約2?mm的8英寸碳化硅晶片。 ? Hobby點評：今年一月，國內(nèi)爍科晶體實現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)，而僅僅幾個月后，國產(chǎn)碳化硅襯底就再傳來了好消息。碳化硅器件的成本中，襯底占比超過40%，所以碳化硅襯底尺寸提高，單位襯底上制造出
2022-05-07 00:55:00
3759 。同時，2019年北京通美也成為全球第四大的砷化鎵襯底供應(yīng)商，砷化鎵襯底銷量突破175萬片。 ? ? ? 成立于1998年的北京通美，目前主要產(chǎn)品為磷化銦襯底、砷化鎵襯底、鍺襯底、PBN坩堝、高純金屬及化合物等，應(yīng)用于5G通信、數(shù)據(jù)中心、新一代顯示
2022-07-15 08:10:005153 Valley的SiC晶圓廠，并開始投產(chǎn)8英寸SiC襯底。又在今年1月份與采埃孚合作，斥資超20億歐元在德國薩爾州建廠。 在國際大廠布局的同時，國產(chǎn)碳化硅廠商也在加速追趕，爭搶當(dāng)下最火熱的汽車、儲能等市場。2022年國內(nèi)已有不少SiC擴產(chǎn)項目啟動、竣工，進入2023年，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈在投
2023-02-21 16:32:213622 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）“碳化硅行業(yè)得襯底者得天下”，襯底作為SiC產(chǎn)業(yè)鏈中成本占比最大的部分，自然是各家必爭之地。在下游需求帶動下，SiC襯底正在從6英寸開始向8英寸推進，更大的襯底尺寸
2022-11-23 09:22:561614 在SiC襯底上生成MOS電容器的結(jié)構(gòu)，這項專利后來被視為促成SiC MOSFET誕生的關(guān)鍵。 ? 不過，由于襯底良率、制造工藝等問題，直到2011年SiC MOSFET才正式實現(xiàn)商業(yè)化，彼時的Cree推出
2023-03-18 00:07:003104 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）今年以來國內(nèi)的SiC產(chǎn)業(yè)進展神速，除了上游廠商陸續(xù)放出8英寸襯底的進展之外，還有多家襯底廠商與海外半導(dǎo)體巨頭簽下供應(yīng)協(xié)議。上個月，國內(nèi)SiC襯底龍頭天岳先進展示了一種
2023-07-12 09:00:19829 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在過去的2023年，國產(chǎn)SiC功率器件產(chǎn)品迎來了全面爆發(fā)，眾多廠商宣布入局或是推出車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品，尋求打進汽車供應(yīng)鏈。而今年春節(jié)后的新一輪新能源汽車降價
2024-03-13 01:17:002639 
為主，中下游的激光設(shè)備及激光加工服務(wù)等占據(jù)了八成的激光市場空間。目前，中國是全球最大的工業(yè)加工激光設(shè)備需求市場。據(jù)《2019中國激光產(chǎn)業(yè)發(fā)展報告》顯示，2018年中國激光設(shè)備銷售收入突破605億元
2020-03-30 09:50:17
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
效率，并實現(xiàn)了全球節(jié)能。事實上，有人估計的IGBT幫助阻止750000億磅的CO 2排放量在過去25年?！ 【拖穸兰o八十年代的IGBT革命一樣，今天寬帶隙半導(dǎo)體碳化硅（SiC）再次顯示出為電力
2023-02-27 13:48:12
程度的小電流，所以與Si-FRD相比，能夠明顯地減少損耗。而且，該瞬態(tài)電流基本上不隨溫度和正向電流而變化，所以不管何種環(huán)境下，都能夠穩(wěn)定地實現(xiàn)快速恢復(fù)。另外，還可以降低由恢復(fù)電流引起的噪音，達到降噪的效果。SiC半導(dǎo)體SiC-MOSFET
2019-03-14 06:20:14
比Si器件低，不需要進行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實現(xiàn)高耐壓和低阻抗?！ 《襇OSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并且實現(xiàn)散熱部件
2023-02-07 16:40:49
，不需要進行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并且實現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-04-09 04:58:00
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計？SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
