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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>下一代EUV***長啥樣?

下一代EUV***長啥樣?

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繞開EUV***!機構(gòu):光芯片或?qū)⒁I(lǐng)下一代芯片革命

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ASML研發(fā)下一代EUV光刻機 華為將滿足英國提出的要求

ASML的副總裁Anthony Yen日前表示,他們已經(jīng)開始研發(fā)下一代光刻機。他表示,在他們公司看來,一旦現(xiàn)有的系統(tǒng)到達了極限,他們有必要去繼續(xù)推動新一代產(chǎn)品的發(fā)展,進而推動芯片的微縮。
2018-12-09 09:12:215632

ASML最新一代EUV設(shè)備2025年量產(chǎn)

降低成本,使不僅晶圓代工業(yè)者積極導入,連DRAM記憶體的生產(chǎn)廠商也考慮引進。為了因應(yīng)制程微縮的市場需求,全球主要生產(chǎn)EUV設(shè)備的廠商艾司摩爾(ASML)正積極開發(fā)下一代EUV設(shè)備,就是High-NA(高數(shù)值孔徑)EUV 產(chǎn)品,預計幾年內(nèi)就能正式量產(chǎn)。
2019-07-05 15:32:482520

關(guān)于ASML正在開發(fā)下一代EUV光刻機性能分析

通過提升功率,ASML已經(jīng)將每小時可以處理的晶圓數(shù)量提升了。功率越大意味著晶圓可以更快地曝光。在195瓦特的時候,他們每小時可以處理125片晶圓; 功率在今年年初達到246 W之后,這個數(shù)字則來到了140片晶圓。該公司全年都在對客戶機器進行改造,以期達到更高的標準。
2019-08-29 11:41:403078

ASML研發(fā)第二代EUV光刻機的微縮分辨率、套準精度提升了70%

據(jù)韓媒報道稱,ASML正積極投資研發(fā)下一代EUV光刻機,與現(xiàn)有光刻機相比,二代EUV光刻機最大的變化就是High NA透鏡,通過提升透鏡規(guī)格使得新一代光刻機的微縮分辨率、套準精度兩大光刻機核心指標提升70%,達到業(yè)界對幾何式芯片微縮的要求。
2019-08-07 11:24:395849

ASML下一代EUV光刻機堪稱史上最貴半導體設(shè)備 一臺就是12億元人民幣

截至目前,華為麒麟990 5G是唯一應(yīng)用了EUV極紫外光刻的商用芯片,臺積電7nm EUV工藝制造,而高通剛發(fā)布的驍龍765/驍龍765G則使用了三星的7nm EUV工藝。
2019-12-18 09:20:0315995

臺積電5nm EUV工藝6月實現(xiàn)量產(chǎn),華為下一代旗艦處理器性能提升50%

臺積電將會在今年年中開始進行5nm EUV工藝的量產(chǎn),屆時臺積電的主要5nm工藝客戶有蘋果和華為兩家。根據(jù)MyDrivers報道,華為的下一代旗艦處理器可能命名為麒麟1020,有5nm EUV工藝加持后性能會比麒麟990 5G SoC提升50%!
2020-03-07 15:52:092486

ASML憑什么稱霸光刻機市場

近日,荷蘭光刻機巨頭阿斯麥(ASML)公司2019年的年報中披露了關(guān)于下一代EUV極紫光刻機的研發(fā)進程,預計2022年年初開始出貨,2024年實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。
2020-03-17 15:25:593120

ASML高管訪問三星討論EUV光刻設(shè)備供應(yīng)和開發(fā)合作

工廠,討論了在EUV光刻設(shè)備供應(yīng)和開發(fā)方面的合作。ASML官員與三星電子副董事長金基南及其他三星重要高管進行了會談。三星電子副會長李在镕沒有參加會議。 業(yè)內(nèi)人士認為,三星電子要求供應(yīng)更多EUV光刻設(shè)備,并討論了兩家公司在開發(fā)下一代EUV光刻設(shè)備方面的合作。 IT之家獲悉,三
2020-12-02 10:06:101454

