SiC、GaN等下一代功率器件的企業(yè)有所增加，為數(shù)眾多的展示吸引了各方關(guān)注。SiC和GaN也變得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:49
3475 電力電子將在未來幾年發(fā)展，尤其是對(duì)于組件，因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標(biāo)志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對(duì)應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
下面將對(duì)于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19736 
GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:184236 
?近日，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體新銳企業(yè)芯塔電子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET，器件各項(xiàng)性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平。此舉標(biāo)志著芯塔電子在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展，進(jìn)一步
2022-08-29 15:08:57879 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 、柔性輸電等新能源領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷擴(kuò)展，現(xiàn)代社會(huì)對(duì)電力電子變換器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在較高溫度環(huán)境時(shí)仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動(dòng)。SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SBD
2019-10-24 14:25:15
和GaN的特性比較 氧化鎵（GaO）是另一種帶隙較寬的半導(dǎo)體材料，GaO的導(dǎo)熱性較差，但其帶隙（約4.8 eV）超過SiC，GaN和Si，但是，GaO在成為主要?jiǎng)恿χ皩⑿枰嗟难邪l(fā)工作。系統(tǒng)參與者
2022-08-12 09:42:07
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
1200V,5A,SIC SBD,TO-220AC PACKAG
2023-03-27 14:47:38
的SiC-SBD反向電流少，trr也短。順便一提，本特性因?yàn)榉聪螂娏鞯膿p耗而需要進(jìn)行研究探討。在這里，通過各二極管的斷面圖進(jìn)行介紹。下圖為Si-PND的偏置從正向偏置轉(zhuǎn)換為反向偏置時(shí)電子和空穴的移動(dòng)。正向偏置
2018-11-29 14:34:32
的VF隨著溫度升高而下降，傳導(dǎo)損耗減少，看起來好像是好事，但隨著VF的下降，IF增加，即使損耗略有下降，但發(fā)熱増加量更勝一籌，甚至可能陷入VF下降、IF增加的熱失控狀態(tài)。而SiC-SBD隨著溫度升高
2018-11-30 11:52:08
。在這里就SiC-SBD的可靠性試驗(yàn)進(jìn)行說明。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗(yàn)數(shù)據(jù)。首先請(qǐng)看一下具體的項(xiàng)目和條件。對(duì)于進(jìn)行過半導(dǎo)體的可靠性探討和實(shí)際評(píng)估的人來說，這些標(biāo)準(zhǔn)和條件應(yīng)該都是司空見慣
2018-11-30 11:50:49
溫條件下均可確保安全工作。第二代產(chǎn)品正向電壓更低，導(dǎo)通損耗也更低目前，ROHM的第二代SiC-SBD已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)供應(yīng)。第二代SiC-SBD通過改善制造工藝，使漏電流與trr性能保持了和以往產(chǎn)品同等水平，VF
2019-03-27 06:20:11
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
的重大研究項(xiàng)目。此時(shí)，開關(guān)電源無法對(duì)應(yīng)高速的開關(guān)頻率也是課題之一。右上圖表示Si的SBD、PND、FRD和SiC-SBD耐壓的覆蓋范圍?？梢钥闯?b class="flag-6" style="color: red">SiC-SBD基本覆蓋了PND/FRD的耐壓范圍
2018-11-29 14:35:50
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
SiC SBD 晶圓級(jí)測(cè)試 求助：需要測(cè)試的參數(shù)和測(cè)試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
設(shè)計(jì)得低，開啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導(dǎo)致反向偏壓時(shí)的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過改進(jìn)制造工藝，成功地使漏電流和恢復(fù)性能保持與舊產(chǎn)品相等，而開啟電壓降低了約0.15V。SiC-SBD
2019-03-14 06:20:14
設(shè)計(jì)得低，開啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導(dǎo)致反向偏壓時(shí)的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過改進(jìn)制造工藝，成功地使漏電流和恢復(fù)性能保持與舊產(chǎn)品相等，而開啟電壓降低了約0.15V。SiC-SBD
2019-04-22 06:20:22
效率，并實(shí)現(xiàn)了全球節(jié)能。事實(shí)上，有人估計(jì)的IGBT幫助阻止750000億磅的CO 2排放量在過去25年?！ 【拖穸兰o(jì)八十年代的IGBT革命一樣，今天寬帶隙半導(dǎo)體碳化硅（SiC）再次顯示出為電力
2023-02-27 13:48:12
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對(duì)SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET
2018-11-27 16:40:24
另
一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)
水平，
SiC-MOSFET的
MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高?！ ∫虼?，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）?！ ∪绻?/div>
2023-02-07 16:40:49
另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-04-09 04:58:00
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會(huì)給方方面面帶來巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計(jì)？SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
