武漢新芯可能2018年量產48層NAND

　　紅色供應鏈來勢洶洶，外界原本認為，陸廠要到四五年后才能在存儲器搶下一席之地，不過有分析師預測，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產3D NAND。

　　巴倫（Barronˋs）6日報導，美系外資芯片設備分析師Atif Malik稱，中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND存儲器的技術授權。2月份，Spansion和武漢新芯（XMC）簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式（Charge trap）和浮閘（Floating Gate）的NAND IP。Malik表示，他們相信2017年底就能取得48層3D NAND的驗證，2018年進行量產。

　　目前只有三星有能力量產48層3D NAND，另一存儲器大廠SK海力士預料要到今年下半才能生產。

　　與此同時，Malik也指出，中國投入半導體市場，對設備商來說短多長空。中國砸錢大買設備建廠，應用材料（Applied Materials）、Lam Research一開始有望受惠。但是長期而言，設備業(yè)者將流失非中國業(yè)者訂單。這是“零和游戲”，中國訂單大增，表示其他存儲器和晶圓代工大廠需要減少 資本開支。（注：零和游戲/zero sum game，一方獲利意味另一方將蒙受損失、兩者相加的總和永遠為零）

　　他強調，中國加入不會擴大全球半導體設備支出，因為中國向半導體的三大資本開支大廠，采購大量芯片。這三大業(yè)者分別是臺積電（2330）、英特爾、三星電子。中國計畫2020年前，國內消費的40%芯片改為自制。

　　巴倫（Barronˋs）網站4月12日報導，Bernstein分析師Mark Newman表示，存儲器業(yè)者自相殘殺，等到中國廠商進入市場，情況將急轉直下。報告稱，中國可能是足以顛覆市場的競爭者，他們財力雄厚，等到供給上線 后，市況將慘不忍睹。武漢新芯（XMC）的3D NAND技術大約落后領先廠商4~5年，他們打算狂燒資本加緊追趕，等到量產之后，市場供給過剩將更加惡化。

　　巴倫（Barronˋs）網 站、韓媒etnews 4月報導，Brean Capital的Mike Burton表示，目前只有三星有能力制造3D NAND，其他業(yè)者要到今年下半才開始生產。3D NAND采用較舊制程（35~50納米），業(yè)者能以較低成本、提高產能。英特爾主管David Lundell表示，預計大連廠會在今年底量產3D NAND。