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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>實現(xiàn)20nm及更尖端工藝的3D芯片堆疊

實現(xiàn)20nm及更尖端工藝的3D芯片堆疊

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GlobalFoundries日前試產(chǎn)了20nm測試芯片,該芯片采用Cadence,Magma,Mentor Graphics和Synopsys的設(shè)計工具。此次試制的測試芯片使用了雙重圖形(Double Patterning),每家EDA合作伙伴都提供了大量的布局
2011-09-01 09:53:111269

Sondrel展示20nm模擬和數(shù)碼設(shè)計技術(shù)

Sondrel公司近日將在IIC-China 2012現(xiàn)場展示20nm的模擬和數(shù)碼設(shè)計技術(shù)。Sondrel在歐洲不同國家,以及以色列和中國有強大的設(shè)計服務(wù)團隊,包括前端,驗證,DFT等全套設(shè)計服務(wù)。
2012-02-23 09:49:46994

臺積電:20nm僅會提供一種制程

  晶圓代工巨擘臺積電(TSMC)日前表示,將在 20nm 節(jié)點提供單一製程,這與該公司過去針對不同製程節(jié)點均提供多種製程服務(wù)的策略稍有不同。
2012-04-22 11:09:441076

GlobalFoundries開始安裝20nm TSV設(shè)備

  GlobalFoundries 已開始在紐約的 Fab 8 廠房中安裝硅穿孔(TSV)設(shè)備。如果一切順利,該公司希望在2013下半年開始採用 20nm 及 28nm 製程技術(shù)製造3D堆疊晶片。
2012-05-01 10:13:121039

臺積電重金投入R&D 專注20與14nm工藝研發(fā)

據(jù)報道,2012年臺積電準備為其R&D投入13億美元,作為本年度資本支出預(yù)算中的一部分。去年,臺積電的R&D預(yù)算首次突破10億美元。而今年多出的30%將會用于20nm和14nm工藝研發(fā)。20nm工藝預(yù)計
2012-05-15 10:18:21675

臺積電將于下月試產(chǎn)20nm芯片

據(jù)臺灣媒體報道,臺積電(TSMC)預(yù)計會在下月試產(chǎn)20nm芯片制程,即將成為全球首家進入20nm技術(shù)的半導(dǎo)體公司。若該芯片試產(chǎn)成功,將超越英特爾(Intel)的22nm制程,拉開與三星電子(
2012-07-18 09:44:33840

ARM和Globalfoundries聯(lián)手研發(fā)20nm移動芯片

8月14日消息,ARM和芯片工廠Globalfoundries日前宣布,雙方將聯(lián)手研發(fā)20nm工藝節(jié)點和FinFET技術(shù)。 ARM之前和臺積電進行了緊密合作,在最近發(fā)布了若干使用臺積電28nm工藝節(jié)點制作的硬宏處理
2012-08-14 08:48:11636

基于Altera 20nm及更小尺寸工藝的系統(tǒng)技術(shù)特性及功能

每一代硅片新技術(shù)既帶來了新機遇,也意味著挑戰(zhàn),因此,當(dāng)我們設(shè)計系統(tǒng)時,需要重新審視最初所作出的成本和功耗決定。20 nm以及今后的硅片技術(shù)亦是如此。 Altera在 20nm 制造節(jié)點的
2012-09-07 09:41:08477

臺積電20nm制程獲將用于蘋果A7試產(chǎn)

臺積電積極開發(fā)20nm制程,花旗環(huán)球證券指出,在技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢下,未來1~2年內(nèi)有機會獨吞蘋果(Apple)A7處理器訂單。野村證券評估,臺積電明年第1季開始試產(chǎn)A7,順利的話,后年上半
2012-09-28 09:40:061048

Mentor的CalibreLFD獲得TSMC的20nm制造工藝認證

Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD(光刻友好設(shè)計)光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認證。 Calibre LFD可對熱點進行識別,還可對設(shè)計工藝空間是否充足進行檢查。光學(xué)臨近校正法
2012-09-29 10:30:461761

Mentor CalibreLFD獲得TSMC的20nm制造工藝認證

電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 :Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD(光刻友好設(shè)計)光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認證。 Calibre LFD可對熱點進行識別,還可對設(shè)計工藝空間是否充足進
2012-10-08 16:00:14915

