該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統(tǒng)。
2020-10-20 15:18:00
1556 東芝電子宣布，推出兩款全新碳化硅（SiC）MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”。
2022-01-26 13:35:212210 
的應(yīng)用。 ? 碳化硅最大的優(yōu)勢在于效率的提升，以汽車電力牽引逆變器為例，使用碳化硅MOSFET轉(zhuǎn)換效率會比硅基IGBT有5%~8%的續(xù)航提升，這也就意味著在相同的電池容量下，用碳化硅MOSFET的車輛可以減少5%~8%的電池配備。從成本角度來衡量
2022-11-27 07:12:001514 中國上海， 2023 年 8 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:55903 
點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
進一步實現(xiàn)小型化。開關(guān)損耗大幅降低，可進一步提升大功率應(yīng)用的效率ROHM利用獨有的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并優(yōu)化散熱設(shè)計開發(fā)出新型封裝，從而開發(fā)并推出了600A額定電流的全SiC功率模塊產(chǎn)品。由此，全SiC功率模塊在工業(yè)
2018-12-04 10:20:43
檢測（AOI）系統(tǒng)對焊點進行目視檢查，并有助于提高焊點可靠性。此外，東芝已驗證其可在貼裝溫度循環(huán)測試中承受3000次循環(huán)，并獲得了相關(guān)數(shù)據(jù)，從而讓客戶能夠完全放心地使用該QFN封裝。與現(xiàn)有產(chǎn)品相比，通過
2023-02-28 14:11:51
% 。這些改進有助于顯著提高設(shè)備效率。對于使用東芝當(dāng)前產(chǎn)品GT50JR22的空調(diào)PFC電路，其工作頻率低于40kHz。而GT30J65MRB是東芝首款用于60kHz 以下PFC的IGBT，其可通過降低
2023-03-09 16:39:58
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
應(yīng)用，處理此類應(yīng)用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料，可以用來構(gòu)建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關(guān)注，不僅因為它
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
社會的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因為碳化硅相較于硅材料可進一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應(yīng)用前景，包括車輛電氣化和工業(yè)設(shè)備
2023-04-11 15:29:18
）新的650V碳化硅器件有助于在幾個方面降低成本。與硅基650V MOSFET相比，碳化硅器件的導(dǎo)通損耗降低了50%，開關(guān)損耗降低了75%，而功率密度提高了三倍，因此，不僅可以實現(xiàn)更高效率，而且還可以降低磁性
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現(xiàn)更高的直流電輸出?！ ?、SiCMOSFET 對于傳統(tǒng)的MOSFET，它的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很大，開關(guān)損耗很大，額定工作結(jié)溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境。可配置為單個或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料?？芍貜?fù)的非線性特性。耐高壓?；旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
92%的開關(guān)損耗，還能讓設(shè)備的冷卻機構(gòu)進一步簡化，設(shè)備體積小型化，大大減少散熱用金屬材料的消耗。半導(dǎo)體LED照明領(lǐng)域碳化硅（SiC）在大功率LED方面具有非常大的優(yōu)勢，采用碳化硅（SiC）陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
，3.3 kW CCM 圖騰柱 PFC 的效率可達到 99% 以上（圖 4），其中在雙升壓 PFC 設(shè)計中使用 CoolMOS? 的最佳效率峰值為 98.85%。而且，盡管碳化硅MOSFET的成本較高
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時間，能以更低成本實現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅肖特基二極管關(guān)鍵參數(shù)解讀 從應(yīng)用角度來說，在選擇器件時，需要優(yōu)先考慮器件能否滿足應(yīng)用要求，然后考慮器件對設(shè)備整體性能的提升幅度，綜合這兩個因素，列舉如下二極管的關(guān)鍵參數(shù)： 浪涌電流能力
2023-02-28 16:55:45
開關(guān)電源小型化，并降低產(chǎn)品噪音?！ ?、碳化硅肖特基二極管的正向特性 碳化硅肖特基二極管的開啟導(dǎo)通電壓比硅快速恢復(fù)二極管較低，如果要降低VF值，需要減薄肖特基勢壘的高度，但這會使器件反向偏壓時的漏電
2023-02-28 16:34:16
的2倍，所以S使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件能在更高的頻率下工作。綜合以上優(yōu)點，在相同的功率等級下，設(shè)備中功率器件的數(shù)量、散熱器的體積、濾波元件體積都能大大減小，同時效率也有大幅度的提升。我國
2021-03-25 14:09:37
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應(yīng)用于高頻電路。降低器件損耗，提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。在新能源汽車電機控制器
2021-11-10 09:10:42
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
通電阻比普通產(chǎn)品低61%（雙極MOSFET的Pch部分比較），有助于進一步降低各種設(shè)備的功耗。此外，通過將兩枚器件集成到一個封裝中，有助于通過減少安裝面積從而實現(xiàn)設(shè)備的小型化， 還有助于減少器件選型
