【2022年5月10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發(fā)布了一項(xiàng)全新的CoolSiC?技術(shù)，即CoolSiC? MOSFET 1200
2022-05-10 14:10:02
2200 
德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，并在2012年5月8日～10日于德國舉行的電源技術(shù)展會(huì)“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:481711 美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。
2012-05-18 09:25:34781 
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)采用
2012-11-17 10:40:171505 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出堅(jiān)固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)及不間斷電源 （UPS） 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2013-06-14 15:22:001278 大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-10 14:04:347768 
基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì)，開發(fā)出了短路耐受時(shí)間長(zhǎng)，導(dǎo)通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:039313 
該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡(jiǎn)系統(tǒng)。
2020-10-20 15:18:001556 CIPOS Maxi IPM集成了改進(jìn)的6通道1200 V絕緣體上硅（SOI）柵極驅(qū)動(dòng)器和六個(gè)CoolSiC? MOSFET，以提高系統(tǒng)可靠性，優(yōu)化PCB尺寸和系統(tǒng)成本。
2020-12-11 17:01:08971 Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個(gè)功率因數(shù)（cos φ）范圍內(nèi)工作而設(shè)計(jì)，它采用最先進(jìn)的CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT7技術(shù)，并具備更高的二極管額定值。
2021-06-09 11:30:261272 ---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的 [1] 第3代碳化硅MOSFET芯片 ，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用 。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產(chǎn)品于今日開始批量
2023-09-04 15:13:401134 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，據(jù)官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181555 
采用了CoolMOS? C7和TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)的半導(dǎo)體器件，以及采用D2PAK 7引腳表面貼裝封裝的1200V CoolSiC? MOSFET（IMBG120R350M1H
2022-08-09 15:17:41
測(cè)試1200V輸入時(shí)，加十多分鐘后就炸機(jī)了，不是一開始就炸，MOS管那一串都炸了，變壓器沒燒毀。大神幫我看一下電路和波形，600V以后的CS波形感覺就不太好看了，不知道是什么導(dǎo)致的。示波器通道2壞了，沒法雙通道，只能這樣了。
2017-12-13 08:56:00
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
變壓器進(jìn)行限制。主要特色針對(duì)多個(gè)光伏串的隔離式高側(cè)電流感應(yīng)能夠以小于 1% 滿量程的精度監(jiān)測(cè)電流通過智能匯流箱中的 I2C 支持 1200V 隔離式電流感應(yīng)可將其他 INA260 器件連接到 I2C 總線
2018-10-25 16:24:34
Ls上產(chǎn)生的電壓VLs=di/dt*Ls=500A/us*10nH=5V. 一旦門極震蕩電壓在閥值范圍內(nèi)，MOSFET會(huì)不斷重復(fù)開關(guān)，造成極大的開關(guān)損耗甚至?xí)绊懙?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的可靠性。圖4 綜上，對(duì)于
2018-12-10 10:04:29
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET產(chǎn)品陣容，以標(biāo)準(zhǔn)AN系列、低噪聲EN系列、高速KN系列為例介紹了SJ-MOSFET的特征。本章將以SJ-MOSFET的trr速度更高的PrestoMOS?的兩個(gè)
2018-11-28 14:27:08
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F評(píng)估驅(qū)動(dòng)板的開發(fā)是為了在客戶使用1200V PrimePACK IGBT模塊進(jìn)行首次設(shè)計(jì)時(shí)為其提供支持。評(píng)估驅(qū)動(dòng)板是一個(gè)功能齊全的IGBT模塊驅(qū)動(dòng)器，其中兩個(gè)1ED020I12-F驅(qū)動(dòng)器IC過程控制和反饋信號(hào)并提供電流絕緣
2020-04-14 09:54:37
，高速混合IGBT模塊的實(shí)施對(duì)于逆變器操作意味著什么，在圖4中顯示了仿真結(jié)果。該仿真是在小容量PCS中對(duì)200A / 1200V 62mm標(biāo)準(zhǔn)封裝進(jìn)行的。對(duì)于20kHz的開關(guān)頻率，可以實(shí)現(xiàn)約50％的總體
2020-09-02 15:49:13
、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 參數(shù)選型表：
2021-11-10 09:10:42
RD-354，參考設(shè)計(jì)使用FNA22512A 25A / 1200V，3.7 kW三相逆變器。該參考設(shè)計(jì)支持1200 V Motion SPM 2系列的設(shè)計(jì)
2020-07-18 12:23:30
RD-354，參考設(shè)計(jì)使用FNA23512A 35A / 1200V，5.5 kW三相逆變器。該參考設(shè)計(jì)支持1200 V Motion SPM 2系列的設(shè)計(jì)
2020-07-18 12:46:31
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
。如果是相同設(shè)計(jì)，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內(nèi)部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產(chǎn)品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時(shí)功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無恢復(fù)損耗的體二極管.驅(qū)動(dòng)方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請(qǐng)關(guān)注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