臺積電現(xiàn)采購 35 臺 EUV 光刻機,占 ASML 過半產(chǎn)量

據(jù)中國臺灣經(jīng)濟日報報道,EUV 光刻機制造商 ASML 首席執(zhí)行官 Peter Wennink 帶領(lǐng)高管拜訪三星,雙方尋求技術(shù)與投資合作。三星希望能搶在臺積電之前,取得 ASML 下一代 EUV
2020-12-02 11:16:571536

三星攜手ASML開發(fā)下一代EUV光刻機方面的合作

據(jù)報道,三星正尋求加強與荷蘭半導體設(shè)備制造商ASML的技術(shù)和投資合作。
2020-12-02 10:53:411467

三星希望能搶在臺積電之前,取得ASML下一代EUV設(shè)備供應(yīng)

業(yè)內(nèi)人士分析稱,三星積極追趕臺積電,不過臺積電在高良率與低功耗方面擁有優(yōu)勢。7nm 制程方面,臺積電先推出 FinFet 架構(gòu)的 7nm 技術(shù),再推出使用 EUV 的 N7 + 制程。5nm 方面,三星與臺積電仍有二成產(chǎn)能的差距。
2020-12-04 17:23:531479

ASML下一代EUV光刻機延期:至少2025年

的出貨不及預期的35臺,而且他們還宣布了下一代高NA的EUV光刻機要到2025-2026年之間才能規(guī)模應(yīng)用,意味著要延期了。 此前信息顯示,ASML下一代EUV光刻機最早是2022年開始出樣,大規(guī)模
2021-01-22 17:55:242639

ASML開發(fā)的下一代EUV平臺

具有13.5nm波長源的高數(shù)值孔徑系統(tǒng)將提高亞13nm半間距曝光所需的分辨率,以及更大的圖像對比度以實現(xiàn)更好的印刷線均勻性。High-NA EUV光刻的分辨率通常被稱為“13nm到8nm半間距”。
2022-06-02 15:03:561098

2nm芯片最新進展 臺積電再曝2nm芯片新進展

前不久,臺積電、三星電子已經(jīng)爆出公司2nm芯片新進展,紛紛的尋求下一代 EUV 光刻機,今年臺積電將實現(xiàn)3nm的量產(chǎn),再往后就是在2025年量產(chǎn)2nm了,這也意味著現(xiàn)在2nm 技術(shù)戰(zhàn)已經(jīng)打響。
2022-07-05 10:05:352219

ASML下一代EUV光刻機High-NA來了!

對于3nm后的節(jié)點,ASML及其合作伙伴正在研究一種全新的EUV工具——Twinscan EXE:5000系列,具有0.55 NA(High-NA)透鏡,能夠達到8nm分辨率,可以避免3nm及以上的多圖案。
2022-08-17 15:44:041910

臺積電已啟動1nm工藝先導計劃 升級下一代EUV光刻機是關(guān)鍵

在先進工藝上,臺積電今年底量產(chǎn)3nm工藝,2025年則是量產(chǎn)2nm工藝,這一代會開始使用GAA晶體管,放棄現(xiàn)在的FinFET晶體管技術(shù)。 再往后呢?2nm之后是1.4nm工藝,Intel、臺積電及三星這三大芯片廠商也在沖刺,其中三星首個宣布2027年量產(chǎn)1.4nm工藝,臺積電沒說時間點,預計也是在2027年左右。 1.4nm之后就是1nm工藝了,這個節(jié)點曾經(jīng)被認為是摩爾定律的物理極限,是無法實現(xiàn)的,但是現(xiàn)在芯片廠商也已經(jīng)在攻關(guān)中。 臺積電已經(jīng)啟動了先導計劃,傳聞中的1nm晶圓
2022-10-31 11:06:301316

下一代家電供電:如何集腋成裘

下一代家電供電:如何集腋成裘
2022-11-02 08:16:071

1納米芯片代表什么?

