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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>飛兆半導(dǎo)體650V場(chǎng)截止IGBT提高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的效率和系統(tǒng)可靠性

飛兆半導(dǎo)體650V場(chǎng)截止IGBT提高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的效率和系統(tǒng)可靠性

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機(jī)械溫控開(kāi)關(guān)的可靠性有多少?我看溫控開(kāi)關(guān)的體積很小,價(jià)格便宜,可以用于一些溫度控制方面,不過(guò)可靠性有多少呢?
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2023-10-21 15:43:271008

IGBT基礎(chǔ)知識(shí)及國(guó)內(nèi)廠商盤點(diǎn)

。 功率半導(dǎo)體器件作為電能轉(zhuǎn)換、驅(qū)動(dòng)、控制等電力電子裝置的基礎(chǔ)和核心,是推動(dòng)電力電子系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率功率密度、體積重量等方面優(yōu)化的關(guān)鍵因素之一。 下面以特斯拉來(lái)看看功率半導(dǎo)體IGBT的分布,下圖
2023-10-16 11:00:14

英飛凌如何控制基于SiC功率半導(dǎo)體器件的可靠性呢?

英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686

通過(guò)PLC組態(tài)軟件提高系統(tǒng)可靠性的措施

通過(guò)PLC組態(tài)軟件提高系統(tǒng)可靠性的幾項(xiàng)措施
2023-09-25 06:26:12

功率器件可靠性試驗(yàn)測(cè)試項(xiàng)目

龍騰半導(dǎo)體建有功率器件可靠性與應(yīng)用實(shí)驗(yàn)中心,專注于產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證、參數(shù)檢測(cè)、可靠性驗(yàn)證、失效分析及應(yīng)用評(píng)估,公司參考半導(dǎo)體行業(yè)可靠性試驗(yàn)條件和抽樣原則,制定產(chǎn)品可靠性規(guī)范并依此對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行完整可靠性驗(yàn)證。
2023-09-20 16:29:21808

硬件IIC與軟件IIC在使用上的區(qū)別,對(duì)產(chǎn)品可靠性效率的影響?

硬件IIC與軟件IIC在使用上的區(qū)別,對(duì)產(chǎn)品可靠性效率的影響
2023-09-20 07:53:05

意法半導(dǎo)體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效

2023 年 9 月 11 日,中國(guó) – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V,最高工作溫度拓寬到175°C,更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190

基于PLC技術(shù)的大功率半導(dǎo)體激光治療儀設(shè)計(jì)方案

介紹了一種以小型PLC為控制核心的大功率半導(dǎo)體激光治療儀。該治療儀采用單管激光器光纖耦合技術(shù)設(shè)計(jì)了波長(zhǎng)為808rim、輸出功率30W 的激光器模塊,采用恒流充電技術(shù)設(shè)計(jì)了高效激光器驅(qū)動(dòng)電路,整機(jī)具有散熱好、低功耗和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-19 08:23:52

意法半導(dǎo)體推出新系列IGBT晶體管

意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V,最高工作溫度拓寬到175°C,更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483

龍騰半導(dǎo)體建有功率器件可靠性與應(yīng)用實(shí)驗(yàn)中心

? 走進(jìn)龍騰實(shí)驗(yàn)室 功率器件可靠性試驗(yàn)測(cè)試項(xiàng)目系列專題(一) ? 可靠性實(shí)驗(yàn)室介紹 ? 龍騰半導(dǎo)體建有功率器件可靠性與應(yīng)用實(shí)驗(yàn)中心,專注于產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證、參數(shù)檢測(cè)、可靠性驗(yàn)證、失效分析及應(yīng)用評(píng)估,公司
2023-09-12 10:23:45698

意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2023

快設(shè)計(jì)周期提高設(shè)計(jì)安全可靠性,確保產(chǎn)品效率。·自動(dòng)化:為工廠自動(dòng)化和家居樓宇自動(dòng)化提供節(jié)能環(huán)保高效的解決方案。 ▌方案演示·邊緣人工及電機(jī)控制智能解決方案·智能工廠解決方案·200W無(wú)線充電
2023-09-11 15:43:36

