LED最鮮為人知的秘密大揭秘：漏電的LED！ - 全文

關(guān)鍵詞： LED的秘密 , LED芯片 , LED照明

2011-11-11 10:18:01 上傳

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　　效率下降是阻礙GaN基LED在高電流密度這一重要的新興應(yīng)用領(lǐng)域大施拳腳的主要原因。但RPI的研究人員表示，通過采用極性匹配的外延結(jié)構(gòu)可以克服這一缺點(diǎn)。
　　LED制造商們目前非常關(guān)注一些新的市場，例如汽車前燈、大屏幕顯示和普通照明。從某種程度上說，降低價格能幫助LED打入這些領(lǐng)域，但僅僅如此還不夠。LED的芯片還需要在大驅(qū)動電流下也能實現(xiàn)高功效。這也意味著需要解決功率下降這一廣受關(guān)注的問題。
　　通過比較電和光激發(fā)LED的輸出情況，可以幫助RPI的相關(guān)研究人員研究GaN基器件功率下降的原因。
　　功率下降具體來說是指藍(lán)光、綠光和白光LED在電流增大時效率反而下降的現(xiàn)象。GaN基LED通常僅在電流密度10A cm-2時效率達(dá)到峰值，電流密度為100A cm-2時效率降為峰值的一半。這引起了大家的關(guān)注，當(dāng)今的高亮度芯片都需要在比10A cm-2大得多的電流密度下高效地工作。
　　攻克這一難題顯然非常重要，而且它已經(jīng)吸引了全球工業(yè)界和學(xué)術(shù)界大批研究人員的興趣，其中也包括我們位于紐約州特洛伊市倫斯勒理工學(xué)院的研究團(tuán)隊，我們在過去的幾年里一直在探索效率下降這一問題的根源。我們相信我們能找到癥結(jié)所在，并通過完全不同的LED設(shè)計克服這一問題。
　　我們與位于新墨西哥州Sandia國家實驗室的Mary Crawford研究小組合作，一起研究功率下降問題的成因。我們關(guān)注位錯密度對于LED效率的影響，發(fā)現(xiàn)位錯會降低低電流密度時的效率，但并不影響高電流密度下的效率降低問題。
　　在低電流密度時，載流子通常在一個陷阱輔助的過程（即SRH復(fù)合）中損失掉了，而且會隨著位錯密度的增加變得更加嚴(yán)重。通過增強(qiáng)自發(fā)輻射，加大電流密度起初會提高效率，但隨著電流的進(jìn)一步增加，另一個與之抗衡的載流子損耗機(jī)制會引發(fā)效率的下降。
　　漏電的LED
　　我們還與韓國三星電機(jī)公司合作。這一努力終于讓我們找到了效率下降的原因——由于量子勢阱層、量子勢壘層和電子阻擋層之間的極性失配導(dǎo)致的有源層電子泄漏。
　　我們的解釋能說明為什么高電流密度時效率下降的主要原因——當(dāng)提高驅(qū)動電壓時，會導(dǎo)致更多注入的電子逃出有源層，抵達(dá)LED的p型區(qū)，從而與p電極處的空穴進(jìn)行非輻射復(fù)合（圖2）。
　　通過比較LED器件在電偏壓和光激發(fā)時的光輸出（詳見“探索LED的結(jié)構(gòu)”），該理論已通過實驗得到了驗證。我們在使用數(shù)值模擬工具將載流子泄漏與極性失配聯(lián)系起來之前，就曾表明在量子阱外也有復(fù)合機(jī)制發(fā)生。
　　界面問題
　　我們的精力主要集中于在GaN傳統(tǒng)的晶面—c面上生長LED。這些器件通常有很強(qiáng)的內(nèi)建電場，在界面處會產(chǎn)生相當(dāng)強(qiáng)的表面電荷（詳見“感受內(nèi)部的力”）。

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圖1a. 對面積為1mm×1mm的傳統(tǒng)GaInN LED芯片進(jìn)行測量，揭示了在驅(qū)動電流大于10mA時輸出效率會降低。如果能完全避免引起效率下降的機(jī)制，LED芯片的效率則會隨著電流的增加而不斷增加。

