新型60V FemtoFET MOSFET減少您的元件占用面積

在中國(guó)深圳，我最近遇到了一位在一家信息娛樂(lè)系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計(jì)師。“你碰巧在你的設(shè)計(jì)中用過(guò)60V的負(fù)載開(kāi)關(guān)嗎？”我問(wèn)。他說(shuō)用過(guò)，并告訴我他的電路板包含了大約10個(gè)30V-60V的小外形尺寸晶體管(SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右?！霸谶@些電路板上，你有空間受限的問(wèn)題嗎？”我問(wèn)。他承認(rèn)有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息，RDS(ON)不到60mΩ，占位面積5mm × 0.8mm (1.2mm2) （參見(jiàn)圖1），是專(zhuān)為諸如信息娛樂(lè)系統(tǒng)等空間受限的應(yīng)用情況設(shè)計(jì)的。

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積

圖1：CSD18541F5l與網(wǎng)格陣列封裝

相比您的那些家用電器采用的SOT-23 (6.75mm2) 封裝（參見(jiàn)圖2），新型MOSFET的尺寸約有其六分之一左右。它還意味著不僅RDS(ON)降低，還實(shí)現(xiàn)了占位面積大幅減小的優(yōu)點(diǎn)，面積比傳統(tǒng)MOSFET減小了75%。

圖2：傳統(tǒng)SOT-23封裝，旁邊是CSD18541F5LGA封裝

和這位工程師做了一些快速計(jì)算，我們的結(jié)論是如果每個(gè)電路板用10個(gè)元件，他就能節(jié)省大約55mm2占位面積——每個(gè)元件的節(jié)省量并不顯著，通常被大多數(shù)工程師認(rèn)為是事后才會(huì)想到的事。那么焊盤(pán)間距情況如何呢？幸運(yùn)的是，這個(gè)微型LGA封裝在設(shè)計(jì)中還考慮了業(yè)內(nèi)客戶(hù)的需求，對(duì)他們來(lái)說(shuō)，似乎一致認(rèn)為0.5mm是兩個(gè)焊盤(pán)之間的首選最小間距。

如今，我在行業(yè)市場(chǎng)遇見(jiàn)的每個(gè)人，無(wú)論是生產(chǎn)電源、電池保護(hù)裝置還是電動(dòng)工具，幾乎都對(duì)尺寸變小或性能提升（或兩個(gè)特點(diǎn)兼具）的負(fù)載開(kāi)關(guān)有些興趣。

因此，如果您的工業(yè)設(shè)計(jì)需要使用不少的SOT-23或更大的負(fù)載開(kāi)關(guān)，請(qǐng)考慮選擇我們的新型CSD18541F5 MOSFET。相信我，您的PCB會(huì)在稍后感謝您。

其他信息

獲取有關(guān)CSD18541F5 60-V N通道功率 MOSFET的詳細(xì)信息。

下載設(shè)計(jì)綜述，了解有關(guān)LGA封裝的詳細(xì)信息。

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MOSFET(209664) MOSFET(209664)
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評(píng)論

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2020-05-23 09:57:20

PRD1193是基于ADP1613的30至60V輸入級(jí)聯(lián)SEPIC轉(zhuǎn)換器

PRD1193是基于ADP1613的30至60V輸入級(jí)聯(lián)SEPIC轉(zhuǎn)換器，可在0至150mA電流下產(chǎn)生3.3V輸出。 U1（ADP1613升壓調(diào)節(jié)器）用作控制器IC，Q1是級(jí)聯(lián)（源極驅(qū)動(dòng)）功率開(kāi)關(guān)MOSFET

2019-07-18 07:35:48

ROHM新品 | 適用于工業(yè)設(shè)備和基站電機(jī)的新一代雙極MOSFET

`全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2

2021-07-14 15:17:34

SL3039 48V降壓恒壓芯片 60V 0.8A 1MHZ 48V智能家居供電MCU專(zhuān)用芯片

深圳市森利威爾電子有限公司鄭先生 *** QQ：2355368874SL3039 60V 0.8A 1MHZ 降壓型轉(zhuǎn)換器概述：SL3039 是一款內(nèi)置功率MOSFET的單片降壓型開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器