用于高密度和高效率電源設(shè)計(jì)的意法半導(dǎo)體WBG解決方案

意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝,并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn):? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00

600 - 650V MDmesh DM9快速恢復(fù)SJ功率MOSFET提高效率和穩(wěn)健

這些超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷(Qrr)和超快快恢復(fù)時(shí)間(trr),以及出色的品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qg),能夠?yàn)橐髧?yán)苛的橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器帶來(lái)極高的效率
2023-09-08 06:00:53

浩寶推出IGBT功率半導(dǎo)體無(wú)空洞、高可靠真空焊接設(shè)備

隨著全球新能源的發(fā)展,功率半導(dǎo)體行業(yè)正在快速發(fā)展。IGBT功率模塊在封裝焊接時(shí)有著低空洞率、高可靠性、消除氧化、高效生產(chǎn)等需求
2023-09-01 15:06:571677

英飛凌雙IGBT驅(qū)動(dòng)IC 2ED020I06-FI

設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)N通道功率MOSFET或IGBT,其工作電壓最高可達(dá)650V。 特性 ?650V無(wú)芯變壓器隔離驅(qū)動(dòng)器IC ?軌到軌輸出 ?保護(hù)功能 ?浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng) ?雙通道欠壓鎖定 ?3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45

IGBT功率模塊散熱基板的作用及種類 車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊的散熱方式

IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過(guò)高導(dǎo)致的熱應(yīng)力,良好的熱管理對(duì)于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件,且功率密度隨著對(duì)新能源汽車性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:23906

如何提高半導(dǎo)體模具的測(cè)量效率?

,減少人力資源消耗,為半導(dǎo)體行業(yè)降本增效。Novator系列全自動(dòng)影像儀創(chuàng)新推出的拍測(cè)量、圖像拼接、環(huán)光獨(dú)立升降、圖像匹配、無(wú)接觸3D掃描成像等功能,多方面滿足客戶測(cè)量需求,解決各行業(yè)尺寸測(cè)量難題。
2023-08-21 13:38:06

Nexperia (安世半導(dǎo)體)推出新款600 V單管IGBT,可在電源應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色效率

柵場(chǎng)截止(FS)結(jié)構(gòu),在最高175℃的工作溫度下可提供超低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗性能與高耐用性。這可提高功率逆變器、感應(yīng)加熱器、焊接設(shè)備和工業(yè)應(yīng)用(如電機(jī)驅(qū)動(dòng)和伺服、機(jī)器人、電梯、機(jī)器操作手和工業(yè)自動(dòng)化等)的效率可靠性。
2023-08-14 09:34:51326

SiC功率器件可靠性

功率器件可靠性
2023-08-07 14:51:532

600-650 V MDmesh DM9:快速恢復(fù)SJ功率MOSFET提高效率和穩(wěn)健性

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600-650 V MDmesh DM9:快速恢復(fù)SJ功率MOSFET提高效率和穩(wěn)健性.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-01 16:09:541

求助,芯片耐壓650V做的buck電路夠不夠用?

650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42

功率半導(dǎo)體的知識(shí)總結(jié)(MOSFET/IGBT/功率電子器件/半導(dǎo)體分立器件)

功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件(含模塊)以及功率 IC 等。其中,功率半導(dǎo)體分立器件,按照器件結(jié)構(gòu)劃分,可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043

半導(dǎo)體可靠性測(cè)試有哪些

半導(dǎo)體器件中,常見(jiàn)的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。 在大多數(shù)情況下,加速測(cè)試不改變故障的物理特性,但會(huì)轉(zhuǎn)移觀察時(shí)間。 加速條件和正常使用條件之間的轉(zhuǎn)移稱為“降額”。那么半導(dǎo)體可靠性測(cè)試有哪些?讓凱智通小編告訴你~
2023-07-13 14:47:182537