據(jù)悉,下一代EUV光刻機必須要升級下一代的高NA(數(shù)值孔徑)標準,從現(xiàn)在的0.33 NA提升到0.55 NA,更高的NA意味著更分辨率更高,是3nm之后的工藝必備的條件。
2022-11-30 09:52:4830113

三星研發(fā)下一代EUV關(guān)鍵組件

半導體和顯示材料開發(fā)商石墨烯實驗室于11月14日宣布,其已開發(fā)出用石墨烯制造小于5納米的EUV薄膜(pellicles)的技術(shù),并已準備好量產(chǎn)新型薄膜。
2023-02-16 09:07:34369

下一代EUV***,關(guān)鍵技術(shù)拆解!

但imec先進成像、工藝和材料高級副總裁斯蒂芬·希爾(Steven Scheer)在接受采訪時非常理性地指出,要經(jīng)濟高效地引入High NA EUV光刻機,還需翻越“四堵墻”,包括改進EUV光刻膠的厚度、底層材料的屬性、3D掩膜效應(yīng)對成像的影響,以及與新型邏輯晶體管、存儲芯片組件進行協(xié)同設(shè)計。
2023-03-17 09:27:091230

Renesas與Wolfspeed的20億美元交易帶來的啟示

該行業(yè)甚至愿意更進一步,通過合作和共同融資來開發(fā)下一代半導體制造設(shè)備,就像最近ASML和Imec之間的協(xié)議一樣。他們說,將在開發(fā)下一代EUV設(shè)備上合作。公司在一份聲明中表示,其他未公開的企業(yè)也將加入這個聯(lián)盟。
2023-07-18 15:28:51359

EUV光刻市場高速增長,復合年增長率21.8%

EUV掩膜,也稱為EUV掩模或EUV光刻掩膜,對于極紫外光刻(EUVL)這種先進光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進技術(shù),用于制造具有更小特征尺寸和增強性能的下一代半導體器件。
2023-08-07 15:55:02399

高數(shù)值孔徑EUV的技術(shù)要求是什么

今年的大部分討論都集中在 EUV下一步發(fā)展以及高數(shù)值孔徑 EUV 的時間表和技術(shù)要求上。ASML戰(zhàn)略營銷高級總監(jiān)Michael Lercel表示,目標是提高EUV的能源效率,以及他們下一代高數(shù)值孔徑EUV工具的開發(fā)狀況。
2023-08-11 11:25:25252

高數(shù)值孔徑 EUV技術(shù)路線圖

高數(shù)值孔徑EUV 今年的大部分討論都集中在EUV下一步發(fā)展以及高數(shù)值孔徑EUV的時間表和技術(shù)要求上。ASML戰(zhàn)略營銷高級總監(jiān)Michael Lercel表示,其目標是提高EUV的能源效率,以及下一代高數(shù)值孔徑EUV工具的發(fā)展狀況。
2023-11-23 16:10:27255

納米電子創(chuàng)新中心Imec與三井化學宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

比利時納米電子創(chuàng)新中心imec和日本化學公司三井化學宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,將下一代EUV半導體光刻系統(tǒng)的關(guān)鍵組件商業(yè)化。
2024-01-08 09:10:34325

押注2nm!英特爾26億搶單下一代 EUV光刻機,臺積電三星決戰(zhàn)2025!

了。 ? 芯片制造離不開光刻機,特別是在先進制程上,EUV光刻機由來自荷蘭的ASML所壟斷。同時,盡管目前市面上,EUV光刻機客戶僅有三家,但需求不斷增加的情況底下,EUV光刻機依然供不應(yīng)求。 ? 針對后3nm時代的芯片制造工藝,High-NA(高數(shù)值孔徑)EUV光刻機
2022-06-29 08:32:004635

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