9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 臺灣專用存儲器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產(chǎn)3D NAND存儲器。該公司將成為臺灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295044 IM Flash 技術(shù)有限責任公司是英特爾與美光科技的合資公司，日前，該公司表示目前正在策劃如何及何時將3D技術(shù)用于NAND閃存ICs制造中。
2013-05-29 16:44:451457 在未來規(guī)劃中，這一存儲器基地項目將被打造成湖北省調(diào)結(jié)構(gòu)、實現(xiàn)轉(zhuǎn)型發(fā)展的千億高科技產(chǎn)業(yè)項目。
2016-03-29 08:09:581561 武漢新芯記憶體基地在3 月28 日正式啟動，瞄準記憶體，目標在2030 年成為月產(chǎn)能100 萬片的半導體巨人，而一開始武漢新芯鎖定的目標是NAND Flash，對武漢新芯而言，要用3D NAND Flash 圓夢，一個躋身記憶體大廠的夢。
2016-04-18 14:33:324550 紅色供應鏈來勢洶洶，外界原本認為，陸廠要到四五年后才能在存儲器搶下一席之地，不過有分析師預測，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。
2016-05-10 09:56:541190 
近日中國半導體業(yè)最引人關(guān)注的爆炸性新聞是武漢新芯計劃2018年量產(chǎn)48層3D NAND，及它的投資240億美元的計劃。
2016-05-24 10:29:501322 武漢新芯將成為長江存儲的全資子公司。長江存儲將以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，繼續(xù)拓展武漢新芯目前的物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務布局，并著力發(fā)展大規(guī)模存儲器。紫光集團董事長趙偉國出任
2016-08-02 17:57:401620 隨著國家存儲器基地落戶湖北，該省的產(chǎn)業(yè)鏈條也在加速完善，以沖擊中國IC產(chǎn)業(yè)第四極。
2016-10-27 10:13:00598 正在參加互聯(lián)網(wǎng)大會的紫光集團董事長趙偉國表示，由紫光參與投資總額達240億美元的武漢存儲器芯片廠將于12月初動工。這項投資將扭轉(zhuǎn)大陸當前無力生產(chǎn)存儲器芯片的局面，完工后預計2020年月產(chǎn)能達30萬片，2030年躍升至100萬片，成世界級存儲器生產(chǎn)基地。
2016-11-16 11:37:59996 要做好3D打印材料這篇大文章，縮小與國際差距。 2016年3D打印線材迭代更新 打破產(chǎn)業(yè)瓶頸指日可待 近幾年來，3D打印行業(yè)的發(fā)展可謂是如火如荼，但在發(fā)展過程中，其限制因素也逐漸暴露3D打印材料。
2016-11-26 09:08:11789 今日，由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設(shè)的國家存儲器基地項目正式動工，預計 2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個項目，初期計劃以先進的3D NAND為策略產(chǎn)品
2016-12-31 01:52:113786 工信部公示了集成電路領(lǐng)域4項國家標準，主要集中在存儲器測試方面。另外，近期總投資240億美元的國家存儲器基地項目在武漢東湖高新區(qū)正式開工，中芯國際40nm ReRAM高端存儲芯片已經(jīng)出樣?？梢?，集成電路領(lǐng)域研發(fā)和行業(yè)標準規(guī)范方面雙管齊下局面正在形成。
2017-01-18 09:31:39760 受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續(xù)提升，以及PC、服務器、資料中心積極導入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進
2017-02-07 17:34:128497 
2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息，近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學院微電子研究所聯(lián)合承擔的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。
2017-02-16 11:35:24863 近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學院微電子研究所聯(lián)合承擔的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。
2017-02-17 07:48:231529 通過3D堆疊技術(shù)將存儲層層堆疊起來，促成了NAND 技術(shù)進一步成熟。
2018-04-16 08:59:5212117 
NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684 
作為國家級存儲項目基地，長江存儲總投資金額達240億美元。預計項目一期建成后總產(chǎn)能將達到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。
2018-04-12 13:59:2519859 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達到了 128 層。
2020-04-03 09:24:154035 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動SSD市場爆炸性成長？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
3D打印將精準的數(shù)字技術(shù)、工廠的可重復性和工匠的設(shè)計自由結(jié)合在一起，解放了人類創(chuàng)造東西的能力。本文是對當下3D打印技術(shù)帶來便利的總結(jié)，節(jié)選自中信出版社《3D打印:從想象到現(xiàn)實》一書。虎嗅會繼續(xù)摘編該書精華。
2019-07-09 07:02:03