為快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二極管

圳市森國(guó)科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27521

RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表(650V-50A-IGBT Application: Inverter)

RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510

RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表(650V-30A-IGBT Application: Partial switching circuit)

RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:430

RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表(650V-30A-IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)

RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:120

有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見(jiàn)錯(cuò)誤觀念

器件,因?yàn)槠洚a(chǎn)量不斷在增加、可靠性得到認(rèn)證和價(jià)格持續(xù)下降。 此時(shí),氮化鎵技術(shù)不再是一個(gè)“科學(xué)項(xiàng)目”,而是在15 V~650 V的應(yīng)用中廣泛替代硅MOSFET器件。 結(jié)論 當(dāng)今的氮化鎵技術(shù)在性能、可靠性
2023-06-25 14:17:47

GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)

GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13

IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件技術(shù)與應(yīng)用

IGBT技術(shù)在功率密度、工作頻率、損耗控制等方面不斷創(chuàng)新。新一代IGBT產(chǎn)品在提高開(kāi)關(guān)速度、降低開(kāi)關(guān)損耗、增強(qiáng)耐壓能力等方面取得了顯著進(jìn)展,提高系統(tǒng)效率可靠性
2023-06-21 11:24:33919

單片GaN器件集成驅(qū)動(dòng)功率轉(zhuǎn)換效率/密度和可靠性分析

單片GaN器件集成驅(qū)動(dòng)功率轉(zhuǎn)換效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28

AMEYA360:羅姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN? 650V E模式GaN FET

ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)來(lái)提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD
2023-06-19 15:09:18273

用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC

用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31

GaN功率集成電路的可靠性系統(tǒng)方法

GaN功率集成電路可靠性系統(tǒng)方法
2023-06-19 06:52:09

什么是氮化鎵功率芯片?

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑 氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵,是創(chuàng)造出接近“理想開(kāi)關(guān)”的電路構(gòu)件,即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào),轉(zhuǎn)化為無(wú)損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。 納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56

未來(lái)智能城市的動(dòng)力引擎:潤(rùn)新微電子的650V GaN功率晶體管(FET)

功率晶體管與標(biāo)準(zhǔn)門極驅(qū)動(dòng)器兼容,方便集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。 優(yōu)秀的性能:具備出色的功率損耗特性,顯著降低能量損失,提高系統(tǒng)效率。 無(wú)需自由輪二極管:由于650V GaN功率晶體管的特性,無(wú)需額外添加自由輪二極管,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 低開(kāi)關(guān)損耗:采用先進(jìn)的GaN技術(shù),650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:34686

軍用電子元器件二篩,進(jìn)口元器件可靠性篩選試驗(yàn)

33A-1997 半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范 GJB 63B-2001 有可靠性指標(biāo)的固體電解質(zhì)鉭電容器總規(guī)范 GJB 65B-1999 有可靠性指標(biāo)的電磁繼電器總規(guī)范 GJB 597A-1996 半導(dǎo)體集成電路總
2023-06-08 09:17:22

ROHM開(kāi)始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT!

非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)效率提升和小型化 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT
2023-05-25 00:25:01322

Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管

Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57300

半導(dǎo)體激光器的特點(diǎn)

  半導(dǎo)體激光器一般具有質(zhì)量輕、調(diào)制效率高、體積小等特點(diǎn),在民用、醫(yī)療等領(lǐng)域應(yīng)用比較廣泛。大功率半導(dǎo)體激光器的研究從20世紀(jì)80年代開(kāi)始,從未停止,隨著半導(dǎo)體技術(shù)與激光技術(shù)的不斷發(fā)展,大功率半導(dǎo)體激光器在功率輸出、功率轉(zhuǎn)換、可靠性等方面取得了比較大的進(jìn)步。
2023-05-24 07:03:15656

