以電阻系數(shù)標示電導率時，半導體的電阻系數(shù)介于10-4至108Ωcm區(qū)間，導體的電阻系數(shù)位于10-8至10-4Ωcm區(qū)間，絕緣體的電阻系數(shù)橫跨108至1018Ωcm范圍。
2024-03-19 11:33:03
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半導體開發(fā)出第一個單片式集成電路時，事情開始變得非常有趣了?？匆豢聪旅孢@張由計算機歷史博物館提供的照片，它展示了一些參與這一開創(chuàng)性工作的早期先驅(qū)（我們稱其為八叛逆）。請注意，照片中的每個人都穿著夾克，打著
2024-03-13 16:52:37
蓉矽半導體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領(lǐng)域的技術(shù)實力，也進一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領(lǐng)域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228 想問一下，半導體設備需要用到溫度傳感器的有那些設備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
2023年，東芝半導體的功率器件銷售額估計約為1000億日元，其中35%用于汽車市場，20%用于工業(yè)市場。
2024-03-04 18:10:33301 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導體器件制作的需要。因此，1959年末開發(fā)了薄層單晶材料生長技外延生長。那外延技術(shù)到底對材料的進步有了什么具體的幫助呢？
2024-02-23 11:43:59300 
MOSFET，全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導體場效應晶體管，是一種半導體器件。這種晶體管利用控制輸入回路
2024-02-19 16:38:061952 
引言：EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈市場！EV中的電機控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導體功率器件，它的普及為汽車功率半導體市場打開了增長的窗口。充電
2024-02-19 12:28:04191 
在現(xiàn)代電子設備中，金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）是一種至關(guān)重要的半導體器件。
2024-02-18 16:39:121010 
服務范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測標準l AEC-Q101分立器件認證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101認證試驗廣電計量在SiC第三代半導體器件的AEC-Q認證上具有豐富的實戰(zhàn)經(jīng)驗，為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認證服務，同時，我們也開展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
德國維爾茨堡—德累斯頓卓越集群ct.qmat團隊的理論和實驗物理學家開發(fā)出一種由鋁鎵砷制成的半導體器件。
2024-01-24 09:48:33172 半導體放電管是一種采用半導體工藝制成的PNPN結(jié)四層結(jié)構(gòu)器件，其伏安特性與晶閘管類似，具有典型的開關(guān)特性。當浪涌電壓超過轉(zhuǎn)折的電壓VBO時，器件被導通，這時它呈現(xiàn)一般PN結(jié)二極管的正向電壓降（VF
2024-01-04 16:52:07
RT-thread IDE是否支持HC32L072，也就是小華半導體的芯片？如果支持，哪位好心人發(fā)的芯片支持包
2024-01-04 15:21:25
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 “時間就是金錢”這句話在半導體器件的生產(chǎn)測試中尤為貼切。
2023-12-25 17:21:03285 
派恩杰半導體專注第三代半導體功率器件領(lǐng)域，產(chǎn)品涵蓋碳化硅MOSFET、碳化硅SBD以及氮化鎵HEMT等多個方向。始創(chuàng)于2018年，公司擁有國內(nèi)最為全面的碳化硅功率器件產(chǎn)品。
2023-12-18 14:38:17447 MOSFET (金屬氧化物半導體場效應晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導體器件。它們在不同的應用場景中具有不同的特點和優(yōu)勢。本文將對MOSFET和IGBT進行詳盡
2023-12-15 15:25:35366 12月14日，第三代半導體行家極光獎在深圳重磅揭曉，派恩杰半導體榮膺“中國SiC器件Fabless十強企業(yè)”稱號。
2023-12-15 10:57:45466 半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導體功率器件入手，全面了解半導體的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09451 【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