MOSFET 因?qū)▋?nèi)阻低、 開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET 的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源 IC 和 MOSFET 的參數(shù)選擇合適的電路。 下面一起探討 MOSFET 用于開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)
2022-01-03 06:34:38
對(duì)江蘇中科君芯科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱中科君芯)針對(duì)焊機(jī)領(lǐng)域開發(fā)1200V系列產(chǎn)品性能、和國外主流器件的參數(shù)比對(duì)、實(shí)際焊機(jī)測(cè)試比對(duì)展開討論。1電路拓?fù)涔I(yè)用焊接電源電路拓?fù)溆邪霕蚝腿珮?圖1,圖2)兩種
2014-08-13 09:01:33
試驗(yàn)，以在實(shí)際應(yīng)用條件下，評(píng)估1200V/45mΩ CoolSiC? MOSFET在TO-247 3引腳和4引腳封裝中的寄生導(dǎo)通特性。所有試驗(yàn)均在柵極關(guān)斷電壓為0V的條件下開展?！ D2. 用于特性測(cè)試
2023-02-27 13:53:56
SiC-MOSFET的量產(chǎn)。SiC功率模塊已經(jīng)采用了這種溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET，使開關(guān)損耗在以往SiC功率模塊的基礎(chǔ)上進(jìn)一步得以降低。右圖是基于技術(shù)規(guī)格書的規(guī)格值，對(duì)1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯(cuò)式硬開關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計(jì)和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開關(guān)損耗使得開關(guān)頻率在硅實(shí)現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢(shì)壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動(dòng)汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開關(guān)電源（SMPS）的設(shè)計(jì)要求。650V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管器件在推出之后，可以補(bǔ)充之前只有1200V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)器件設(shè)計(jì)需求，碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET）由于能夠?qū)崿F(xiàn)硅
2023-03-14 14:05:02
測(cè)試板。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果： 電流源驅(qū)動(dòng)器和傳統(tǒng)電壓源驅(qū)動(dòng)器板均使用雙脈沖測(cè)試進(jìn)行評(píng)估。評(píng)估了 1200V、100A 分立式 IGBT 和 1200V、55A、40mΩ 碳化硅-MOSFET。兩款器件
2023-02-21 16:36:47
半導(dǎo)體陣容的包括用于主逆變器的650 V至1200V IGBT、1200 V SiC二極管、用于充電器的650 V超級(jí)結(jié)MOSFET、用于48V系統(tǒng)的80 V至200 V極低RDSon（< 1m
2018-10-25 08:53:48
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。在
2021-10-28 06:56:14
求一個(gè)適用于高頻開關(guān)電路的mosfet，極間電容要小一點(diǎn)，越小越好
2019-08-19 13:47:23
。在今年 7 月的 PCIM（電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)）虛擬展位上，展示了采用CoolSiC?汽車 MOSFET 技術(shù)的 EasyPACK?模塊，即 1200V/8mΩ(150A)的半橋模塊
2021-03-27 19:40:16
?！ 】偨Y(jié) 與硅替代品相比，SiC MOSFET 具有一系列優(yōu)勢(shì)，再加上其在硬開關(guān)應(yīng)用中的魯棒性，使其值得在最有效的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中加以考慮。650 V CoolSiC 系列的推出使 SiC? MOSFET 技術(shù)在經(jīng)濟(jì)上更加可行，適合那些將功率轉(zhuǎn)換推向極限的用戶。
2023-02-23 17:11:32
。與此同時(shí)，SiC模塊也已開發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本?！癇SM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進(jìn)實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
上海回收IGBT模塊FF200R12KT3_E 200A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開關(guān),雙向變換器等 62mm ?回收IGBT模塊電話151-5220-9946 QQ 2360670759江蘇
2021-09-17 19:23:57
輸出1200V,800W，輸出脈寬可調(diào)的電源電路:由芯片SG3525A組成。
2008-12-07 19:20:001580 
IR全新堅(jiān)固耐用的1200V控制集成電路
電源管理技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商國際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制的額定1200VIR2214和
2009-07-06 08:42:28798 IR針對(duì)汽車應(yīng)用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32697 Infineon 公司的EconoDUAL 3模塊是600A/1200V的IGBT,主要的典型應(yīng)用包括自動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的頻率變換器,光伏電壓系統(tǒng)的中央逆變器,汽車柴油發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器(CAV),同等封裝尺寸,可增加功率30%.本文
2010-06-21 21:52:093084 
SCH2090ke是?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。耐高壓、低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)、實(shí)現(xiàn)整機(jī)的小型化和節(jié)能化。
