FET和BJT放大電路的比較分析

FET和BJT重要特性的比較

1）FET和BJT都有兩個(gè)PN結(jié)，3個(gè)電極。 有如下的對(duì)應(yīng)關(guān)系：

柵極g-->基極b 源極s-->發(fā)射極e 漏極d-->集電極c

2）都利用兩個(gè)電極之間的電壓控制流過第三個(gè)電極的電流來實(shí)現(xiàn)輸入對(duì)輸出的控制。

MOS ：柵-源電壓vGS控制漏極iD , iD與vGS之間是平方律關(guān)系，為電壓控制器件。

B J T： 基-射極間電壓vBE控制集電極電流iC , iC與vBE之間是指數(shù)關(guān)系。 為電流控制器件。

3）MOS管的跨導(dǎo)gm不僅與VGSQ和開啟（夾斷）電壓的差值（或IDQ）有關(guān)，而且還與其溝道的寬長(zhǎng)比W/L 有關(guān)。 而BJT的gm 僅與ICQ有關(guān) 。

4）這兩類器件的輸出電阻ro都等于Early電壓VA與靜態(tài)電流（IDQ或ICQ）的比值。 通常BJT的VA比MOS管的VA大。 意味著 BJT的輸出電阻ro 比MOS管的大。

5）MOS管的Kn與BJT的b 或a具有類似的性質(zhì)，即它們主要取決于管子的固有參數(shù)（如，尺寸、參雜濃度、載流子遷移率等），而與它們所在的電路無關(guān)。

FET和BJT放大電路性能的比較

多級(jí)放大電路

分類

1、共射-共基放大電路（CE-CB）

2、共集-共集放大電路（CC-CC）

3、共源-共基放大電路（CS-CB）

一般定義

組合放大電路是由三種基本組態(tài)放大電路適當(dāng)組合構(gòu)成的一種電路結(jié)構(gòu)。

實(shí)際應(yīng)用的放大器，除了要有較高的放大倍數(shù)之外，往往還對(duì)輸入、輸出電阻及其他性能提出要求。

根據(jù)三種基本放大電路的特性，將他們適當(dāng)組合，取長(zhǎng)補(bǔ)短，可以獲得各具特點(diǎn)得組合放大電路。

組合電路的形式很多，主要介紹常用的“共射-共基”和“共集-共射”組合。

組合電路分析

特點(diǎn):

組合放大電路總的電壓增益等于組成它的各級(jí)單管放大電路電壓增益的乘積。

前一級(jí)的輸出電壓是后一級(jí)的輸入電壓，后一級(jí)的輸入電阻是前一級(jí)的負(fù)載電阻。

共射-共基放大電路 （CE-CB）

下圖中，T1為共發(fā)射極電路，T2為共基極電路，采用直接耦合方式，所以稱為共射—共基組合電路。

共射-共基放大電路圖

靜態(tài)工作點(diǎn)：

電壓放大倍數(shù):

參照上面的共射-共基放大電路圖，可以分析出

輸入、輸出電阻：

從上面的交流通路可以輕易的看出輸入輸出電阻

結(jié)論：

雖然組合電路的電壓放大倍數(shù)只相當(dāng)于共射的電壓放大倍數(shù)，但它有 較寬的通頻帶 ，在高頻電路中得到廣泛地運(yùn)用。

共集-共集放大電路 （CC-CC）

下圖中T1和T2均為共集電極電路,采用直接耦合方式,稱為共集-共集組合電路。

共集-共集放大電路圖

電壓放大倍數(shù)：

參照上面的共集-共集放大電路圖，可以分析出

輸入、輸出電阻：

從上面的交流通路可以輕易的看出輸入輸出電阻

結(jié)論：

輸入電阻更大，輸出電阻更小。

附加：

在下圖中T1和T2 可等效為一只三極管 ，稱為 復(fù)合管 ，可等效為一個(gè)NPN管， 擴(kuò)大電流的驅(qū)動(dòng)能力，提高輸入電阻 。 詳細(xì)見下圖：

復(fù)合管特性：

共源-共基放大電路 （CS-CB）

下圖中T1為共源極電路，T2為共基極電路，采用直接耦合方式，所以稱為共源—共基組合電路。

電壓放大倍數(shù)：

參照上面的共集-共集放大電路圖，可以分析出

輸入、輸出電阻：

從上面的交流通路可以輕易的看出輸入輸出電阻