進行介紹。SiC功率元器件的開發(fā)背景之前談到，通過將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實現(xiàn)以往Si功率元器件無法實現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。其背景是為了促進解決全球
2018-11-29 14:35:23
，不需要進行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并且實現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55
載流子器件（肖特基勢壘二極管和MOSFET）去實現(xiàn)高耐壓，從而同時實現(xiàn) "高耐壓"、"低導(dǎo)通電阻"、"高頻" 這三個特性。另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩(wěn)定工作。
2019-07-23 04:20:21
不具備足夠的堅固性。當(dāng)前對大功率、高溫器件封裝技術(shù)的大量需求引起了對這一領(lǐng)域的研發(fā)熱潮?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層，且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上
2018-09-11 16:12:04
實現(xiàn)“充電5分鐘，續(xù)航超200公里?！睒O氪智能旗下威睿電動汽車技術(shù)有限公司正式發(fā)布了600kW超充技術(shù)，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，據(jù)稱可實現(xiàn)充電5分鐘續(xù)航里程增加300公里。哪吒汽車發(fā)布浩智800V SiC高性能
2022-12-27 15:05:47
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
TMM、Duorid和PTFE。在加工柔性基材和敏感基材時，激光直接成型技術(shù)優(yōu)勢更明顯，不用與材料接觸，就能進行光蝕，因此更可靠，不會對基材產(chǎn)生損害。激光直接大面積剝離銅層不傷基底材料（軟基，硬基均可）汪先生 ***
2016-06-27 13:25:29
TMM、Duorid和PTFE。在加工柔性基材和敏感基材時，激光直接成型技術(shù)優(yōu)勢更明顯，不用與材料接觸，就能進行光蝕，因此更可靠，不會對基材產(chǎn)生損害。激光直接大面積剝離銅層不傷基底材料（軟基，硬基均可）汪先生 ***
2016-06-27 13:27:15
TMM、Duorid和PTFE。在加工柔性基材和敏感基材時，激光直接成型技術(shù)優(yōu)勢更明顯，不用與材料接觸，就能進行光蝕，因此更可靠，不會對基材產(chǎn)生損害。激光直接大面積剝離銅層不傷基底材料（軟基，硬基均可）汪先生 ***
2016-06-27 13:26:43
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
項目名稱：風(fēng)電伺服驅(qū)動控制器SiC器件試用試用計劃：申請理由本人在工業(yè)控制領(lǐng)域有十余年的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗，目前正在從事風(fēng)電機組變槳控制系統(tǒng)伺服驅(qū)動器的開發(fā)，是一個國產(chǎn)化項目，也是SiC器件應(yīng)用的領(lǐng)域
2020-04-24 18:03:59
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
TG傳輸門電路中。當(dāng)C端接+5，C非端接0時。源極和襯底沒有連在一起，為什么當(dāng)輸入信號改變時，其導(dǎo)通程度怎么還會改變？導(dǎo)電程度不是由柵極和襯底間的電場決定的嗎？而柵極和襯底間的電壓不變。所以其導(dǎo)通程度應(yīng)該與輸入信號變化無關(guān)?。《鴷险f起導(dǎo)通程度歲輸入信號的改變而改變？為什么?求詳細解釋！謝謝！
2012-03-29 22:51:18
-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不僅擁有優(yōu)異的高速性且實現(xiàn)了高耐壓。Si-SBD的耐壓極限為200V，而SiC具有硅10倍的擊穿場強，故ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)1200V的產(chǎn)品，同時在推進
2018-11-29 14:33:47