2011-11-20 15:49:561311 全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild （NASDAQ： FCS） 發(fā)布首個(gè)1200V碳化硅（SiC）二極管 —— FFSH40120ADN，納入即將推出的SiC解決方案系列。
2016-03-22 11:12:161329 英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢(shì)。它們?cè)趧?dòng)態(tài)損耗方面樹立了新標(biāo)桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個(gè)數(shù)量級(jí)。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用的系統(tǒng)改進(jìn)，此后可將其范圍擴(kuò)大到工業(yè)變頻器。
2016-05-10 17:17:498006 G2S12010B 1200V 10A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C4D10120D
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開關(guān)特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:19
0 G2S12005A 1200V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容 C4D05120A
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開關(guān)特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:190 G2S12002C 1200V 2A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容 C4D02120A
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開關(guān)特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:1910 G2S12005C 1200V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容 C4D05120E
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開關(guān)特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:192 1200V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT終端設(shè)計(jì)_陳天
2017-01-08 14:36:357 大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:003685 
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。
2018-05-07 10:38:0011265 
新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對(duì)開關(guān)頻率在15kHz以上的硬開關(guān)和諧振拓?fù)涠O(shè)計(jì)，可滿足其對(duì)更高能效以及更低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的要求.
2018-07-11 11:28:574836 
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:299042 據(jù)外媒報(bào)道，最近，日本羅姆半導(dǎo)體公司（ROHM）宣布新增兩款車用級(jí)1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），此類晶體管非常適合用于電子壓縮機(jī)內(nèi)的逆變器，以及正溫度系數(shù)（PTC）加熱器中的開關(guān)電路。
2019-05-27 08:41:501493 。該模塊分別針對(duì)CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片組的最佳點(diǎn)損耗進(jìn)行了優(yōu)化，具有更高的功率密度和高達(dá)48 kHz的開關(guān)頻率，適用于新一代1500V光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用。
2019-09-14 10:56:003727 該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡(jiǎn)系統(tǒng)。
2020-10-19 16:11:223530 
英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高
2021-03-01 12:16:022084 英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），并在今年大規(guī)模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513427 。結(jié)合硅 IGBT 或超結(jié) MOSFET，譬如，在三相系統(tǒng)中用于 Vienna 整流或 PFC 升壓，CoolSiCTM 二極管相比于硅二極管，效率可提高 1% 或以上，PFC 和 DC-DC 級(jí)的輸出功率可增加 40% 或以上。除開關(guān)損耗微乎其微之外——這是碳化硅肖特基二極管的標(biāo)志性特點(diǎn)——第五代 C
2021-01-11 08:00:003 英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301194 與業(yè)內(nèi)人士交流互動(dòng)產(chǎn)品和應(yīng)用技術(shù)。 借英飛凌碳化硅20周年之際，9月10日，我們?cè)谡箷?huì)會(huì)場(chǎng)，隆重舉辦第三屆碳化硅應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇，敬請(qǐng)蒞臨。 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置
2021-08-24 09:31:502749 MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路
2021-10-21 20:06:1219 ?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606 除了其他關(guān)鍵的改進(jìn)外，最近推出的1200V CoolSiC? MOSFET，即M1H，還顯示出了出色的穩(wěn)定性，并降低了漂移現(xiàn)象的影響。
2022-06-13 10:03:561417 
新一代碳化硅模塊采用增強(qiáng)型CoolSiC? MOSFET（M1H），首發(fā)型號(hào)為EasyPACK?和EasyDUAL?封裝。
2022-06-14 09:47:191258 CoolSiC? MOSFET集高性能、堅(jiān)固性和易用性于一身。由于開關(guān)損耗低，它們的效率很高，因此可以實(shí)現(xiàn)高功率密度。
2022-06-22 10:22:222876 
英飛凌科技為電機(jī)控制應(yīng)用開發(fā)了一款評(píng)估板，其中包括一個(gè)三相 SiC 模塊。特別是，它在電力驅(qū)動(dòng)器中使用了 CoolSiC MOSFET 模塊的功率。 CoolSiC MOSFET 碳化硅 (SiC
2022-07-27 10:51:521072 
) 拓?fù)?，并集成?CoolSiC? MOSFET、TRENCHSTOP? IGBT7 器件和 NTC 溫度傳感器以及 PressFIT 接觸技術(shù)引腳。該電源模塊適用于儲(chǔ)能系統(tǒng) (ESS) 等快速開關(guān)