Altera:20nm技術(shù)延續(xù)硅片融合承諾

近期,Altera發(fā)布其下一代20nm產(chǎn)品中規(guī)劃的幾項關(guān)鍵創(chuàng)新技術(shù),延續(xù)在硅片融合上的承諾,克服了20nm設(shè)計五大挑戰(zhàn),實現(xiàn)了系統(tǒng)集成、串行帶寬、DSP性能三大突破。
2012-10-16 11:29:101077

深入剖析FPGA 20nm工藝 Altera創(chuàng)新發(fā)展之道

電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示: 本文就可編程邏輯廠商阿爾特拉(Altera)公司首次公開的20nm創(chuàng)新技術(shù)展開調(diào)查以及深入的分析;深入闡述了FPGA邁向20nm工藝,Altera憑借其異構(gòu)3D IC、高速收發(fā)器
2012-11-01 13:48:581993

賽靈思(Xilinx)解讀20nm的價值:繼續(xù)領(lǐng)先一代

電子發(fā)燒友網(wǎng)訊:關(guān)于摩爾定律的經(jīng)濟活力問題,有很多的討論。在過去的一年中,20nm節(jié)點進入到這個辯論的前沿和中心。無論說辭如何,包括賽靈思在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)在20nm研發(fā)上的積極
2012-11-14 11:19:521196

NVIDIA選中臺積電20nm 將制造“麥克斯韋”

據(jù)《韓國日報》報道,NVIDIA在新制造工藝上已經(jīng)選中了臺積電的20nm,雙方的長期合作將繼續(xù)深入下去,而這也意味著,NVIDIA代號麥克斯韋(Maxwell)的下代GPU仍將出自臺積電之手。
2012-12-07 17:00:14839

搶占20nm制高點,Xilinx下一代產(chǎn)品優(yōu)勢全解析

Xilinx公布其在20nm產(chǎn)品的表現(xiàn)上還將保持領(lǐng)先一代的優(yōu)勢,究竟在20 nm制程上,Xilinx的產(chǎn)品有哪些演進使其保持領(lǐng)先競爭對手一代的優(yōu)勢?詳見本文
2013-01-10 09:33:43961

TSMC將為蘋果提供AP/GPU集成的解決方案,并采用20nm SoC工藝

臺灣半導(dǎo)體制造公司(TSMC)將為蘋果提供AP/ GPU集成的解決方案,并且采用20nm Soc片上系統(tǒng)工藝為蘋果代工。
2013-01-17 20:58:171257

賽靈思發(fā)布UltraScale架構(gòu),20nm開始投片

賽靈思公司今天宣布,延續(xù)28nm工藝一系列行業(yè)創(chuàng)新,在20nm工藝節(jié)點再次推出兩大行業(yè)第一:投片半導(dǎo)體行業(yè)首款20nm器件,也是可編程邏輯器件(PLD)行業(yè)首款20nm All
2013-07-09 20:01:503807

20/16nm將成主流 先進工藝怎適應(yīng)?

017年20nm、16nm及以下的先進工藝將成為主流,這對我們設(shè)計業(yè)、制造業(yè)是一個很大的啟示:我們怎么樣適應(yīng)全球先進工藝
2013-12-16 09:40:211925

Xilinx宣布率先量產(chǎn)20nm FPGA器件

2014年12月22日,中國北京 - All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))今天宣布其 Kintex? UltraScale? KU040 FPGA成為業(yè)界首款投入量產(chǎn)的20nm器件。
2014-12-22 17:36:13967

使用Xilinx 20nm工藝的UltraScale FPGA來降低功耗的19種途徑

在絕大部分使用電池供電和插座供電的系統(tǒng)中,功耗成為需要考慮的第一設(shè)計要素。Xilinx決定使用20nm工藝的UltraScale器件來直面功耗設(shè)計的挑戰(zhàn),本文描述了在未來的系統(tǒng)設(shè)計中,使用Xilinx 20nm工藝的UltraScale FPGA來降低功耗的19種途徑。
2018-07-14 07:21:005058

三星18nm工藝的DRAM芯片惹禍了

了,SK Hynix和美光這時候還掙扎在20nm工藝DRAM芯片量產(chǎn)中呢。不過昨天一紙傳聞稱三星18nm工藝的DRAM芯片惹禍了,可能會導(dǎo)致系統(tǒng)藍屏,三星正在召回——不過三星官方日前回應(yīng)稱這是謠言。
2017-03-03 14:22:572482