功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應(yīng)用案例和使用方法。何謂全SiC功率模塊ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關(guān)損耗進一步降低ROHM在行業(yè)中率先實現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
,耦合器,合成實驗,突破,成功率【DOI】：CNKI:SUN:QJGY.0.2010-02-006【正文快照】：2010年1月16日,中國兵器裝備研究院大功率激光實驗室成功完成了7路光纖激光組束合成實驗,在
2010-04-22 11:37:22
激光測距原理是什么？如何實現(xiàn)激光脈沖測距雷達系統(tǒng)？
2021-04-29 06:14:35
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點：可以實現(xiàn)集成電路
2012-01-12 10:47:00
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
的發(fā)展中，Si功率器件已趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當(dāng)今社會對于高 頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型化的新需求。以SiC為代表的 第三代半導(dǎo)體材料憑借其優(yōu)異屬性，將成為突破口，正在迅速
2017-07-22 14:12:43
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
隨著國家對節(jié)能減排的日益重視，成都LED燈市場的逐步啟動，飛利浦、富士康等大公司涉足LED燈行業(yè)，LED概念股普漲，使得LED技術(shù)成為大眾熱點，下面簡要概述LED襯底技術(shù)。上圖為LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖
2012-03-15 10:20:43
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
SJ6000國產(chǎn)激光干涉儀配備的EC20環(huán)境補償單元，由環(huán)境補償主機（內(nèi)置濕度傳感器和氣壓傳感器）、空氣溫度傳感器和3個材料溫度傳感器組成，可實現(xiàn)對空氣溫度、濕度、大氣壓力和材料溫度的實時高精度檢測
2023-05-16 16:40:56
激光跟蹤儀是建立在激光和自動控制技術(shù)基礎(chǔ)上的一種高精度三維測量系統(tǒng)，主要用于大尺寸空間坐標(biāo)測量領(lǐng)域。它集中了激光干涉測距、角度測量等先進技術(shù)，基于球坐標(biāo)法測量原理，通過測角、測距實現(xiàn)三維坐標(biāo)的精密
2023-06-15 10:29:00
。廣泛應(yīng)用于數(shù)控機床、激光打標(biāo)/切割、三坐標(biāo)、影像儀、精密測量、自動化、機器人、3D打印等領(lǐng)域。中圖國產(chǎn)激光干涉儀sj6000結(jié)合不同的光學(xué)鏡組，可實現(xiàn)線性測長、角度、直
2023-09-28 09:12:11
GTS國產(chǎn)激光跟蹤儀集激光干涉測距技術(shù)、光電檢測技術(shù)、精密機械技術(shù)、計算機及控制技術(shù)、現(xiàn)代數(shù)值計算理論于一體，是同時具高精度（μm級）、大工作空間（百米級）的高性能光電測量儀器，主要用于百米
2023-10-11 16:44:24
國產(chǎn)機床激光干涉儀sj6000除了環(huán)境適應(yīng)能力好，還可以進行動態(tài)高速測量，選配相應(yīng)的功能模塊元件后還可以測量振動幅度、平面度、線速度、角速度等。產(chǎn)品簡介國產(chǎn)機床激光干涉儀sj6000具有測量精度高
2024-01-11 09:12:25
藍寶石（Al2O3）,硅 (Si),碳化硅（SiC）LED襯底材料的選用比較
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用
2009-11-17 09:39:204932 同益激光重磅推出5000W 1064nm激光器
2010年5月27-30日，同益激光與合作伙伴如岡自動化控制技術(shù)（上海）有限公司將參加亞洲最大
2010-04-14 09:27:40824 目前日本日亞公司壟斷了藍寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國際上的一個熱點。南昌大學(xué)
2010-06-07 11:27:281388 
隨著國產(chǎn)襯底的生產(chǎn)工藝和控制能力的不斷提升，國產(chǎn)襯底的應(yīng)用也越來越廣。作者就國產(chǎn)襯底在雙極型集成電路制造中普遍關(guān)心的問題做了全面的評估，包括物理參數(shù)、電參數(shù)、圓片合格率，以及大規(guī)模生產(chǎn)的工程能力指數(shù)。評估結(jié)果說明國產(chǎn)襯底在品質(zhì)上已經(jīng)完全能夠媲美進口襯底，滿足大規(guī)模生產(chǎn)的需求。