2022-08-05 16:18:132076 
由于快速開關(guān)、傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓增加，碳化硅 MOSFET在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中的使用有所增加。憑借最快速的切換速度和更高的頻率授權(quán)，該框架減小了尺寸并提高了系統(tǒng)效率。大功率 SIC MOSFET 模塊
2022-08-05 08:04:521064 
和驅(qū)動(dòng)板V2 - -米勒鉗位1EDC20I12MH用1200V的CoolSiC?MOSFET在TO247 3針/ 4針I(yè)MZ120R045M1備件如驅(qū)動(dòng)板V1匯集一起。一是避免寄生開關(guān)，二是獲得
2022-08-05 10:04:51562 
值得一提的是，這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過AEC-Q101認(rèn)證，同時(shí)表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也滿足車規(guī)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金，如下圖，支持雙面散熱封裝，可進(jìn)一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:16874 2022年11月，上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101)，該產(chǎn)品為TO247-4封裝，最大電流(Ids)可達(dá)111A。
2023-03-22 16:47:332073 
EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產(chǎn)品，用于高功率應(yīng)用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)變頻器、泵和風(fēng)機(jī)（高達(dá)10kW）。
2023-05-18 16:18:24317 隨著電動(dòng)汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關(guān)頻率發(fā)展，對(duì) SiC MOSFET 的需求也在增長(zhǎng)。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經(jīng)上市，工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢(shì)
2023-06-08 15:40:02691 
提高。封裝采用.XT互連技術(shù)，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產(chǎn)品規(guī)格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12
2022-04-20 09:56:20594 
電量，逆變器效率的提高必不可少，在三相光伏逆變器上的升壓部分通常會(huì)放置一顆1200V的SiCMOSFET來替代普通的1200V的SI器件，相比具有相同額定值的12
2022-08-15 09:57:42511 
SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因?yàn)镾iC MOSFET體二極管具有獨(dú)特的特性。對(duì)于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:071115 
新品光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模塊光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模塊，采用M1H芯片，導(dǎo)通電阻8-17毫歐五個(gè)規(guī)格，PressFIT
2023-03-31 10:47:19349 的英飛凌出色VCEsat特性TRENCHSTOP技術(shù)高速開關(guān)，低EMI輻射針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用的優(yōu)化二極管，實(shí)現(xiàn)了低Qrr可選擇較低的柵極電阻（低至5Ω），同時(shí)保持出色的開
2023-03-31 10:52:07472 相比第一代產(chǎn)品，1200 V CoolSiC系列的開關(guān)損耗降低了25%，具有同類最佳的開關(guān)性能。這種開關(guān)性能上的改進(jìn)實(shí)現(xiàn)了高頻運(yùn)行，縮小了系統(tǒng)尺寸并提高了功率密度。由于柵極-源極閾值電壓（VGS
2023-07-06 09:55:40540 
在此方向上，青桐資本項(xiàng)目伙伴「量芯微半導(dǎo)體（GaNPower）」（以下簡(jiǎn)稱「量芯微」）在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)1200V 硅基GaN HEMT的商業(yè)化量產(chǎn)，并于近日與泰克科技（Tektronix Inc.）合作進(jìn)行了器件測(cè)試。
2023-07-19 16:37:301370 
新品用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增強(qiáng)型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)
2023-07-31 16:57:59584 2023年10月，凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異，開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動(dòng)，能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
2023-10-20 09:43:26488 
繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:10423 
深入剖析高速SiC MOSFET的開關(guān)行為
2023-12-04 15:26:12293 
據(jù)悉，國聯(lián)萬眾公司已研發(fā)出具備指標(biāo)性能堪比國外知名廠商的1200V SiC MOSFET產(chǎn)品，部分型號(hào)產(chǎn)品已開始供應(yīng)市場(chǎng)。另一方面，針對(duì)比亞迪在內(nèi)的多方潛在客戶，該公司的電動(dòng)汽車主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品正在進(jìn)行進(jìn)一步洽談。
2023-12-12 10:41:48229 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:00382 另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET市場(chǎng)中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:41502 蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30228 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36134 CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC技術(shù)的輸出電流能力強(qiáng)，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:3568
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