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關于電子束光刻工藝技術解讀
- 電子束(12988)
- 光刻工藝(1764)
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EUV光刻工藝可用到2030年的1.5nm節(jié)點
推動科技進步的半導體技術真的會停滯不前嗎？這也不太可能，7nm工藝節(jié)點將開始應用EUV光刻工藝，研發(fā)EUV光刻機的ASML表示EUV工藝將會支持未來15年，部分客戶已經在討論2030年的1.5nm工藝路線圖了。
2017-01-22 11:45:42
3424
3424半導體器件制造中的蝕刻工藝技術概述
在半導體器件制造中，蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過這種去除在襯底上產生該材料的圖案的任何技術，該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定，其產生在光刻中有詳細描述，一旦掩模就位，可以通過濕法化學或“干法”物理方法對不受掩模保護的材料進行蝕刻，圖1顯示了這一過程的示意圖。
2022-07-06 17:23:522869
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光刻工藝的基本步驟
傳統(tǒng)的光刻工藝是相對目前已經或尚未應用于集成電路產業(yè)的先進光刻工藝而言的，普遍認為 193nm 波長的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺（見下表）。這是因為 193nm 的光刻依靠浸沒式和多重曝光技術的支撐，可以滿足從 0.13um至7nm 共9個技術節(jié)點的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2913995
13995淺談半導體制造中的光刻工藝
在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發(fā)展史?，F在，讓我們繼續(xù)了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機拍照非常相似。但是具體是怎么實現的呢？
2023-06-28 10:07:472427
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半導體制造之光刻工藝講解
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241338
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光刻技術原理及應用
隨著半導體技術的發(fā)展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數量級（從毫米級到亞微米級），已從常規(guī)光學技術發(fā)展到應用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術；使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃
2012-01-12 10:51:59
光刻膠在集成電路制造中的應用
時)。EUV光刻和X光光刻則可以達到更高的分辨率。然而, 它們存在的掩膜制造困難，且掩膜易被強光損傷等缺陷限制了它們的工業(yè)化生產。而電子束光刻膠極有可能在集成電路線寬降至納米級時大顯身手，目前國外電子束膠
2018-08-23 11:56:31
光刻機工藝的原理及設備
關于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當于膠片，而光刻機就是沖洗臺，它把掩膜版上的芯片電路一個個的復制到光刻膠薄膜上，然后通過刻蝕技術把電路“畫”在晶圓上?！ ‘斎?/div>
2020-07-07 14:22:55
關于MEMS的技術簡介
`MEMS全稱Micro Electromechanical System（微機電系統(tǒng)），是一種通常在硅晶圓上以IC工藝制備的微機電系統(tǒng)，微機械結構的制備工藝包括光刻、離子束刻蝕、化學腐蝕、晶片鍵合
2020-05-12 17:27:14
電子束沿多層膜表面運動時產生的電磁輻射
都按指數規(guī)律變化,實際電子束自發(fā)輻射的總輻射功率與金屬-介質多層膜的空間周期成反比?！娟P鍵詞】：激光技術;;史密斯-帕塞爾效應;;金屬-介質多層膜;;光柵【DOI】：CNKI:SUN
2010-04-26 16:15:43
CHA2066-QAG低噪聲放大器UMS
，橫穿基板的通孔，空氣橋和電子束柵極光刻技術。CHA2066-QAG以無鉛SMD封裝形式提供。主要特征寬帶性能10-16GHZ2.5db相位噪聲，10-16GHZ（BD）16db增益值，1.5db增益值
2024-02-05 09:13:49
CHA3688aQDG低噪聲放大器UMS
UMS的CHA3688aQDG是款三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