2018-04-22 09:53:4910142 、機械應(yīng)力和熱預(yù)算等方面都有獨特的要求，因此確定合適的剝離技術(shù)比較困難。這里只是枚舉了幾個例子，實際情況更為復(fù)雜。我們將在本文中重點討論激光剝離（laser debonding）：如抗高溫更兼容的材料可應(yīng)用于哪些情況，激光剝離的特性適于哪些應(yīng)用等。
2018-07-10 09:27:008066 大族顯視與半導(dǎo)體從2013年便開始對激光剝離（Laser Lift Off，簡稱LLO）技術(shù)進行研發(fā)及技術(shù)儲備，針對GaN基Micro LED和垂直結(jié)構(gòu)LED晶圓藍寶石襯底的剝離，成功研發(fā)并推出全自動LLO激光剝離設(shè)備。
2019-05-07 10:21:2813090 LED襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，其決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。目前，能作為LED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最廣泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:033716 高功率激光器國產(chǎn)化加快 發(fā)展瓶頸亟待突破 高功率激光器具有體積小、重量輕、電光轉(zhuǎn)換效率高、性能穩(wěn)定、可靠性高和壽命長等特點。目前低功率激光器和中功率激光器正在逐步實現(xiàn)國產(chǎn)化,高功率激光器國產(chǎn)
2019-12-02 23:09:00391 全球SiC的產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國、歐洲、日本三足鼎立的態(tài)勢。美國的科銳、德國的英飛凌、日本的羅姆這三家公司占據(jù)了全球SiC市場約70%的份額，其中科銳、羅姆實現(xiàn)了從SiC襯底、外延、設(shè)計、器件及模塊制造的全產(chǎn)業(yè)鏈布局。
2020-09-26 10:14:562013 全球新一輪動力電池產(chǎn)能擴充釋放巨大的鋰電材料、設(shè)備市場需求空間，國產(chǎn)鋰電設(shè)備迎來新的發(fā)展機遇和挑戰(zhàn)。 在銳科激光冠名的智能制造升級專場，銳科激光副董事長閆大鵬作了“國產(chǎn)光纖激光器的現(xiàn)狀及未來”的主題
2020-12-23 17:54:423118 同時，伴隨著我國產(chǎn)業(yè)制造升級，芯片和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)把握住需求和供給的矛與盾，在外部環(huán)境和內(nèi)部大循環(huán)的推動下，正在實現(xiàn)國產(chǎn)化突破。
2021-01-19 15:30:143380 日本關(guān)西學(xué)院大學(xué)和豐田通商于3月1日宣布，他們已開發(fā)出“動態(tài)AGE-ing”技術(shù)，這是一種表面納米控制工藝技術(shù)，可以消除使SiC襯底上的半導(dǎo)體性能變差的缺陷。
2021-03-06 10:20:083028 來探討一下碳化硅襯底的國產(chǎn)化進程。 ◆ 碳化硅襯底類型 碳化硅分為立方相（閃鋅礦結(jié)構(gòu)）、六方相（纖鋅礦結(jié)構(gòu)）和菱方相3大類共 260多種結(jié)構(gòu)，目前只有六方相中的 4H-SiC、6H-SiC才有商業(yè)價值。另碳化硅根據(jù)電學(xué)性能的不同主要可分
2021-07-29 11:01:184375 在開關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢更為凸顯。 下文主要對國產(chǎn)SiC MOSFET進行介紹并與國外相近參數(shù)的主流產(chǎn)品相對比。 國產(chǎn)1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 退火后對結(jié)特性的剝離和清潔對于實現(xiàn)預(yù)期和一致的器件性能至關(guān)重要，發(fā)現(xiàn)光致抗蝕劑剝離和清洗會導(dǎo)致:結(jié)蝕刻、摻雜劑漂白和結(jié)氧化，植入條件可以增強這些效應(yīng)，令人驚訝的是，剝離和清潔也會影響摻雜劑分布，并且
2022-05-06 15:55:47349 
具有高k柵極電介質(zhì)的鍺和絕緣體上鍺(GeOI)MOSFET由于鍺比硅具有更好的載流子傳輸特性，最近受到了先進技術(shù)節(jié)點的關(guān)注。對于Ge或GeOI CMOS，必須確定Ge專用的抗蝕劑剝離工藝，因為
2022-05-25 16:43:16319 