賽靈思業(yè)界20nm技術(shù)首次投片標志著UltraScale架構(gòu)時代來臨

在28nm技術(shù)突破的基礎(chǔ)上,賽靈思又宣布推出基于20nm節(jié)點的兩款業(yè)界首創(chuàng)產(chǎn)品。賽靈思是首家推出20nm商用芯片產(chǎn)品的公司。此外,該新型器件也是賽靈思將向市場推出的首款采用UltraScale技術(shù)
2018-01-12 05:49:45706

中芯國際在先進工藝制程上可望加快追趕海外企業(yè)的速度

梁孟松是臺積電前研發(fā)處長,是臺積電FinFET工藝的技術(shù)負責(zé)人,而FinFET工藝芯片制造工藝從28nm20nm工藝以下演進的關(guān)鍵,2014年臺積電研發(fā)出16nm工藝之后因制程能效甚至不
2018-09-02 09:00:133310

英特爾為你解說“Foveros”邏輯芯片3D堆疊技術(shù)

在近日舉行的英特爾“架構(gòu)日”活動中,英特爾不僅展示了基于10納米的PC、數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng),支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架構(gòu),還推出了業(yè)界首創(chuàng)的3D邏輯芯片封裝技術(shù)——Foveros。這一全新的3D封裝技術(shù)首次引入了3D堆疊的優(yōu)勢,可實現(xiàn)在邏輯芯片堆疊邏輯芯片。
2018-12-14 15:35:327850

Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上的8個電源開啟順序的確定

ADI Guneet Chadha探討電源系統(tǒng)管理(PSM)如何確定Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上8個電源的時序或按照預(yù)定順序開啟各電源
2019-07-24 06:16:001618

Xilinx宣布與TSMC開展7nm工藝合作

“臺積公司是我們在 28nm、20nm 和 16nm 實現(xiàn)‘三連冠(3 Peat)’成功的堅實基礎(chǔ)。其出色的工藝技術(shù)、3D 堆疊技術(shù)和代工廠服務(wù),讓賽靈思在出色的產(chǎn)品、優(yōu)異的品質(zhì)、強大的執(zhí)行力以及領(lǐng)先的市場地位上享有了無與倫比的聲譽。
2019-08-01 09:24:522209

國際大廠們之間的“3D堆疊大戰(zhàn)”

困于10nm的Intel也在這方面尋找新的機會,其在去年年底的“架構(gòu)日”活動中,推出其業(yè)界首創(chuàng)的3D邏輯芯片封裝技術(shù)——Foveros,F(xiàn)overos首次引入3D堆疊的優(yōu)勢,可實現(xiàn)在邏輯芯片堆疊
2020-01-28 16:10:003031

Xilinx投片首個ASIC級可編程架構(gòu)的行業(yè)首款20nm器件

賽靈思UltraScale架構(gòu):行業(yè)第一個ASIC級可編程架構(gòu),可從20nm平面晶體管結(jié)構(gòu) (planar)工藝向16nm乃至FinFET晶體管技術(shù)擴展,從單芯片(monolithic)到3D IC擴展。
2019-12-18 15:30:23801

華為計劃在國內(nèi)建設(shè)45nm制程工藝起步的芯片工廠

 根據(jù)報道,華為將在國內(nèi)建設(shè)一家45nm制程工藝起步的芯片工廠,計劃在2021年底為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造28nm芯片,并在2022年底之前為5G設(shè)備供應(yīng)20nm芯片
2020-11-02 17:41:302770

28nm工藝芯片制造領(lǐng)域的地位

,計劃在2021年年底為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造28nm芯片,且預(yù)計在2022年底之前為5G設(shè)備供應(yīng)20nm芯片。 該報道稱,由于華為此前并沒有制造芯片的經(jīng)驗,因此該工廠將由上海市政府支持的上海集成電路研發(fā)中心有限公司(ICRD)運營。 對此華為未予置評。無論華為
2020-11-05 16:50:3410357

基于20nm工藝制程的FPGA—UltraScale介紹

UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA,而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:544129

什么是摩爾定律,“摩爾定律2.0”從2D微型化到3D堆疊

3D實現(xiàn)方面,存儲器比邏輯更早進入實用階段。NAND閃存率先邁向3D 。隨著目前量產(chǎn)的20-15nm工藝,所有公司都放棄了小型化,轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)向存儲單元的三維堆疊,以提高每芯片面積的位密度。它被稱為“ 3D(三維)NAND ” 。
2023-12-02 16:38:40786

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