CHA3688aQDG選用 pHEMT 工藝技術、0.25μm 柵極尺寸、橫穿基板的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻工藝生產
2024-03-06 15:46:20
Dual Beam FIB(雙束聚焦離子束)
Dual Beam FIB(雙束聚焦離子束)機臺能在使用離子束切割樣品的同時，用電子束對樣品斷面(剖面)進行觀察，亦可進行EDX的成份分析。iST宜特檢測具備超高分辨率的離子束及電子束的Dual
2018-09-04 16:33:22
Sic mesfet工藝技術研究與器件研究
Sic mesfet工藝技術研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術并進行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
《炬豐科技-半導體工藝》硅納米柱與金屬輔助化學蝕刻的比較
下方的蝕刻速率遠高于沒有金屬時的蝕刻速率，因此當半導體正被蝕刻在下方時，金屬層會下降到半導體中。4 本報告描述了使用 MacEtch 工藝制造 100 到 1000 nm 的納米柱。電子束光刻：硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
【AWorks280試用申請】電子束高壓逆變電源控制系統(tǒng)研究
申請理由：我們是北京航空航天大學新型電源研究實驗室，我們的電子束焊接項目欲用arm架構的開發(fā)板進行試驗，故申請致遠電子AWorks開發(fā)板免費試用機會項目描述：我們是北京航空航天大學新型電源研究實驗室
2015-10-23 10:09:58
光芯片前端工藝工程師
1、 電子、物理、通信、材料等專業(yè)，本科以上學歷，3年以上的PECVD\LPCVD沉積工作經驗； 2、 了解半導體工藝、精通PECVD或LPCVD材料生長技術； 3、 精通PECVD或LPCVD設備
2012-12-19 22:42:16
剛柔性PCB制造工藝技術的發(fā)展趨勢
PCB部件使用PI膜作為柔性芯板，并覆蓋聚酰亞胺或丙烯酸膜。粘合劑使用低流動性預浸料，最后將這些基材層壓在一起以制成剛撓性PCB。剛柔性PCB制造工藝技術的發(fā)展趨勢：未來，剛柔結合PCB將朝著超薄，高密度
2019-08-20 16:25:23
半導體工藝技術的發(fā)展趨勢
業(yè)界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
半導體工藝技術的發(fā)展趨勢是什么？
業(yè)界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
國科大《集成電路先進光刻技術與版圖設計優(yōu)化》課程分享之二：浸沒式光刻工藝缺陷種類、特征及自識別方法
中國科學院大學（以下簡稱國科大）微電子學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院，國科大微電子學院開設的《集成電路先進光刻技術與版圖設計優(yōu)化》課程是國內少有的研究討論光刻技術的研究生課程，而開設課程
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圖形反轉工藝用于金屬層剝離的研究
圖形反轉工藝用于金屬層剝離的研究研究了ＡＺ?５２１４ 膠的正、負轉型和形成適用于剝離技術的倒臺面圖形的工藝技術。用掃描電鏡和臺階儀測試制作出的光刻膠斷面呈倒臺面，傾角約為６０°，膠厚１?４μｍ。得到
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活性電子束探測技術對現有失效分析過程的補充
失效分析實驗室中，我們檢查了電阻對比成像(RCI)和電子束感應電流(EBIC)，并成功將其用作失效點隔離技術。從這些技術獲得的結果得到了其它失效分析方法的支持，例如光學顯微鏡和曲線軌跡分析等。最后
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濕法蝕刻工藝
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高，因為所用化學藥品可以非常精確地適應各個薄膜。對于大多數解決方案，選擇性大于100：1。
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現代焊接技術中的電子束焊接技術
過程中焊接深度以及焊接寬度之間的比值較高，第四是電子束焊接技術在應用的過程中不僅僅局限在導電材料的焊接工藝中，第五是電子束焊接技術受到磁場的影響較小，再次是電子束焊接在應用的過程中不會出現 X 射線
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芯片制作工藝流程 二
:193nm)為曝光光源。為了 解決上述所提到的缺點，用比光的波長更短的X線(l=1-10nm)作為曝光光源，技術上有很大的進展，利用X線和電子束進行光刻時，其焦深較深，對表面平坦度沒有苛刻的要求。 接近式
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鍺化硅工藝在高速通信領域有哪些應用？