ROHM推出了SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進(jìn)一步改善了第二代SiC SBD實(shí)現(xiàn)的當(dāng)時(shí)業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品
2018-12-03 15:12:02
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Solutions是電子元器件、電池、電源領(lǐng)域的日本著名制造商——村田制作所集團(tuán)旗下的一家企業(yè)。ROHM的高速開關(guān)SiC SBD產(chǎn)品“SCS308AH”此次成功應(yīng)用于Murata Power
2023-03-02 14:24:46
，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率電子和模擬
2023-03-29 15:06:13
Qorvo 的 T2G6001528-Q3 是 15 W (P3dB) 寬帶無與倫比的分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 6 GHz 和 28V 電源軌范圍內(nèi)運(yùn)行。該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
2021-08-04 11:50:58
。另一方面，全SiC功率模塊由SiC的MOSFET和SiC的SBD (Schottky Barrier Diode)組成，具有低損耗、高工作溫度等特點(diǎn)，如果將其用于APS中，有助于提高產(chǎn)品的效率，實(shí)現(xiàn)
2017-05-10 11:32:57
、SiC SBD開關(guān)損耗低，可提高系統(tǒng)效率
下圖為相同規(guī)格的Si FRD和SiC SBD在不同溫度下的反向恢復(fù)電流對(duì)比，其中SiC SBD是我司推出的SiC SBD產(chǎn)品，Si FRD是國際一線品牌主流
2023-10-07 10:12:26
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
的材料特性，各自都有各自的優(yōu)點(diǎn)和不成熟處，因此在應(yīng)用方面有區(qū)別 。一般的業(yè)界共識(shí)是：SiC適合高于1200V的高電壓大功率應(yīng)用；GaN器件更適合于40-1200V的高頻應(yīng)用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11
應(yīng)用，實(shí)際上已經(jīng)在HV/EV/PHV的板上充電電路中采用并發(fā)揮著SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。關(guān)鍵要點(diǎn):?ROHMSiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。?第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到改善，并進(jìn)一步降低了第2代達(dá)成的低VF。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-SBDSi-SBDSi-PND
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
3賽季）與文圖瑞車隊(duì)簽署官方技術(shù)合作協(xié)議，并在上個(gè)賽季為其提供了SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SiC-SBD）。通過將FRD更換為SiC-SBD，第2賽季由IGBT和快速恢復(fù)二極管（FRD）組成的逆變器成功
2018-12-04 10:24:29
：RGWxx65C系列的亮點(diǎn)＞使用SiC SBD作為續(xù)流二極管的Hybrid IGBT650V耐壓，IC(100℃) 30A/40A/50A有3種可選通過使用SiC SBD，顯著降低了導(dǎo)通時(shí)的開關(guān)損耗用于xEV車載
2022-07-27 10:27:04
量產(chǎn)供應(yīng)。第二代SiC-SBD通過改善制造工藝，使漏電流與trr性能保持了和以往產(chǎn)品同等水平，VF則能降低約0.15V。其結(jié)果是，因VF降低，而實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通損耗。正向特性圖表的紅色波形是第一
2018-12-04 10:26:52
nitride h鄄igh electron mobility transistor） 的應(yīng)用可以進(jìn)一步提高開關(guān)頻率， 使變換器的開關(guān)頻率達(dá)到 500 kHz甚至幾兆赫[1]。 但 GaN HEMT 存在
2023-09-18 07:27:50
。右圖為SiC-MOSFET＋SiC-SBD組成的全SiC模塊BSM300D12P2E001（1200V/300A）與IGBT＋FRD的模塊在同一環(huán)境下實(shí)測(cè)的開關(guān)損耗結(jié)果比較。Eon是開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的損耗
2018-12-04 10:14:32
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
夠更進(jìn)一步的發(fā)揮出來。2. 采用了低損耗的粗銅線半導(dǎo)體芯片和引線框架之間的絲焊材料選用了粗銅線，和一般常用的鋁線相比，能降低損耗。3. 使用低溫制造法的低噪聲高速開關(guān)SiC-SBD為了不給SiC結(jié)晶造成
2013-11-14 12:16:01
，避免故障。表1總結(jié)了三種晶體管類型參數(shù)以及GaN、Si和SiC的物理材料。對(duì)于Si SJ MOS，選擇了最新的具有本征快速體二極管的Si基MOSFET。GaN和SiC是最新一代的寬帶隙晶體管，更適合
2023-02-27 09:37:29
采用雙溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，與正在量產(chǎn)中的第2代平面型（DMOS結(jié)構(gòu)）SiC-MOSFET相比，導(dǎo)通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。實(shí)際的SiC-MOSFET產(chǎn)品下面是可供
2018-12-05 10:04:41
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C
2019-09-17 09:05:05
設(shè)計(jì)得低，開啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導(dǎo)致反向偏壓時(shí)的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過改進(jìn)制造工藝，成功地使漏電流和恢復(fù)性能保持與舊產(chǎn)品相等，而開啟電壓降低了約0.15V。SiC-SBD
2019-05-07 06:21:51
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
改善，并進(jìn)一步降低了第2代達(dá)成的低VF。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，僅
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
請(qǐng)問一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢(shì)主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