2021-07-14 15:17:34
首先，重新整理一下SJ MOSFET做出貢獻的課題。第一個是效率改善，第二個是小型化－ 那么先從效率開始談。為什么使用SJ-MOSFET可以改善效率？先稍微介紹一下SJ MOSFET。傳統(tǒng)型
2019-04-29 01:41:22
產(chǎn)品尺寸，從而提升系統(tǒng)效率。而在實際應(yīng)用中，我們發(fā)現(xiàn)：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進一步降低器件的開關(guān)損耗，也更有利于分立器件的驅(qū)動
2023-02-27 16:14:19
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應(yīng)用等下游市場的驅(qū)動，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現(xiàn)變換器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
系統(tǒng)能做得越小巧，則電動車的電池續(xù)航力越高。這是電動車廠商之所以對碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設(shè)備上攻城略地，氮化鎵組件則是在小型化電源應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域逐漸擴散，與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能，包括飛機、車輛、通信設(shè)備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預(yù)計多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
，獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資，創(chuàng)能動力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度，實現(xiàn)雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，壓接引腳可以在整個封裝內(nèi)自由分布。廣泛的仿真
有助于創(chuàng)建僅具有6nH換向電感的半橋設(shè)計。該
模塊并聯(lián)配備 6 個
碳化硅 MOSFET，在 25°C 時導(dǎo)通為 7.5mOhm?！ ∮捎诓捎迷?/div>
2023-02-20 16:29:54
EMI;（3）碳化硅肖特基二極管 的QC更小，PFC開關(guān)頻率提升時，使用碳化硅肖特基二極管可以顯著提升整機效率?！ 》桨付褐鏖_關(guān)管選擇的碳化硅MOSFET器件，碳化硅MOSFET相對于IGBT或超結(jié)
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開關(guān)電源（SMPS）的設(shè)計要求。650V碳化硅場效應(yīng)管器件在推出之后，可以補充之前只有1200V碳化硅場效應(yīng)器件設(shè)計需求，碳化硅場效應(yīng)管（SiC MOSFET）由于能夠?qū)崿F(xiàn)硅
2023-03-14 14:05:02
電源和高壓直流工業(yè)電源等三相隔離變換器中（圖3）。本圖比較了15KW市面上量產(chǎn)硅MOSFET方案和本碳化硅MOSFETR的20KW方案的尺寸和拓撲，從結(jié)果上看，該碳化硅MOSFET器件由于自身的高頻高壓
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設(shè)計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，導(dǎo)通電阻更低；碳化硅具有高電子飽和速度的特性，使器件可工作在更高的開關(guān)頻率；同時，碳化硅材料更高的熱導(dǎo)率也有助于提升系統(tǒng)的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關(guān)速度快、損耗低等特性，使電力
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
給出基于碳化硅MOSFET的20KW直流充電模塊用兩種拓撲結(jié)構(gòu)的實驗和總結(jié)。1.諧振LLC 和移相電路及其新能源中的應(yīng)用比較如圖1所示，諧振（英文：Resonant）LLC和移相（英文：Phase
2016-08-25 14:39:53
小于5ns； · 選用低傳輸延時，上升下降時間短的推挽芯片。 總之，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系統(tǒng)效率、功率密度和工作溫度的同時，對于驅(qū)動器也提出了更高要求，為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對其開關(guān)特性的仔細分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關(guān)，通過降低電阻和開關(guān)損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
sch2200ax是?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。耐高壓?低導(dǎo)通電阻?高速開關(guān)、實現(xiàn)整機的小型化和節(jié)能化。
2011-11-20 15:39:371347 
碳化硅MOSFET橋臂電路串?dāng)_抑制方法_鐘志遠
2017-01-04 16:32:50
17 具體來說，在新能源發(fā)電系統(tǒng)中，采用碳化硅技術(shù)能夠達到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統(tǒng)的石化燃料發(fā)電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量身定制的模塊系列，可以提升的逆變器效率和性能。在充電樁應(yīng)用中，英飛凌的全碳化硅解決方案大幅提升功率密度，從而使充電設(shè)備變得更加輕巧便捷。
2018-05-04 09:05:019155 支持電動和混合動力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:414694 該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統(tǒng)。
2020-10-19 16:11:223530 
東京——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（簡稱“東芝”）今日宣布了一種可提高碳化硅（SiC）MOSFET[1]可靠性的新