。IBM采用0.18um光刻工藝制成的120GHz Ft SiGe晶體管是一個很好的例子。 處理這一例子，鍺化硅工藝技術還在哪些高速通信領域應用呢？
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電子束蒸鍍設備 E-beam
價格貨期電議電子束蒸鍍設備 E-beam Evaporation System電子束蒸發(fā)與熱蒸發(fā)對比, 能夠在非常高的溫度下熔化材料, 如鎢, 石墨 ... 等等. 結合石英震蕩片的反饋信號, 可
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英特爾認為浸入式光刻能延伸到11納米
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英特爾的先進光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補者
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Intel 22nm光刻工藝背后的故事
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去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關產品。
2010-03-24 08:52:581085
1085超細線蝕刻工藝技術介紹
超細線蝕刻工藝技術介紹
目前，集成度呈越來越高的趨勢，許多公司紛紛開始SOC技術，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題，因
2010-03-30 16:43:081181
1181光刻膠與光刻工藝技術
光刻膠與光刻工藝技術 微電路的制造需要把在數量上精確控制的雜質引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內,然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
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0納米結構制備技術
隨著 納米加工 技術的發(fā)展,納米結構器件必將成為將來的集成電路的基礎. 本文介紹了幾種用電子束光刻、反應離子刻蝕方法制備硅量子線、量子點和用電子束光刻、電子束蒸發(fā)以及剝
2011-06-20 16:16:0935
35MIT實現9納米工藝電子束光刻技術
麻省理工學院 (MIT)的研究人員表示，已經開發(fā)出一種技術，可望提升在芯片上寫入圖案的高速電子束光刻解析度，甚至可達9nm，遠小于原先所預期的尺寸
2011-07-12 09:01:371498
1498看懂光刻機:光刻工藝流程詳解
光刻是半導體芯片生產流程中最復雜、最關鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導體芯片生產的難點和關鍵點在于將電路圖從掩模上轉移至硅片上，這一過程通過光刻來實現， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能
2018-04-08 16:10:52162273
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PCB蝕刻工藝原理_pcb蝕刻工藝流程詳解
本文首先介紹了PCB蝕刻工藝原理和蝕刻工藝品質要求及控制要點，其次介紹了PCB蝕刻工藝制程管控參數及蝕刻工藝品質確認，最后闡述了PCB蝕刻工藝流程詳解，具體的跟隨小編一起來了解一下吧。
2018-05-07 09:09:0940479
40479美光表示：EUV光刻機在DRAM芯片制造上不是必須的，直到1α及1β工藝上都也不會用到它
今年臺積電、三星及Globalfoundries等公司都會量產7nm工藝，第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝，二代7nm才會上EUV光刻工藝，預計明年量產。那么存儲芯片行業(yè)何時會用上EUV
2018-06-07 14:49:006059
6059美光認為暫時用不上EUV光刻機，DRAM工藝還需發(fā)展
隨著技術的發(fā)展，今年臺積電、三星及Globalfoundries等公司都會量產7nm工藝，下一代將在2020年進入5nm工藝，2022年進入3nm工藝。目前第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝，預計到5nm工藝將會上EUV光刻工藝。
2018-08-20 17:41:491149
1149EUV光刻工藝終于商業(yè)化 新一代EUV光刻工藝正在籌備
隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來的一個里程碑。不過EUV工藝要想大規(guī)模量產還有很多技術挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產能輸出還沒有
2018-10-30 16:28:403376
3376如何進行電子束光刻中的相互鄰近效應校正技術研究與分析