，另一方面想要控制封裝溫度變化，最終目標(biāo)是創(chuàng)造新的可靠性記錄： 可靠性是現(xiàn)有技術(shù)水平5倍多; 高溫性能同樣大幅提升 能夠在攝氏200度或更高溫度環(huán)境中工作。專案將針對(duì)整合式SiC元件的特性優(yōu)化封裝方法
2019-06-27 04:20:26
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
。ADuM4135隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器采用ADI公司經(jīng)過驗(yàn)證的iCoupler?技術(shù)，可以給高電壓和高開關(guān)速度應(yīng)用帶來諸多重要優(yōu)勢(shì)。ADuM4135是驅(qū)動(dòng)SiC/GaN MOS的最佳選擇，出色的傳播延遲優(yōu)于50 ns
2018-10-22 17:01:41
羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點(diǎn)在于，與普通SiC制SBD相比二極管導(dǎo)通電壓(以下稱導(dǎo)通電壓)較低。溝道型SBD的導(dǎo)通電壓為0.5V，降到了以往
2011-10-12 09:35:301110 據(jù)權(quán)威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進(jìn)入電力電子市場(chǎng)，預(yù)計(jì)到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場(chǎng)份額。未來電力電子元器件市場(chǎng)發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術(shù)創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:112463 這篇文章的目的是提供一個(gè)指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)備的用戶。
2017-06-27 08:54:11
23 分段、機(jī)理解耦與參數(shù)解耦，突出器件開關(guān)特性，弱化物理機(jī)理，簡化瞬態(tài)過程分析，建立基于SiC MOSFET與SiC SBD的換流單元瞬態(tài)模型。理論計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果對(duì)比表明，該模型能夠較為精細(xì)地體現(xiàn)SiC MOSFET開關(guān)瞬態(tài)波形且能夠較為準(zhǔn)確地計(jì)算
2018-02-01 14:01:343 SiC SBD和 MOS是目前最為常見的 SiC 基的器件，并且 SiC MOS 正在一些領(lǐng)域和 IGBT爭搶份額。我們都知道，IGBT 結(jié)合了 MOS 和 BJT 的優(yōu)點(diǎn)，第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC
2020-03-20 15:56:284190 日前，SiC & GaN功率器件設(shè)計(jì)和方案商派恩杰官方正式宣告與德國Foxy Power合作組建歐洲&北美銷售團(tuán)隊(duì)。
2021-09-09 09:39:171065 在開關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢(shì)更為凸顯。 下文主要對(duì)國產(chǎn)SiC MOSFET進(jìn)行介紹并與國外相近參數(shù)的主流產(chǎn)品相對(duì)比。 國產(chǎn)1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達(dá)1 MHz的頻率下進(jìn)行開關(guān)，其電壓和電流水平遠(yuǎn)高于硅MOSFET。
2023-02-06 14:32:23564 1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速
2023-02-07 16:46:27501 為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:18704 
SiC作為半導(dǎo)體材料的歷史不長，與Si功率元器件相比其實(shí)際使用業(yè)績還遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認(rèn)識(shí)。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗(yàn)數(shù)據(jù)。
2023-02-08 13:43:18363 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21685 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動(dòng)在包括車載在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。
2023-02-13 09:30:07400 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD的發(fā)展，整理一下當(dāng)前實(shí)際上供應(yīng)的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45354 
SiC-SBD為形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，僅電子移動(dòng)、電流流動(dòng)。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過電子與空穴（孔）流動(dòng)。
2023-02-23 11:24:11586 
作為歐洲領(lǐng)先的“電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動(dòng)”領(lǐng)域?qū)I(yè)盛會(huì)，PCIM 2023將于5月9日至11日在德國紐倫堡盛大召開，會(huì)上將展開超400篇國際技術(shù)論文的學(xué)術(shù)交流，并安排了技術(shù)及應(yīng)用為重點(diǎn)的綜合會(huì)議。
2023-05-08 09:14:06205 SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）于今日（8月29日）參加在上海新國際博覽中心舉辦的2023上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（以下簡稱PCIM Asia）（ 展位號(hào)：W2館2D03
2023-08-29 12:10:06294 
SiC與GaN的興起與未來
2023-01-13 09:06:226 2023年國產(chǎn)SiC上車
2023-10-31 23:02:000 SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:55197 
瑞森半導(dǎo)體在工業(yè)電源上的應(yīng)用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS，助力廠家及品牌，打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:33:13194 
瑞森半導(dǎo)體在工業(yè)電源上的應(yīng)用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS，助力廠家及品牌，打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:56:42207 
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