFET 器件的全球領導者，今日宣布其已采用 Trench 11 技術實現(xiàn)具有史上最低導通阻抗
2023-06-08 13:57:21441 功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
SSR 或固態(tài)繼電器是高功率電氣開關，無需機械觸點即可工作，而是使用 MOSFET 等固態(tài)半導體來切換電氣負載。
2023-06-03 15:44:112542 
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 ） 7. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)（金屬氧化物半導體場效應晶體管） 8. Complementary MOSFET (CMOS)（互補MOSFET）
2023-06-02 14:15:36937 Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎半導體器件領域的專家 Nexperia（安世半導體）推出了用于自動化安全氣囊應用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種場效應晶體管，這意味著它通過使用電場來控制電流。MOSFET 通常有三個端子：柵極、漏極和源極。漏極和源極之間傳導的電流通過施加到柵極的電壓進行控制
2023-05-24 11:19:06720 分享功率MOSFET驅(qū)動保護電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件，具有開關速度快、易于驅(qū)動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583446 
近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），備受各個廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現(xiàn)該系列產(chǎn)品
2023-05-17 13:35:02471 
功率MOSFET怎樣關斷？能否用PWM實現(xiàn)？怎樣實現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
我正在嘗試使用 ESP-01 驅(qū)動 MOSFET 來控制 12V 電源。附上原理圖。這是我的簡單代碼 -
代碼：全選#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預計2021年我國半導體分立器件市場規(guī)模將達到3,229億元。就國內(nèi)市場而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 16:00:28
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預計2021年我國半導體分立器件市場規(guī)模將達到3,229億元。就國內(nèi)市場而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場效應來控制半導體（S）的場效應晶體管，其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 評估，以改善動態(tài)特性和可靠性，并開發(fā)有助于實現(xiàn)碳中和的更具吸引力的高性能功率半導體器件。新研發(fā)的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級SiC MOSFET特性對比
2023-04-11 15:29:18
金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 是一種場效應晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當壓控電流源，并主要用作開關或用于放大電信號。MOSFET的控制是通過向柵極施加特定的電壓來進行
2023-04-06 10:06:381381 KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術來取得能夠和SOT-523等大上許多
2023-04-04 16:10:39987 
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