本文研究了 基于形狀修正的電子束光刻分級鄰近效應校正技術，在內部鄰近效應校正的基礎上，在計算圖形之間產生的相互鄰近效應過程中，采用了局部曝光窗口和全局曝光窗口機制。局部曝光窗口的區(qū)域小，對計算精度
2018-12-05 11:20:264
4曝光成像與顯影工藝技術的原理及特點
PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術來完成的，無論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時都要用到曝光成像與顯影工藝技術。下面來詳細介紹這兩種工藝的加工特點及加工原理。
2019-04-28 15:10:5231336
31336中國與國外相比較光刻工藝差別到底在哪里
作為制造芯片的核心裝備，光刻機一直是中國的技術弱項,其技術水平嚴重制約著中國芯片技術的發(fā)展。荷蘭ASML公司的光刻機設備處于世界先進水平，日本光刻設備大廠都逐漸被邊緣化，國內更是還有很大的差距。那么中國光刻工藝與國外頂尖公司究竟相差多少代技術呢？
2019-06-16 11:18:408244
8244提高光刻機性能的關鍵技術及光刻機的發(fā)展情況
作為光刻工藝中最重要設備之一，光刻機一次次革命性的突破，使大模集成電路制造技術飛速向前發(fā)展。了解提高光刻機性能的關鍵技術以及了解下一代光刻技術的發(fā)展情況是十分重要的。 光刻機 光刻機（Mask
2020-08-28 14:39:0411746
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電子束焊是什么意思_電子束焊的應用
電子束焊是指利用加速和聚焦的電子束轟擊置于真空或非真空中的焊接面，使被焊工件熔化實現焊接。真空電子束焊是應用最廣的電子束焊。
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7861PCBA開發(fā)的開發(fā)受到光刻工藝的影響
重要要點 l 什么是光刻？ l 光刻工藝的類型。 l 光刻處理如何用于電路板成像。 l 工業(yè)平版印刷處理設計指南。 可以說，有史以來研究最多的文物是都靈裹尸布。進行廣泛檢查的原因，從來源的宗教建議
2020-09-16 21:01:161361
1361一文看懂電子束與離子束加工工藝
電子束加工和離子束加工是近年來得到較大發(fā)展的新型特種加工。他們在精密微細加工方面，尤其是在微電子學領域中得到較多的應用。通常來說，電子束加工主要用于打孔、焊接等熱加工和電子束光刻化學加工，而離子束加工則主要用于離子刻蝕、離子鍍膜和離子注入等加工。?
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15關于光刻的原理、光刻設備等知識點集合
最近光博會上看到一本關于光刻的小冊子，里面有一點內容，分享給大家。 關于光刻的原理、光刻設備、光刻膠的種類和選擇等。 開篇 光刻的原理 表面處理：一般的晶圓光刻前都需要清潔干凈，特別是有有機物
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關于非晶半導體中的光刻工藝的研究報告
。后一種工藝是集成電路微制造技術的基礎。微電子工業(yè)不斷增長的需求需要光刻材料（光刻劑)，具有亞微米分辨率、高靈敏度、對微電子中常用的基質的良好粘附，以及對廣泛的等離子體和濕化學蝕刻劑的高抗性。 非晶態(tài)半導體材料
2022-01-19 16:08:46375
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關于濕法蝕刻工藝對銅及其合金蝕刻劑的評述
濕法蝕刻工藝已經廣泛用于生產各種應用的微元件。這些過程簡單易操作。選擇合適的化學溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度。銅及其合金是各種工業(yè)，特別是電子工業(yè)的重要
2022-01-20 16:02:241862
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半導體等精密電子器件制造的核心流程：光刻工藝
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產業(yè)的關鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學敏感性的混合液體。其利用光化學反應，經曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上，是用于微細加工技術的關鍵性電子化學品。
2022-06-21 09:30:0916641
16641光刻工藝中使用的曝光技術
根據所使用的輻射，有不同類型的光刻方法用于曝光的:光刻(光刻)、電子束光刻、x射線光刻、光刻和離子束光刻。在光學光刻技術中，有部分不透明和部分不透明的圖案掩模(光片)半透明區(qū)域被使用。紫外線輻射或氣體激光的照射以1:1的比例完成或者以4:1或10:1的比例減少。
2022-07-27 16:54:533169
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美國公司Zyvex使用電子束光刻制造出0.7nm芯片