意法半導(dǎo)體的100W和65W VIPerGaN功率轉(zhuǎn)換芯片節(jié)省空間 提高消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用的能效

2023 年 5 月 19 日,中國(guó) ——意法半導(dǎo)體高壓寬禁帶功率轉(zhuǎn)換芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65兩款產(chǎn)品,適合最大功率100W和65W的單開(kāi)關(guān)管準(zhǔn)諧振 (QR
2023-05-22 17:08:11563

ROHM具有業(yè)界高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)
2023-05-18 16:34:23463

通過(guò)柔性和剛硬的PCB簡(jiǎn)化裝配并提高可靠性

?! ∑渌O(shè)計(jì)技巧包括:考慮在柔性電路上逐層錯(cuò)開(kāi)走線,以提供更高水平的靈活性。導(dǎo)體應(yīng)始終垂直于彎曲半徑布線,以提高可靠性和靈活性。終端區(qū)域應(yīng)使用加勁肋進(jìn)行加勁。屏蔽應(yīng)使用交叉陰影線而不是實(shí)心平面。通孔應(yīng)
2023-04-21 15:52:50

Nexperia(安世半導(dǎo)體)針對(duì)要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的650 V碳化硅二極管

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319

壓接型與焊接式IGBT的失效模式與失效機(jī)理

效率可靠性最重要的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn),所以研究IGBT的失效模式和機(jī)理對(duì)提高IGBT可靠性有指導(dǎo)作用。
2023-04-20 10:27:041117

半導(dǎo)體IGBT功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)探討

)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor,MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有(Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432097

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢(shì)壘二極管

評(píng)估,以改善動(dòng)態(tài)特性和可靠性,并開(kāi)發(fā)有助于實(shí)現(xiàn)碳中和的更具吸引力的高性能功率半導(dǎo)體器件。新研發(fā)的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級(jí)SiC MOSFET特性對(duì)比
2023-04-11 15:29:18

PCB設(shè)計(jì)中的可靠性有哪些?如何提高PCB設(shè)計(jì)的可靠性呢?

  PCB設(shè)計(jì)中的可靠性有哪些?  實(shí)踐證明,即使電路原理圖設(shè)計(jì)正確,如果PCB設(shè)計(jì)不當(dāng),也會(huì)對(duì)電子設(shè)備的可靠性產(chǎn)生不利的影響。舉個(gè)簡(jiǎn)單的例子,如果PCB兩條細(xì)平行線靠得很近的話,則會(huì)造成信號(hào)波形
2023-04-10 16:03:54

半導(dǎo)體器件在高溫環(huán)境下的可靠性

半導(dǎo)體元器件在高溫環(huán)境下的可靠性是制造商和用戶十分關(guān)注的問(wèn)題。高溫試驗(yàn)是一種常用的測(cè)試方法,通過(guò)模擬實(shí)際使用中的高溫環(huán)境,可以評(píng)估元器件在高溫下的性能和可靠性。高溫試驗(yàn)需要仔細(xì)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方案,包括選擇
2023-04-07 10:21:03765

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13

如何提高硬件可靠性

。 因此,硬件可靠性設(shè)計(jì)在保證元器件可靠性的基礎(chǔ)上,既要考慮單一控制單元的可靠性設(shè)計(jì),更要考慮整個(gè)控制系統(tǒng)可靠性設(shè)計(jì)。
2023-03-27 17:01:30685

RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表(650V-50A-IGBT Application: Inverter)

RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250

RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表(650V-30A-IGBT Application: Partial switching circuit)

RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器MCU拆解之IGBT分析

  IGBT模塊作為汽車電驅(qū)系統(tǒng)最常昂貴的開(kāi)關(guān)元件。IGBT同時(shí)具有功率MOSFET導(dǎo)通功率小及開(kāi)關(guān)速度快的性能,以及雙極型晶體管飽和壓降低(導(dǎo)通電阻?。└唠妷汉痛箅娏魈幚砟芰Φ?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體元件
2023-03-23 16:01:54

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