根據(jù)不同的誘因，常見的對半導體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機器設備和半導體器件這三種。
當靜電與設備導線的主體接觸時，設備由于放電而發(fā)生充電，設備接地，放電電流將立即流過電路，導致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
功率半導體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導體將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 ，如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）等。它們主要在電源、變頻器、電機驅(qū)動等功率電子領(lǐng)域中使用。 集成電路是將大量電子器件（如晶體管、電阻、電容等）集成在單個芯片上，形成一個完整的
2023-12-04 17:00:57682 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 、晶閘管等等，主要用于工業(yè)和電力系統(tǒng)（正因如此，早期才被稱為電力電子器件）后來，隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導體器件的迅速發(fā)展，現(xiàn)在功率半導體器件已經(jīng)非常廣泛，在計算機、通行、消費
2023-12-03 16:33:191134 
三菱電機公司宣布將與Nexperia B.V.結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同為電力電子市場開發(fā)硅碳（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其廣帶隙半導體技術(shù)開發(fā)和供應SiC MOSFET芯片，這些芯片將用于Nexperia開發(fā)SiC分立器件。
2023-11-30 16:14:09165 
按施敏教授的觀點，半導體器件有四個最基本的結(jié)構(gòu)單元：金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合，比如BJT由兩個背靠背的PN結(jié)構(gòu)成，MOSFET由MOS結(jié)構(gòu)和兩對PN結(jié)構(gòu)成。
2023-11-30 15:56:171033 
電力半導體器件是進行電力變換和控制的大功率器件。 可直接用于處理電能的主電路中，實現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。主要用于整流器、逆變器、斬波器、交流調(diào)壓器等方面，廣泛用于工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、國防、交通等各個領(lǐng)域。
2023-11-28 09:54:16398 
全球知名半導體制造商羅姆（ROHM）開發(fā)出一款高輸出功率半導體激光二極管RLD90QZW3，非常適用于搭載測距和空間識別用LiDAR的工業(yè)設備領(lǐng)域的AGV（無人搬運車）和服務機器人、消費電子設備領(lǐng)域的掃地機器人等應用。
2023-11-28 09:03:32309 
2023年11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導體。
2023-11-25 16:50:53451 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件。
2023-11-24 15:51:59682 
半導體器件擊穿機理分析及設計注意事項
2023-11-23 17:38:36472 
半導體分立器件是電子元器件中的重要組成部分，它們在電子設備中發(fā)揮著重要的作用。本文將介紹半導體分立器件的基本概念、分類、應用和發(fā)展趨勢。
2023-11-23 10:12:56792 
11月13日， 三菱電機株式會社（TOKYO：6503）宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其寬禁帶半導體技術(shù)開發(fā)和供應SiC MOSFET芯片，Nexperia將用于開發(fā)SiC分立器件。
2023-11-14 10:34:33456 在電子工程和微電子技術(shù)的世界里，半導體器件建模是一個核心概念。它涉及對半導體器件如晶體管、二極管等的電氣行為進行數(shù)學和物理描述。這一過程對于設計高效、可靠的電子設備至關(guān)重要。本文旨在深入探討半導體器件建模的概念、其重要性以及在現(xiàn)代技術(shù)中的應用。
2023-11-13 10:48:27515 
半導體材料是制作半導體器件與集成電路的基礎(chǔ)電子材料。隨著技術(shù)的發(fā)展以及市場要求的不斷提高，對于半導體材料的要求也越來越高。因此對于半導體材料的測試要求和準確性也隨之提高，防止由于其缺陷和特性而影響半導體器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 電子電力器件又稱為功率半導體器件，在世界上已經(jīng)得到了極為廣泛的運用，主要是作為開關(guān)和放大器來使用。它出現(xiàn)在社會生活中的各個方面，如醫(yī)療、教育、能源、環(huán)境和航空航天，甚至涉及到了現(xiàn)代化國防武器裝備
2023-11-10 10:15:031964 