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圖1b.非輻射機(jī)制在低驅(qū)動電流時占主導(dǎo)地位，隨著電流增加讓位于輻射復(fù)合，之后效率反而下降。
　　界面表面電荷會從兩個方面阻礙LED的性能。它們會提高電子注入多量子阱區(qū)的勢壘，同時降低來自量子阱和電流阻擋層上電子泄漏的勢壘。
　我們的模擬支持了這一假設(shè)，表面電荷通過電子的泄漏降低LED的性能，這也說明減少表面電荷可以緩解載流子的損失。計算同時表明缺乏對p型結(jié)構(gòu)的重?fù)诫s會加劇效率的下降，尤其是在電子阻擋層。
　　眾所周知，與雙極結(jié)型晶體管的基極相比，發(fā)射極的重?fù)诫s能阻止少數(shù)載流子注入發(fā)射極。而在LED中，GaN和AlGaN層p型摻雜濃度低，阻礙了空穴（p型區(qū)中空穴為多數(shù)載流子）注入有源區(qū)——這反過來加劇了電子的泄漏。
　　我們對電子泄漏造成LED效率下降的解釋還并未得到廣泛接受；事實上，還有研究者提出了幾種不同的機(jī)制。其中以Philips Lumileds研究人員提出的俄歇復(fù)合理論（Shen et al. 2007）為主流。
　　在c面GaInN/GaN雙異質(zhì)結(jié)上進(jìn)行了若干光致發(fā)光的試驗，觀察到高光激發(fā)密度時效率亦出現(xiàn)了下降。使用速率模型分析使得他們將俄歇復(fù)合當(dāng)作是多量子阱LED效率降低的原因。
　　為此他們引入了有效復(fù)合厚度的概念，在設(shè)計雙異質(zhì)結(jié)時選定的物理厚度更小，因為量子阱中電子和空穴較小的重疊。
　　將該復(fù)合厚度代入速率方程，得出量子阱在有電場時的自發(fā)輻射速率比無電場時的更高。但這與GaN量子阱中電場減弱自發(fā)輻射的事實相反。因此，我們感覺Lumileds高估了多量子阱LED中俄歇復(fù)合在大電流密度時的重要性。
　　布丁好不好吃，當(dāng)然嘗過了才知道。最后將我們的模擬結(jié)果付諸實施，生長帶有AlGaInN勢壘層的LED。用AlGaInN層替代傳統(tǒng)的GaN勢壘層和AlGaN電子阻擋層，使得我們能自由的調(diào)節(jié)帶隙寬度和極性，并最終減少極性失配和有源區(qū)界面間的表層電荷。

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圖2. RPI的研究人員認(rèn)為，電子逃逸是造成LED效率下降的主要原因。這些逃出的載流子與p型GaN區(qū)或p電極處的空穴進(jìn)行非輻射復(fù)合。