2021-03-15 11:30:262087 ）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料正憑借其優(yōu)越的性能和巨大的市場潛力，成為全球半導(dǎo)體市場的焦點。借此契機，東芝推出了新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW070J120B”。 01特征屬性分析 TW070J120B采用第2代內(nèi)置碳化硅SBD芯片設(shè)計，TO-3P(N)封裝，具有高
2021-06-04 18:21:233224 
基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:087839 
?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606 “雙碳時代”已緩緩拉開帷幕，各行各業(yè)都將面臨減排挑戰(zhàn)。在電動車領(lǐng)域中，如何開發(fā)出小型化、更低功耗、更高性能的電控系統(tǒng)已成為產(chǎn)業(yè)鏈上下共同探索的方向。羅姆半導(dǎo)體集團順應(yīng)時代發(fā)展潮流，開發(fā)出新型碳化硅
2022-03-19 11:12:212089 汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6是基本半導(dǎo)體基于廣大汽車廠商對核心牽引驅(qū)動器功率器件的高性能、高效率等需求設(shè)計并推出的產(chǎn)品。
2022-09-13 15:49:021471 SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備
2022-11-06 21:14:51956 通過此次的共創(chuàng)項目，羅姆將能夠從整車層面深入了解功率半導(dǎo)體要具備的性能和更好的驅(qū)動方法，這將有助于今后開發(fā)出更具競爭力的碳化硅MOSFET和模塊。
2022-11-24 14:57:00632 的應(yīng)用。 碳化硅最大的優(yōu)勢在于效率的提升，以汽車電力牽引逆變器為例，使用碳化硅MOSFET轉(zhuǎn)換效率會比硅基IGBT有5%~8%的續(xù)航提升，這也就意味著在相同的電池容量下，用碳化硅MOSFET的車輛可以減少5%~8%的電池配備。從成本角度來衡量，
2022-11-27 00:40:02960 小型化一直是電子行業(yè)普遍存在的主題，對于電源尤其重要。電源的質(zhì)量通常以每體積的功率表示。本文討論了有助于實現(xiàn)小型化的幾個電源設(shè)計考慮因素。
2022-12-13 15:51:35618 
,采用碳化硅模塊設(shè)計電驅(qū)動總成有助于提升整車電驅(qū)動系統(tǒng)功率密度,并對整車電驅(qū)動系統(tǒng)設(shè)計選型具有一定的實際參考價值。
2022-12-21 14:02:33836 汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體，碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅MOSFET器件是一種半導(dǎo)體器件，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET器件可以用于各種電子設(shè)備，如電源、電路板、電腦、汽車電子系統(tǒng)等。
2023-02-15 16:05:25519 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具
有低導(dǎo)通電阻和大幅降低的開關(guān)損耗。10種產(chǎn)品分別為
2023-02-20 15:46:150 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 隨著國內(nèi)對碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入，國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計的水平逐步提升，研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴展。
2023-08-10 18:17:49854 
點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出業(yè)界首款 [1] 2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07254 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-09-07 09:59:32732 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動電路設(shè)計簡單，可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02269 
碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26322 
，從而具有較高的導(dǎo)電能力和熱導(dǎo)率。相比傳統(tǒng)的硅MOSFET，在高溫環(huán)境下，碳化硅MOSFET表現(xiàn)更加出色。這意味著碳化硅MOSFET能夠在高溫條件下提供更高的功率密度和更高的效率。高溫特性使得碳化硅MOSFET成為高頻開關(guān)電路的理想選擇。 2. 快速開關(guān)速度： 碳化硅MOSFET具有極
2023-12-21 10:51:03357 的優(yōu)勢高頻率：碳化硅材料的電子遷移率比硅高，使得碳化硅功率器件能夠承受更高的開關(guān)頻率。這有助于減小無源元件的尺寸，提高系統(tǒng)的整體效率。低損耗：碳化硅的導(dǎo)通電阻比硅低，使得碳化硅功率器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗遠低于硅器件。這有助于減小系統(tǒng)的散熱需求，提高設(shè)備的能效。高效率：碳化硅
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
2024-01-20 17:18:29502 
共讀好書 碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15410 
在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29125 在全球電力電子領(lǐng)域，英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，標志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁入了新的發(fā)展階段。
2024-03-12 09:53:5297 
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