一、功率器件在半導體產(chǎn)業(yè)中的位置功率半導體器件，簡稱功率器件，又稱電力電子器件，屬于半導體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】，典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)動芯片
2023-11-08 17:10:15822 
對于半導體器件而言熱阻是一個非常重要的參數(shù)和指標，是影響半導體性能和穩(wěn)定性的重要因素。如果熱阻過大，那么半導體器件的熱量就無法及時散出，導致半導體器件溫度過高，造成器件性能下降，甚至損壞器件。因此，半導體熱阻測試是必不可少的，納米軟件將帶你了解熱阻測試的方法。
2023-11-08 16:15:28686 
型晶體管，它屬于電壓控制型半導體器件。根據(jù)導電溝道類型和柵極驅(qū)動電壓的不同，可以分為N溝道-增強型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15638 
半導體材料。 寬禁帶半導體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件，正在成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。 寬
2023-11-03 12:10:02273 
半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導體功率器件入手，全面了解半導體的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807 電力電子器件(Power Electronic Device)，又稱為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件?？梢苑譃榘肟匦?b class="flag-6" style="color: red">器件
2023-10-28 10:02:11304 
如今，半導體元器件已成為電子應用中不可或缺的一部分。半導體元器件的需求主要受生命周期較短的消費電子影響。
2023-10-24 16:43:51604 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 功率半導體器件與普通半導體器件的區(qū)別在于，其在設計的時候，需要多一塊區(qū)域，來承擔外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導體器件的有點之一。
2023-10-18 11:16:21878 
一 F-200A-60V 半導體器件測試機專為以下測試需求研制： 二 技術(shù)參數(shù)
2023-10-12 15:38:30
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是半導體芯片的制作和半導體芯片封裝的詳細資料概述
2023-09-26 08:09:42
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設備中開關(guān)和放大電子信號的半導體器件。
MOSFET 是一種四端子器件，具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經(jīng)常連接到源極端子，因此使其成為類似于場效應晶體管的三端器件。
2023-09-20 15:09:28791 
在日常的電源設計中，半導體開關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設計是工程師不得不面對的問題，本文旨在分析半導體器件擊穿原理、失效機制，以及在設計應用中注意事項。
2023-09-19 11:44:382578 半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導體功率器件入手，全面了解半導體的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25889 半導體器件高低溫試驗箱具有自動演算的功能，可將溫濕度變化條件立即修正，使溫濕度控制更為準確穩(wěn)定，控制器操作界面設中英文可供選擇，實時運轉(zhuǎn)曲線圖可由屏幕顯示，具有100組程式、每組100段、每段可循
2023-09-12 11:49:27
安建半導體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474 近日，意法半導體與知名汽車Tier 1制造商博格華納達成了一項重要戰(zhàn)略合作協(xié)議。該協(xié)議旨在提供高性能碳化硅MOSFET器件，以升級博格華納的車規(guī)功率模塊。
2023-09-06 10:07:01140 調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導體單晶主要用于功率半導體器件，市場正在穩(wěn)步擴大。
2023-09-04 15:13:24364 
半導體器件中性能最好的是什么?? 半導體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)中最為重要的組成部分之一，是連接芯片和外部電路的中間介質(zhì)。通常，半導體器件的性能被評價的標準是：最大電壓、最大電流、最高工作頻率、響應速度
2023-08-29 16:19:29539 ，減少人力資源消耗，為半導體行業(yè)降本增效。Novator系列全自動影像儀創(chuàng)新推出的飛拍測量、圖像拼接、環(huán)光獨立升降、圖像匹配、無接觸3D掃描成像等功能，多方面滿足客戶測量需求，解決各行業(yè)尺寸測量難題。
2023-08-21 13:38:06