作為國內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應(yīng)用SiC器件的公司，在SiC功率器件領(lǐng)域，比亞迪半導(dǎo)體于2020年取得重大技術(shù)突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機驅(qū)動控制器中的規(guī)?；瘧?yīng)用。
2022-06-21 14:40:571216 在圖案化的抗蝕劑上濺射或蒸發(fā)金屬，然后剝離金屬，傳統(tǒng)上用于在砷化鎵晶片處理中定義互連，在剝離工藝中，首先在襯底上沉積并圖案化諸如光致抗蝕劑的犧牲材料，然后將金屬沉積在頂部，隨后通過暴露于溶劑浸泡
2022-06-27 17:21:55807 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）“碳化硅行業(yè)得襯底者得天下”，襯底作為SiC產(chǎn)業(yè)鏈中成本占比最大的部分，自然是各家必爭之地。在下游需求帶動下，SiC襯底正在從6英寸開始向8英寸推進，更大的襯底尺寸
2022-11-23 07:20:031487 近年來，半絕緣SiC襯底上外延生長的GaN高遷移率晶體管(GaN-on-SiC HEMTs)已廣泛應(yīng)用于微波射頻領(lǐng)域的功率放大器電路中。
2022-12-02 11:43:46473 使用物理氣相傳輸法（PVT）制備出直徑 209 mm 的 4H-SiC 單晶，并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標(biāo)準 8 英寸 SiC 單晶襯底。使用拉曼光譜儀、高分辨 X-射線衍射
2022-12-20 11:35:501698 使用 SiC 實現(xiàn)更快的 EV 充電
2022-12-29 10:02:50493 本實驗通過以自主研發(fā)的由c軸偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC襯底作為籽晶和擴徑生長的起始點，采用物理氣相傳輸(physical vapor transport, PVT)法進行擴徑生長獲得直徑放大的SiC單晶。
2023-01-17 14:10:101194 經(jīng)過在SiC賽道長達十年甚至更久的技術(shù)及硬件積累，上述這些SiC芯片供應(yīng)商們由于特定的歷史條件，大多是IDM模式，而且如今包括ST、安森美、羅姆等多家廠商還通過投資或購買SiC襯底產(chǎn)業(yè)鏈逐漸實現(xiàn)更上游的自我供給。
2023-02-08 14:03:281127 硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩(wěn)定性和抗拉強度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。
2023-02-14 14:36:081130 SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層，且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底，因為它具有合理的熱導(dǎo)率（60W/m-K）和低熱膨脹系數(shù)（2.7ppm/℃），與SiC的熱膨脹系數(shù) （3.9ppm/℃）十分接近。
2023-02-16 14:05:573194 根據(jù)《2022碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》，目前全球已有超14家企業(yè)在8吋碳化硅襯底方面實現(xiàn)突破，而Wolfspeed已于去年實現(xiàn)生產(chǎn)。謝明凱指出，在8吋方面，盛新材料與Wolfspeed的距離只有一年之遙。
2023-03-17 10:55:07904 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，今宣布首次獲得Ultra C SiC 碳化硅襯底清洗設(shè)備的采購訂單。該平臺還可配置盛美上海自主研發(fā)的空間交變相位移（SAPS）清洗技術(shù)，在不損傷器件的前提下實現(xiàn)更全面的清洗。該訂單來自中國領(lǐng)先的碳化硅襯底制造商，
2023-03-28 17:17:11336 重磅突破:鳳凰動力高速AGV舵輪,較傳統(tǒng)AGV舵輪5倍速度提升,意味著客戶提升5倍運轉(zhuǎn)效率,明智之選鳳凰動力真給力
2023-04-12 15:15:38548 
以砂漿線切割為例，多達40%的碳化硅晶錠以粉塵的形式浪費掉，而且切割線的高速行走過程還會造成20~50μm的粗糙起伏與表面/亞表面結(jié)構(gòu)損傷，據(jù)分析，碳化硅多線切割技術(shù)的總材料損耗量高達30%~50%。
2023-05-24 17:03:181488 
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092828 
研究機構(gòu)TECHCET日前預(yù)測，盡管全球經(jīng)濟普遍放緩，但2023年SiC襯底市場將持續(xù)強勁增長。
2023-06-08 10:12:34436 