NAND FLASH就是通過die堆疊技術(shù)，加大單位面積內(nèi)晶體管數(shù)量的增長。3D NAND比2D NAND具有更高的存儲容量，若采用48層TLC 堆疊技術(shù)，存儲密度可提升至256GB，輕松突破了平面
2020-11-19 09:09:58
TC58V64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲器的容量增大，則塊數(shù)也將增加，但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒有改變。NAND 閃速存儲器的特點①按順序存取數(shù)據(jù)；②存儲器內(nèi)部以塊為單元進行分割，而各塊又以頁為單位進行
2018-04-11 10:11:54
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認為當前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩(wěn)所導致的;有些人則認為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
區(qū)域，這3個塊可用于擴展外部存儲器，比如 SRAM，NORFLASH 和 NANDFLASH 等Block2 這片區(qū)域是用來設(shè)計片上外設(shè)的片上外設(shè)區(qū)分為四條總線，根據(jù)外設(shè)速度的不同，不同總線掛載著
2021-01-14 17:37:08
存儲器可劃分為哪幾類？存儲器的層次結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？存儲器芯片與CPU芯片是怎樣進行連接的？
2021-09-16 07:12:10
NAND FIash存儲器的特點FIash文件系統(tǒng)的應用特點 FAT文件系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)FAT文件系統(tǒng)的改進設(shè)計
2021-04-25 09:18:53
文章目錄前言一、存儲器類型二、探究S3C2440啟動地址1.為什么nand啟動地址是4096？2.為什么nor啟動地址是0x4000,0000 + 4096？前言本文記錄的是S3C2440啟動
2022-02-15 07:30:08
成功，認真投入3D技術(shù)研發(fā)，而且正要進入量產(chǎn)的一個工廠--武漢存儲基地，原本計劃的是一個10萬片產(chǎn)能的平面一層工廠，現(xiàn)在可以做15萬，2019年這個廠也將真正進入量產(chǎn)，長江存儲正在積極趕上。`
2018-09-20 17:57:05
世界首款3D芯片工藝即將由無晶圓半導體公司BeSang授權(quán)。 BeSang制造了一個示范芯片，在邏輯控制方面包含1.28億個縱向晶體管的記憶存儲單元。該芯片由韓國國家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
第一幅圖是加了.step文件后的樣子。第二幅圖是加載這個自建庫后的pcb預覽。在沒加3D元件時。自定義庫是可以用，可預覽的。加了3D元件后，工程文件使用了后預覽并沒有顯示出3D的形式。這是怎么回事
2019-09-04 04:36:03
。
EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對于紫外擦除的rom來講的。但是今天已經(jīng)存在多種
2023-05-19 15:59:37
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
減少NAND閃存產(chǎn)能投資，以便減少NAND供應，緩解市場對降價的預期。 64層和96層堆棧閃存命運各不同今年將是96層3D閃存爆發(fā)的元年。在64層堆棧之后，2018年下半年各大廠商也開始量產(chǎn)96層堆棧
2021-07-13 06:38:27
1. 嵌入式的外部存儲器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲器。存儲器的物理構(gòu)成包含頁內(nèi)地址，頁（Page），塊（Block）?？梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲器
2021-12-10 08:26:49
2018年上半進入96層的技術(shù)規(guī)格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術(shù)上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產(chǎn)
2018-12-24 14:28:00
X-ray(2D&3D)X-Ray是利用陰極射線管產(chǎn)生高能量電子與金屬靶撞擊，在撞擊過程中，因電子突然減速，其損失的動能會以X-Ray形式放出。而對于樣品無法以外觀方式觀測的位置，利用
2021-12-16 11:28:17
未來DDR4、NAND Flash存儲器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標下具有各自的優(yōu)勢和劣勢：存儲器
2019-07-23 06:15:10
，以綠色（默認顏色）來顯示大于最小厚度的所有面。同時，浩辰3D可基于最大懸垂角度，計算驗證3D打印時所需的支撐區(qū)域（面），并以高亮色區(qū)分顯示大于、小于最大懸垂角度的區(qū)域（面）。此外，通過浩辰3D的打印
2021-05-27 19:05:15
在3D打印機上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機掉電測試。解決TF卡在3D打印機上常讀寫錯誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
，國信證券預計，下半年電力建設(shè)投資將繼續(xù)增加，勢必將帶動電纜、變壓器產(chǎn)量增幅在20%～30%。電線電纜產(chǎn)量的上升，將有效的刺激銅價，有色金屬銅突圍指日可待。全球銅缺口擴大（內(nèi)有乾坤） “資源品價格主要
2011-07-19 10:02:11
些類型的系統(tǒng)中 ， pcm 可以做代碼執(zhí)行存儲器.以其可位變性特性. PCM可以轉(zhuǎn)換該種系統(tǒng)中所滿的一些或杏所食的 DKAM ,如閣1所示《SnD 存儲器系統(tǒng)中， PCM 在滿足 NAND 閃存密度滿
2018-05-17 09:45:35