先楫半導體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
在電子工業(yè)的歷史中，硅(Si)已經(jīng)穩(wěn)定地成為半導體元器件的首選材料。從普通的晶體管到今天高度集成的芯片，硅都起到了不可替代的作用。但為什么在眾多元素和化合物中，人們會選擇硅作為制造半導體元器件的主要材料呢？本文將深入探討硅背后的秘密和它在半導體領(lǐng)域中的無與倫比的地位。
2023-08-08 10:12:354873 
隨著半導體工藝技術(shù)的發(fā)展，芯片集成度不斷提高，封裝尺寸越來越小，半導體器件面臨著更高的熱應力挑戰(zhàn)。結(jié)溫過高不僅降低了器件的電氣性能，而且增加了金屬遷移率和其他退化變化，從而導致芯片老化加速、故障率
2023-08-07 15:18:381962 
列。 ? ? ? ? ? 公司汽車電子事業(yè)部總監(jiān)李海鋒應邀在會上作了《汽車電氣化中國產(chǎn)半導體的機遇和挑戰(zhàn)》主題演講。 ? ? ? 士蘭微電子功率器件中，MOSFET、IGBT大功率模塊（PIM）、肖特基管、穩(wěn)壓管、開關(guān)管、TVS管等產(chǎn)品的增長較快，公司的超
2023-08-07 11:34:091676 半導體材料是制作半導體器件和集成電路的電子材料，是半導體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導體材料制作的各種各樣的半導體器件和集成電路，促進了現(xiàn)代信息社會的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031978 
MOSFET，也稱為金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一種常見的電子器件。它是一種半導體器件
2023-08-04 15:24:152047 功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
半導體功率
器件在全球
半導體市場中占有重要的位置，其在新能源、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域的應用越來越廣泛。然而，中國的
半導體功率
器件產(chǎn)業(yè)與全球領(lǐng)先的
半導體產(chǎn)業(yè)國家相比，還存在一定的差距。本文將探討中國的
半導體功率
器件產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀，與國際先進水平的差距以及未來的發(fā)展?jié)摿Α?/div>
2023-07-19 10:31:11603 
從事輸出半導體零部件的研究開發(fā)、生產(chǎn)及銷售的瑞能半導，以芯片設計、晶片制造、成套設計為一體化經(jīng)營輸出半導體企業(yè)，致力于領(lǐng)先的輸出半導體零部件組裝的開發(fā)和生產(chǎn)。公司的主要產(chǎn)品主要是晶閘管、功率二極管等，廣泛用于以家電產(chǎn)品為代表的消費者電子、以通信電源為代表的工業(yè)制造、新能源及汽車等領(lǐng)域。
2023-07-18 09:43:38864 技術(shù)。 三安半導體專注于碳化硅、氮化鎵功率半導體的研發(fā)和制造，展會現(xiàn)場展示了最新的產(chǎn)品系列，包括SiC MOSFET、SiC Schottky二極管和GaN HEMT等關(guān)鍵器件，其中自主開發(fā)的SiC MOSFET產(chǎn)品和工藝平臺備受矚目。憑借卓越的品質(zhì)和先進的制造工藝，三安半導體贏得了全球
2023-07-12 21:39:14428 
在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域，高壓（HV）分立功率半導體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 
及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設及第三代半導體功率器件研發(fā)項目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設及第三代半導體功率器件研發(fā)項目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
據(jù)藍色空港消息，先進半導體制造項目主要從事第三代半導體功率器件的設計、研發(fā)、制造、功率器件clip先進工程包裝、電力驅(qū)動產(chǎn)品應用方案的開發(fā)和銷售。該項目總投資8億元，分三期建設，一期投資2億元，計劃建設6條clip先進包裝生產(chǎn)線。
2023-06-27 10:31:18602 公司團隊由來自國內(nèi)外知名半導體企業(yè)的成員組成，公司擁有經(jīng)驗豐富且具有創(chuàng)新能力的國際型人才隊伍，團隊核心成員從事半導體功率器件設計和工藝開發(fā)20余年，擁有業(yè)界領(lǐng)先的模組及芯片設計研發(fā)水平及完善的工藝。
2023-06-25 16:41:55337 
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布擴充 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:32562 （VLSI）設備采用的設計方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導體加工工藝。金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)從70年代的初級場效應晶體管發(fā)展而來。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號。雙極結(jié)型晶體管（BJT)自身的局限性驅(qū)動了功率