2021-04-07 17:55:14

SL3039 60V降壓恒壓芯片 60V 0.8A 1MHZ 60V智能家居供電MCU專(zhuān)用芯片

概述SL3039 是一款內(nèi)置功率MOSFET的單片降壓型開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。SL3039在5.5-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 0.8 A峰值輸出電流，并且具有出色的線(xiàn)電壓和負(fù)載調(diào)整率。SL3039

2021-11-16 09:36:36

Vishay SQ2361 汽車(chē)P 溝道 60V 功率 MOSFET

`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車(chē)用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)

2019-07-09 17:30:39

[求助]哪些開(kāi)關(guān)電源管理芯片能輸出60V以上的電壓

之前xl6009芯片資料說(shuō)能升到60V,然而實(shí)際做出來(lái)只能到38V,比較郁悶,問(wèn)一下有其他芯片能升壓到60V或以上嗎?

2017-04-02 16:45:35

供應(yīng)OC5022B內(nèi)置 60V 功率 MOS 高效率、高精度的開(kāi)關(guān)降壓型大功率 LED 恒流驅(qū)動(dòng)芯片

概述OC5022B 是一款內(nèi)置 60V 功率 MOS 高效率、高精度的開(kāi)關(guān)降壓型大功率 LED 恒流驅(qū)動(dòng)芯片。 OC5022B 采用固定關(guān)斷時(shí)間的峰值電流控制方式，關(guān)斷時(shí)間可通過(guò)外部電容進(jìn)行調(diào)節(jié)

2020-06-01 15:20:46

具有60V故障的RS485收發(fā)器

RS485收發(fā)器支持參考設(shè)計(jì)，具有60V故障，適用于半雙工RS485網(wǎng)絡(luò)操作60V DC，15kV ESD保護(hù)

2020-05-15 09:23:17

創(chuàng)新型MOSFET封裝：大大簡(jiǎn)化您電源的設(shè)計(jì)

大的負(fù)載電流都會(huì)采用兩個(gè)功率6 x 5封裝，算上導(dǎo)線(xiàn)和打卷標(biāo)的面積，以及兩個(gè)器件的位置擺放，占用的面積超過(guò)60mm2。這種雙芯片功率封裝的尺寸是6.0mm x 3.7mm ，在電路板上占用的面積

2013-12-23 11:55:35

如何顯著減少PCB占用空間

要監(jiān)視更多的傳感器。本文將討論如何顯著減少PCB占用空間，增加通道密度以及最大限度地發(fā)揮其他組件和功能與TI微型數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器高度集成的優(yōu)勢(shì)，從而以更小的尺寸創(chuàng)造更多的價(jià)值。第一個(gè)優(yōu)點(diǎn)：PCB占用空間更小

2022-11-09 06:13:10

如何顯著減少PCB占用空間？

隨著系統(tǒng)尺寸越來(lái)越小，每平方毫米的印刷電路板（PCB）面積都至關(guān)重要。與此同時(shí)，隨著對(duì)數(shù)據(jù)需求的增加，則需要監(jiān)視更多的傳感器。本文將討論如何顯著減少PCB占用空間，增加通道密度以及最大限度地發(fā)揮其他組件和功能與TI微型數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器高度集成的優(yōu)勢(shì)，從而以更小的尺寸創(chuàng)造更多的價(jià)值。

2021-01-19 06:41:35

開(kāi)關(guān)電源220v改60v

=oxh_wx3、【周啟全老師】開(kāi)關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 如何把輸入220v的開(kāi)關(guān)電源（手機(jī)充電器）改成60v輸入。很對(duì)不起！我沒(méi)有懸賞積分。只能表達(dá)我的謝意！