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圖3.具有量子勢阱和勢壘極性匹配的LED通過減少電子泄漏，在大驅(qū)動電流下仍能表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。
　　對于量子勢壘，我們將生長一種與GaN同樣帶隙寬度的四元化合物，并且能與典型量子阱的極性相匹配。這是一項十分艱巨的任務(wù)，因為生長高銦組分和高鋁組分的AlGaInN層是非常困難的。但通過減少極性的不平衡，能顯著地提高器件的性能。這也同樣適用于電子阻擋層。
　　我們的模擬顯示，對極性匹配做一下調(diào)整就能獲得幾乎所有的好處，而使用勢壘和勢阱只能減少一半的極性失配。關(guān)鍵點(diǎn)是將勢壘的帶隙寬度略微減小，就能在有源區(qū)內(nèi)形成附加的載流子約束。
　　提高能效
　　這些調(diào)整已經(jīng)帶來一些令人鼓舞的結(jié)果。由于減緩了效率的下降，在大電流時光輸出提高了20%（圖3）。由于降低了載流子注入量子阱區(qū)的勢壘的高度，正向電壓也相應(yīng)的降低了。減少量子阱區(qū)表面電荷的另一個好處是將總能效提高25%。調(diào)整還帶來其它好處，由于量子阱內(nèi)的電場強(qiáng)度更低，減少了波長隨電流變化而產(chǎn)生的漂移。
　　很明顯，人們對效率下降問題的興趣在不斷增加，這本身對LED的發(fā)展有益。我們加深了對它的了解，現(xiàn)有的設(shè)計看上去能解決這個問題。具有上述特性的商業(yè)器件就應(yīng)該積極籌備開拓新的市場，直指終極目標(biāo)——替代通用照明燈泡。
　　探索LED的結(jié)構(gòu)
　　通過比較光激發(fā)和電偏壓時光的輸出，倫斯勒理工學(xué)院的研究人員研究GaInN藍(lán)光LED中效率下降的問題。上述比較是以電子和空穴的產(chǎn)生速率是相同的為前提，結(jié)果顯示效率下降是由于載流子輸運(yùn)引起的。
　　在穩(wěn)態(tài)光激發(fā)的條件下，不應(yīng)該存在例外的逃逸電子或空穴。如果發(fā)生了，就會損失一種載流子——這意味著在量子阱內(nèi)形成了電場分布，產(chǎn)生額外的載流子泄漏。電子或空穴自發(fā)的逃逸也不太可能，因為空穴被嚴(yán)格的約束在勢阱內(nèi)。
　　無論如何，部分載流子確實從勢阱中逃逸出來了。使用405nm激光轟擊這一結(jié)構(gòu)，會產(chǎn)生非零的開路電壓。這是因為器件的正向偏置電壓需要反向電流來補(bǔ)償。凈電流仍為零，這是任何一個沒有接入外部電路的器件都必須遵守的。
　　正向偏置改變了LED的載流子輸運(yùn)?？昭ê碗娮訉α孔于宓淖⑷牒吞右菟俾蕰l(fā)生變化，往往會導(dǎo)致電子從勢阱中泄漏出去。這需要LED在光激發(fā)和電偏置兩種情況下不同的光輸出效率來證明。RPI進(jìn)行的測量證實了這一點(diǎn)。在電泵浦的器件中觀察到了效率的下降，但在光激發(fā)的情況下卻沒有。這意味著某種形式的載流子復(fù)合機(jī)制在量子阱外的區(qū)域發(fā)生，造成了效率的下降。
　　感受內(nèi)部的力
　　GaN具有纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)，并在c晶向上存在極化電場。當(dāng)LED生長在這個晶向上時，由于各相鄰層間在自發(fā)極化和應(yīng)變誘發(fā)的壓電極化兩方面存在差異，會在界面間產(chǎn)生較大的表面電荷。通過減少有源區(qū)的電子束縛以及增加有源區(qū)的電子泄漏，這些電荷會降低LED的效率。
　　在傳統(tǒng)的藍(lán)光LED中，GaN勢壘圍繞在GaInN量子阱的兩側(cè)，勢阱的n型區(qū)一側(cè)表面電荷為負(fù)。這些電荷會排斥電子，并阻礙電子注入。勢阱的p型區(qū)一側(cè)表面電荷為正，會吸收電子，增加電子逃逸的可能性（圖a）。

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　　AlGaN電子阻擋層具有相反的效果。它們會在n型區(qū)一側(cè)產(chǎn)生正電荷，使得電子更容易跨越勢壘（圖b）。通過提高Al組分來增加電子阻擋層的帶隙寬度并不是一個很好的解決辦法，原因是表面電荷也會同時增加。
　　發(fā)光效果取決于接觸面
　　一個美國團(tuán)隊將光致發(fā)光強(qiáng)度（PLI）作為電容-電壓（CV）光譜分析法的輔助技術(shù)，用以決定III-V族材料與電介質(zhì)之間的界面質(zhì)量。
　　這些界面嚴(yán)重影響著III-V族MOSFET的性能，作為一種可能拓展摩爾定律的器件，了解它的性能極其重要。CV光譜分析法因其復(fù)雜性一般廣泛用于測量界面態(tài)密度。
　　Matthias Passlack曾是前任飛思卡爾在德研究人員，現(xiàn)在正與英國格拉斯哥大學(xué)展開合作。他表示，“很不幸，CV或許被普遍誤解為非硅半導(dǎo)體的相關(guān)技術(shù)。相反，PLI數(shù)字通譯更加直截了當(dāng)一些”，這是因為激光激發(fā)是測量過程中唯一的可變量。
　　利用PLI測量法得到了大量有關(guān)界面態(tài)密度的實驗數(shù)據(jù)。很顯然，這種分析界面質(zhì)量的方法并不新鮮。早在上個世紀(jì)90年代日本北海道大學(xué)的Hasegawa小組就用該項技術(shù)做過實驗；而Passlack也于1994-1995年間在貝爾實驗室建立了一些初步的PLI，并于1996-1997年間在摩托羅拉構(gòu)建了當(dāng)前的器件結(jié)構(gòu)。
　　Passlack最近發(fā)表的論文對一門更為復(fù)雜的學(xué)科略有陳述，里面對基于GaAs的22種材料展開了研究，包括GdGaO、In2O3和Ga2O3電介質(zhì)；其中Ga2O3是唯一適合用作器件級界面的電介質(zhì)。Passlack想用PLI來分析InGaAs MOSFET，并為格拉斯哥大學(xué)的Iain Thayne小組提供幫助，為他們建立一個能實現(xiàn)此項測量的實驗裝置。

來源：電子工程網(wǎng)