氫去鈍化光刻(HDL)是電子束光刻(EBL)的一種形式，它通過非常簡單的儀器實現原子分辨率，并使用能量非常低的電子。它使用量子物理學有效地聚焦低能電子和振動加熱方法，以產生高度非線性（多電子）的曝光機制。
2022-09-27 10:39:542524
2524深度解析EUV光刻工藝技術
光刻是半導體工藝中最關鍵的步驟之一。EUV是當今半導體行業(yè)最熱門的關鍵詞，也是光刻技術。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細看看光刻技術。
2022-10-18 12:54:053180
3180計算光刻技術的發(fā)展
計算光刻 (Computational Lithography)技術是指利用計算機輔助技術來增強光刻工藝中圖形轉移保真度的一種方法，它是分辦率增強技術(ResolutionEnhancement
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2274廈門云天Fine Pitch光刻工藝突破2um L/S
來源：云天半導體 廈門云天半導體繼九月初812吋 “晶圓級封裝與無源器件生產線”正式通線后，經過團隊的不懈努力， 8英寸晶圓Fine Pitch光刻工藝開發(fā)終破2/2um L/S大關； 以下為部分工藝
2022-11-30 17:07:07854
854EUV光刻工藝制造技術主要有哪些難題？
光掩?？梢员徽J為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內。然后，光掩?？梢晕栈蛏⑸涔庾?，或允許它們穿過晶圓。這就是在晶圓上創(chuàng)建圖案的原因。
2023-03-03 10:10:321129
1129芯片制造之光刻工藝詳細流程圖
光刻機可分為前道光刻機和后道光刻機。光刻機既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機用于芯片的制造，曝光工藝極其復雜，后道光刻機主要用于封裝測試，實現高性能的先進封裝，技術難度相對較小。
2023-06-09 10:49:205860
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什么是光刻工藝？光刻的基本原理
光刻是半導體芯片生產流程中最復雜、最關鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導體芯片生產的難點和關鍵點在于將電路圖從掩模上轉移至硅片上，這一過程通過光刻來實現， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531589
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氦質譜檢漏儀電子束***檢漏
上海伯東客戶某光刻機生產商, 生產的電子束光刻機 Electron Beam Lithography System 最大能容納 300mmφ 的晶圓片和 6英寸的掩模版, 適合納米壓印, 光子器件
2023-06-02 15:49:40492
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低能量電子束曝光技術
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術對聚合物抗蝕劑進行構圖，然后通過干法蝕刻技術用抗蝕劑作為掩模將圖案轉移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:14292
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光刻工藝的基本步驟 ***的整體結構圖
光照條件的設置、掩模版設計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認為其物理極限在0.25，k?體現了各家晶圓廠運用光刻技術的水平。
2023-12-18 10:53:05326
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德累斯頓工廠的電子束光刻系統(tǒng)
和光通信領域的客戶制造高精度微型光學元件。制造商是位于德國耶拿的電子束技術專家Vistec Electron Beam GmbH。該系統(tǒng)將于2025年初交付。 以最高精度創(chuàng)建最小的結構 這種類型的電子束光刻系統(tǒng)可以在直徑達300毫米的襯底上以10納米范圍（約為頭發(fā)絲的1/2,000）精度
2024-01-15 17:33:16177
177基于SEM的電子束光刻技術開發(fā)及研究
電子束光刻（e-beam lithography，EBL）是無掩膜光刻的一種，它利用波長極短的聚焦電子直接作用于對電子敏感的光刻膠（抗蝕劑）表面繪制形成與設計圖形相符的微納結構。
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電子束光刻的參數優(yōu)化及常見問題介紹
本文從光刻圖案設計、特征尺寸、電鏡參數優(yōu)化等方面介紹電子束光刻的參數優(yōu)化，最后介紹了一些常見問題。
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