2023-06-17 14:24:52591 
廣，不管是在居民區(qū)、商業(yè)區(qū)或是高速公路服務區(qū)，都能使用充電樁為新能源電動汽車便捷充電。安森德憑借在半導體功率器件和封裝領(lǐng)域的技術(shù)積累，研發(fā)出同類別性能優(yōu)異的超級結(jié)MOSFET，具備更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
蘭奈梅亨--(美國商業(yè)資訊)--Nexperia(安世半導體)，分立器件、邏輯器件和 MOSFET 器件的全球領(lǐng)導者，今日宣布其已采用 Trench 11 技術(shù)實現(xiàn)具有史上最低導通阻抗
2023-06-08 13:57:21441 基于半導體器件的智能配電方案根據(jù)應用場景主要有如下兩種：1. 驅(qū)動芯片加 MOSFET 分立方案。這種方案的復雜度很高， 突出表現(xiàn)在：電流檢測難度大， 電路保護復雜， 診斷功能復雜， 保護功能少， 保護速度慢， 保護策略復雜。該方案的綜合成本較高， 適用于大電流場合。
2023-05-29 12:42:43449 
分立器件行業(yè)概況
半導體分立器件是半導體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)及核心領(lǐng)域之一，其具有應用領(lǐng)域廣闊、高成品率、特殊器件不可替代等特性。
從市場需求看，分立器件受益于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備、智能家居、健康護理、安防電子
2023-05-26 14:24:29
功率半導體分立器件的應用十分廣泛，幾乎覆蓋了所有的電子制造業(yè)，傳統(tǒng)應用領(lǐng)域包括消費電子、網(wǎng)絡通信、工業(yè)電機等。近年來，新能源汽車及充電系統(tǒng)、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源發(fā)電、航空航天及武器裝備等也逐漸成為了功率半導體分立器件的新興應用領(lǐng)域。
2023-05-26 09:51:40573 半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583446 
二極管半導體器件的應用和參數(shù)對比NO.1二極管種類區(qū)別按操作特性進行比較：器件結(jié)構(gòu)說明對比：肖特基二極管由金屬與半導體結(jié)結(jié)形成。在電氣方面，它由多數(shù)載波進行，具有較低的電流泄漏和正向偏置電壓(VF
2023-05-11 10:11:45221 
據(jù)統(tǒng)計，IGBT、MOS管、電源管理IC等在儲能逆變器里占比高、數(shù)量多，是必不可少的半導體器件。
2023-05-08 15:46:30862 
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
意法半導體（ST）宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應協(xié)議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預計2021年我國半導體分立器件市場規(guī)模將達到3,229億元。就國內(nèi)市場而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 16:00:28
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預計2021年我國半導體分立器件市場規(guī)模將達到3,229億元。就國內(nèi)市場而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39
評估，以改善動態(tài)特性和可靠性，并開發(fā)有助于實現(xiàn)碳中和的更具吸引力的高性能功率半導體器件。新研發(fā)的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級SiC MOSFET特性對比
2023-04-11 15:29:18
半導體分立器件是由單個半導體晶體管構(gòu)成的具有獨立、完整功能的器件。例如：二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場效應晶體管(結(jié)型場效應晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-29 16:59:37404 
MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN
2023-03-29 09:58:20
MOSFET N CH 60V 25A 8-PQFN
2023-03-28 22:19:01
半導體分立器件是由單個半導體晶體管構(gòu)成的具有獨立、完整功能的器件。例如：二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場效應晶體管(結(jié)型場效應晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-28 13:10:04457 已全部加載完成
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