是第一個推出1Tb級產(chǎn)品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發(fā)布的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)。英特爾為使用該技術(shù)的存儲設(shè)備冠名Optane，而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲介質(zhì)都是相變存儲器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
如圖 2 所示，DINOR閃速存儲器如圖 3 所示，AND閃速存儲器單元的結(jié)構(gòu)如圖 4 所示。市場上銷售的閃速存儲器基本上就是NOR及NAND兩種，其中只有NAND閃速存儲器的單元是串聯(lián)的，其他所有類型
2018-04-09 09:29:07
高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 SK 海力士最先進72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報導指出，海力士計劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:111032 
存儲介質(zhì)革命是當今“雙輪驅(qū)動”存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新源泉之一，未來是閃存的時代，3D NAND被寄予厚望，投資240億美元的國家存儲器基地項目日前也在武漢動工，無不表明3D NAND制造在存儲產(chǎn)業(yè)中的重要性。
2017-01-09 17:29:12599 紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地主要將生產(chǎn)3D NAND FLASH存儲芯片和DRAM存儲器芯片，一期占地約700畝，二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長江存儲、在成都打造晶圓廠，另一個紫光大型的存儲器生產(chǎn)南京基地也已經(jīng)實質(zhì)啟動。
2017-11-28 12:54:401970 我國雖然在半導體芯片行業(yè)中落后世界先進水平太多，但也在一步一個腳印地前進，不斷取得新突破。據(jù)報道，4月11日，由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)的國家存儲器基地項目，芯片生產(chǎn)機臺正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準備階段。
2018-06-12 09:33:004078 武漢建設(shè)NAND工廠，預計今年內(nèi)量產(chǎn)，據(jù)悉國產(chǎn)NAND閃存是32層堆棧的，是1000多名研究人員耗時2年、耗資10億美元研發(fā)的。
2018-05-16 10:06:003750 NAND Flash(儲存型快閃存儲器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善，量產(chǎn)能力大為提升，盡管價格已經(jīng)松動，但包括存儲器、控制IC、封測等供應體系業(yè)者紛紛看好有助于量能提升。存儲器控制IC大廠群聯(lián)電子
2018-07-09 09:52:00513 位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺11日正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白。
2018-06-20 10:26:001858 萬勇透露，武漢國家存儲器基地計產(chǎn)能10萬片/月的一號生產(chǎn)及動力廠房，首個芯片會在2018年點亮，明年實現(xiàn)量產(chǎn)。而獲得國務院批復的武漢國家存儲器基地，規(guī)劃建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大
2018-04-12 16:20:003563 4月11日，長江存儲以芯存長江，智儲未來為主題，慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項目（一期）一號生產(chǎn)及動力廠房實現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，正是為4月搬入機臺設(shè)備而準備，預計很快就可以實現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:009280 位于湖北武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺4月11日正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白。
2018-04-27 11:52:004923 日前，長江存儲以“芯存長江，智儲未來”為主題，慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。目前，長江存儲新建的廠房已經(jīng)完成廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)的安裝。只要生產(chǎn)設(shè)備搬入并完成調(diào)試之后，就可以量產(chǎn)NAND Flash芯片，打響中國在存儲芯片領(lǐng)域的第一槍。
2018-05-30 02:28:007739 在位于武漢東湖高新區(qū)的長江存儲科技有限責任公司（國家存儲器基地），紫光集團聯(lián)席總裁刁石京透露，中國首批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-08-07 14:35:145523 紫光集團旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發(fā)完成最先進的64層3D NAND芯片專利，預計明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185 存儲器是半導體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2015年半導體存儲器市場總額達835億美元。各類存儲器中，NAND Flash是一個亮點。其廣泛應用于PC、手機、服務器等各類電子產(chǎn)品，2015年營收達到267億美元，占半導體存儲器市場總額的32%。
2018-08-13 09:01:001349 非揮發(fā)性存儲器廠旺宏董事長吳敏求今日透露，該公司已切入3D NAND Flash開發(fā)，預計2018年或2019年量產(chǎn)，并進軍固態(tài)硬盤（SSD）市場。
