Sic功率器件助力低功耗 - 迎合節(jié)能減排硬需求，羅姆打電源管理組合牌

　　作為其打造無線供電用控制IC的第一款新產(chǎn)品，ROHM的BD57011GWL是根據(jù)作為無線供電標(biāo)準(zhǔn)備受矚目的WPC（Wireless Power Consortium）最新Qi標(biāo)準(zhǔn)Low Power Ver1.1開發(fā)的。這雖然是個(gè)單芯片產(chǎn)品，但發(fā)熱量更低，與以往產(chǎn)品相比，供電時(shí)的溫升可降低約75%，縮減貼裝面積的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了低發(fā)熱。不僅如此，搭載了業(yè)界首創(chuàng)的位置偏差檢測(cè)功能，可檢測(cè)位置偏差時(shí)的充電效率下降情況，因此，有助于提高設(shè)備的工作效率。

　　ROHM同時(shí)指出，提高無線充電效率關(guān)鍵在于降低發(fā)熱，增大電流，減少損失。另外，F(xiàn)OD （Foreign Object Detection /異物檢測(cè)功能）是最新的Qi標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的有義務(wù)搭載的項(xiàng)目，金屬物體存在于收發(fā)器之間時(shí)，金屬發(fā)熱可能導(dǎo)致機(jī)殼變形或燒傷，搭載FOD可防患于未然，使設(shè)備安全性能顯著提高。要想實(shí)現(xiàn)FOD，需要發(fā)送側(cè)與接收側(cè)復(fù)雜的對(duì)接技術(shù)。

　　8D57011GWL滿足QI標(biāo)準(zhǔn)Low Power Ver1.1的規(guī)定。因此，按該標(biāo)準(zhǔn)要求搭載了FOD（異物檢測(cè)功能），可輕松實(shí)現(xiàn)配套設(shè)備使用時(shí)的高安全性。

　　通過融合本公司的模擬技術(shù)與集團(tuán)公司LAPIS Semiconductor的數(shù)字技術(shù)，ROHM使FOD得以實(shí)現(xiàn)。實(shí)際上，接收側(cè)進(jìn)行功率損耗計(jì)算時(shí)，可通過外置電阻設(shè)定每個(gè)接收單元不同損耗誤差的微調(diào)量，因此，實(shí)現(xiàn)了極具靈活性且高精度的FOD。這是ROHM為節(jié)能減排做出的另一個(gè)貢獻(xiàn)。

　　SiC功率器件助力低功耗

　　技術(shù)發(fā)展到今時(shí)今日，Si功率器件的優(yōu)勢(shì)已逐漸被SiC器件所取代。與以往的硅材料功率元器件相比，這種以碳化硅作為原材料制作而成的功率器件具有低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)、高溫作業(yè)的特點(diǎn)，因此許多研究機(jī)構(gòu)和廠商將其視為新一代功率元器件，并一直致力于對(duì)它的研發(fā)。

　　一直以“理想器件”備受期待的SiC功率器件近年來已得以問世。作為知名的功率器件廠商，ROHM已批量生產(chǎn)SiC二極管和SiC-MOSFET，并于2012年3月開始批量生產(chǎn)內(nèi)置上述兩種元器件的功率模塊。

　　雖然新型的器件在功能上有了顯著的提升，但囿于當(dāng)前價(jià)格等因素的影響，限制了其大規(guī)模采用，而ROHM將全面推動(dòng)SiC元器件的普及作為其目標(biāo)。

　　ROHM指出，相對(duì)于已經(jīng)具有大量采用實(shí)績(jī)的SiC-SBD而言，SiC-MOSFET和全SiC功率模塊的真正采用現(xiàn)在才開始。相對(duì)以往硅材質(zhì)器件的性能差別和成本差別的平衡將成為SiC器件真正普及的關(guān)鍵。ROHM在兩個(gè)方面進(jìn)行著技術(shù)開發(fā)：①基于SiC電路板大口徑化，降低SiC器件成本②相對(duì)硅材質(zhì)器件，開發(fā)在性能上具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)的新一代SiC器件。今后，ROHM將通過擴(kuò)大普及SiC器件，助力于全球范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)節(jié)能和減少CO2的排放。

　　通過這篇文章，相信大家已經(jīng)對(duì)ROHM為了節(jié)能減排在電源管理方面做的努力。期望在未來能夠見到ROHM更多的新產(chǎn)品。