2019-05-18 10:35:39

怎么產(chǎn)生60V電壓并且是方波1KHZ~2KHZ

怎么產(chǎn)生60V電壓并且是方波1KHZ~2KHZ,如果用5V怎么變成12V電壓？，并且控制輸出方波脈寬。

2017-07-12 17:52:19

求一個(gè)LMR16010輸入60V輸出5V的電路圖

輸入60V，輸出5V，元器件最好有參數(shù)，類(lèi)似下圖

2020-09-21 17:08:43

求一個(gè)過(guò)放保護(hù)電路，電池60V，過(guò)放到54v的時(shí)候截止，電路越簡(jiǎn)單越好。謝謝

求一個(gè)過(guò)放保護(hù)電路，電池60V，過(guò)放到54v的時(shí)候截止，電路越簡(jiǎn)單越好。謝謝

2023-03-17 10:28:57

測(cè)量高精度60V電量監(jiān)測(cè)計(jì)

測(cè)量高精度60V電量監(jiān)測(cè)計(jì)

2019-09-18 08:56:50

電壓是60V，其中 C4B 和 R5B 是吸收尖峰電壓?jiǎn)?

三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的一相，電壓是60V，其中 C4B 和 R5B 是吸收尖峰電壓?jiǎn)? 要如何選擇型號(hào)呢？

2018-09-10 17:30:11

示波器測(cè)量的電源60V的紋波太大求解決

我這邊用示波器測(cè)的60V的電源，輸出紋波好大，不知道是測(cè)試問(wèn)題還是電源的問(wèn)題，示波器圖片如下：

2014-12-30 18:35:44

耐壓60V，ZCC2459替代MP2459

2020-12-17 14:47:30

英飛凌40V和60V MOSFET

，高輸出功率下?lián)p耗的降低，會(huì)導(dǎo)致低負(fù)載范圍內(nèi)損耗的升高。英飛凌通過(guò)推出阻斷電壓為40V和60V的新型MOSFET，為在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)大幅降低各種損耗創(chuàng)造了條件。通過(guò)對(duì)測(cè)量曲線(xiàn)進(jìn)行直接比對(duì)，結(jié)果顯示

2018-12-06 09:46:29

請(qǐng)問(wèn)如何簡(jiǎn)化48V至60V直流饋電三相逆變？

簡(jiǎn)化48V至60V直流饋電三相逆變的方法

2020-11-27 06:43:34

降壓恒流芯片AP5103_輸入電壓范圍:5V~60V

的亮度。產(chǎn)品特點(diǎn): 內(nèi)置溫度保護(hù) 輸出短路保護(hù) 關(guān)斷時(shí)間可調(diào) 內(nèi)置電流采樣前沿消隱電路高效率：可高達(dá) 95% 最大工作頻率：300kHz 寬輸入電壓范圍：5V~60V峰值電流采樣電壓：250mV內(nèi)置

2018-07-26 10:11:50

單芯片同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器減少面積60％

單芯片同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器減少面積60% 目前，不少電信及服務(wù)器架構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)（PCI、ATCA）對(duì)機(jī)架設(shè)備都有固定的尺寸和電源預(yù)算。不斷增加的PCB密度支持設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更多

2009-11-07 16:29:45

942

小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET

小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET 　日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多

2009-12-31 09:59:44

1420

Diodes MOSFET H橋節(jié)省50%占位面積

Diodes公司（Diodes Incorporated）推出一對(duì)MOSFET H橋，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產(chǎn)品通過(guò)減少元件數(shù)量及縮減50%的印刷電路板占位面積，簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電感無(wú)線(xiàn)充電電路。

2015-03-03 10:43:40

1459

TI推出業(yè)內(nèi)電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

德州儀器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低，比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開(kāi)關(guān)低90%，同時(shí)，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負(fù)載開(kāi)關(guān)的封裝體積比SOT-23中的減小80%。

2016-07-18 17:12:36

1476

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

）-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS（ON）通常100mΩ左右?！霸谶@些電路板上，您有遇到過(guò)空間受限的問(wèn)題嗎？”我問(wèn)。他確實(shí)碰到過(guò)，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息。

2016-10-24 16:33:37

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TI 超小型 FemtoFET MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻

關(guān)鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號(hào) MOSFET 晶體管為移動(dòng)設(shè)備節(jié)省電源，延長(zhǎng)電池使用壽命德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電

2018-10-13 11:03:01

308