2018-09-17 16:30:301863 再投240億美元，紫光成都存儲器制造基地成又一個長江存儲！ 繼2016年12月30日，紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)，項目總投資為240億美元的長江存儲國家
2018-10-15 17:07:02783 根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工動員活動在成都雙流自貿(mào)試驗區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲器制造基地占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402365 對于紫光來說，在10月最大的一筆投資莫過于10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工。
2018-10-22 16:59:501946 現(xiàn)在，長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 16:30:002263 根據(jù)官網(wǎng)資料，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業(yè)客戶提供存儲器產(chǎn)品，廣泛應用于移動設(shè)備、計算機、數(shù)據(jù)中心和消費電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002164 據(jù)中新網(wǎng)8月3日報道， 國家存儲器基地項目（一期）二階段工程項目中低壓配電系統(tǒng)已經(jīng)受電成功，終端機臺的電力供給得到保證，芯片的目標量產(chǎn)指日可待。
2019-08-05 15:48:302814 在存儲領(lǐng)域，國產(chǎn)廠商一直沒有太多發(fā)言權(quán)，但如今隨著中國半導體存儲的不斷發(fā)展，已經(jīng)取得了相當不俗的成就，近日根據(jù)報道，國家存儲器基地項目(一期)二階段工程項目中低壓配電系統(tǒng)日前已受電成功，終端機臺的電力供給得到保證，芯片的目標量產(chǎn)指日可待。
2019-08-06 16:25:30687 據(jù)武漢發(fā)布報道，面對建設(shè)國家存儲器基地、打造“一芯驅(qū)動”引擎的新使命，武漢東湖高新區(qū)正在謀劃完善頂層設(shè)計，其中就包括籌劃光谷集成電路產(chǎn)業(yè)基金，規(guī)模10億元。
2019-08-23 16:00:384064 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:161661 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41742 據(jù)悉，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:002612 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 長江存儲打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國家重點打造的存儲器大項目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:052849 1 月 16 日訊，據(jù)悉，長江存儲科技有限責任公司 副董事長楊道虹表示，2019 年，國家存儲器基地項目基于自主知識產(chǎn)權(quán)研發(fā)生產(chǎn)的 64 層三維閃存產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 14:06:02905 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達到了 128 層。
2020-04-02 11:26:521542 據(jù)通用技術(shù)集團消息，經(jīng)過前期科學有序的疫情防控和復工復產(chǎn)準備，日前武漢國家存儲器基地施工生產(chǎn)加速推進，現(xiàn)場300余名工人已經(jīng)投入到各項工作。
2020-04-15 16:20:421705 隨著武漢重啟，新興建設(shè)承建的國家級高科技重點項目武漢國家存儲器基地，經(jīng)過前期科學有序的疫情防控和復工復產(chǎn)準備，日前，項目施工生產(chǎn)加速推進，現(xiàn)場300余名工人已經(jīng)投入到各項工作。
2020-04-16 10:06:403784 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領(lǐng)導廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091032 6月20日，紫光集團發(fā)布消息，由長江存儲實施的國家存儲器基地項目二期（土建）在武漢東湖高新區(qū)開工，規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月，達產(chǎn)后與一期項目合計月產(chǎn)能將達30萬片。
2020-06-23 10:10:082987 近日，國家存儲器基地項目二期在武漢東湖高新區(qū)開工，據(jù)悉，國家存儲器基地的項目是由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè)，這項目計劃分兩期建設(shè)3D?NAND閃存芯片工廠。
2020-09-18 14:54:182533 NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:132330 存儲器的歷史始于1984年，彼時 Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash（NAND 閃存）。1989年，東芝首款 NAND Flash 上市。2001年，許多Flash廠商推出MLC
2022-11-25 14:57:351637 最近，三星集團援引業(yè)界有關(guān)負責人的話表示，計劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:05998 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標及應用領(lǐng)域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
2024-03-17 15:31:39279 
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