SiC薄膜生長方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長速度適中、過程可自動控制等優(yōu)點，是生長用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。
2023-06-19 09:35:52644 
度亙激光重磅發(fā)布通信級單模980nm半導(dǎo)體激光芯片與模塊產(chǎn)品
2022-11-23 10:29:16689 
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料, 具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率、強化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)良特性
2023-08-31 16:13:05580 
導(dǎo)電型襯底Wolfspeed一家獨大，絕緣型襯底天岳先進入圍前三。2020年全球?qū)щ娦?b class="flag-6" style="color: red">SiC襯底依舊被Wolfspeed、II-VI、羅姆壟斷，CR3高達90%，其中Wolfspeed市占率高達62
2023-09-07 16:26:321599 
SiC 襯底是由 SiC 單晶材料制造 而成的晶圓片。襯底可以直接進入 晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也 可以經(jīng)過外延加工，即在襯底上生 長一層新的單晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:39
4 科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40724 SiC襯底，產(chǎn)業(yè)瓶頸亟待突破
2023-01-13 09:06:233 市場空間巨大，SiC國產(chǎn)化趨勢加速
2023-01-13 09:07:052 2023年國產(chǎn)SiC上車
2023-10-31 23:02:000 高功率超快激光器應(yīng)用于先進制造、信息、微電子、醫(yī)療、能源、軍事等領(lǐng)域，相關(guān)科技應(yīng)用研究對推進國家戰(zhàn)略發(fā)展至關(guān)重要。激光增益器件是高功率超快激光器的核心基礎(chǔ)材料，受到世界各國的高度關(guān)注。
2023-11-21 10:52:44235 
去年7月，超芯星6英寸SiC襯底進入美國一流器件廠商，由此成功打入美國市場；同年，超芯星成功研制出8英寸SiC襯底；今年7月，超芯星在官微宣布，公司已與國內(nèi)知名下游客戶簽訂了8英寸SiC深度戰(zhàn)略合作協(xié)議。為滿足國內(nèi)外市場需求，超芯星計劃將6-8英寸SiC襯底的年產(chǎn)量提升至150萬片。
2023-12-15 17:16:161131 在新能源產(chǎn)業(yè)強勁需求下，全球SiC產(chǎn)業(yè)步入高速成長期，推升了對SiC襯底產(chǎn)能的需求。
2023-12-19 10:09:18295 
海目星激光重磅推出高智能雙層寬幅高速涂布機，具備更精密的工藝制程、更智能的生產(chǎn)過程、更高的生產(chǎn)效率，突破鋰電高端產(chǎn)能。
2024-01-18 10:36:29256 
對于一線SiC廠商掀起“價格戰(zhàn)”、SiC襯底降價近三成等說法，業(yè)內(nèi)持有不同觀點。
2024-02-23 11:14:58130 近年來，隨著碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，降低SiC成本的呼聲日益強烈，最終產(chǎn)品價格仍然是消費者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個成本結(jié)構(gòu)中占比最高，達到50%左右。
2024-03-08 14:24:32197 
前不久，SiC晶錠襯底企業(yè)博雅新材公布IPO進度，近日，該公司完成了2億元融資，加快IPO進程。
2024-03-14 11:39:49374 
SiC晶圓廠，也意味著8英寸襯底正式拉開量產(chǎn)大幕。 ? 那么8英寸襯底有哪些優(yōu)點以及技術(shù)難點，目前國內(nèi)廠商的進度又如何？近期包括天科合達、爍科晶體等廠商以及產(chǎn)業(yè)人士都分享了一些最新觀點。 ? 8 英寸碳化硅襯底的必要性 ? 正如硅基芯片所用到的
2023-06-22 00:16:002283 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在過去的2023年里，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破，8英寸進展神速，同時三安和天岳先進、天科合達等獲得海外芯片巨頭的認可，簽下
2024-01-16 09:03:131704
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論