9月2日,長江存儲正式對外宣布,其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位,每個存儲單元為三個字位的三維閃存)正式量產(chǎn),以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:151204 目前NAND閃存需求依然居高不下,廠商也有動力擴大產(chǎn)能了,SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存,這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開發(fā)商Crossbar Inc.利用非導電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料,并透過電場轉(zhuǎn)換機制,開發(fā)出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件,同時就像先前在2016年所承諾地如期實現(xiàn)量產(chǎn)。
2017-02-13 09:46:401723 國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁,把三星和蘋果的市場份額搶占不少,但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國廠商壟斷了。近日,高啟全接受媒體采訪時表示,長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個消息無疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 電子發(fā)燒友早八點訊:三星今天在韓國宣布,開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND閃存芯片,是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002000 2022年4月25日,中國上海 — 20世紀90年代的MP3播放器與如今的智能手機有什么共同之處?如果沒有NAND閃存這一影響力貫穿幾十年的創(chuàng)新技術(shù),這兩者都將不會存在。全球存儲器解決方案領導者
2022-04-25 18:26:212196 制造、設計或啟用NAND閃存的公司組成的行業(yè)工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡化NAND閃存集成到消費電子產(chǎn)品、計算平臺和任何其他需要固態(tài)大容量存儲的應用程序中。為NAND閃存定義標準化的組件
2023-06-21 17:36:325873 NAND閃存是一種電壓原件,靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211446 :2012-03-25 14:38:09軟件簡介: JMF612量產(chǎn)開卡工具 支持25nm芯片jmicron 612 sata m.p. tool b.2.8.7 s/u主程序
2012-03-25 21:24:02
將在IBM紐約州East Fishkill 300 mm晶圓廠內(nèi)聯(lián)合開發(fā)32 nm bulk CMOS工藝。2007年2月美光推出25 nm NAND閃存,3年后量產(chǎn)25 nm閃存。目前32 nm/22 nm工藝尚處于研發(fā)階段。
2019-07-01 07:22:23
件的成本較為敏感。2019年9月,旺宏采用19nm制程的SLC NAND Flash正式量產(chǎn)出貨,第一批產(chǎn)品供應美國機頂盒客戶,主要出貨產(chǎn)品為4Gb SLC NAND。電視機頂盒因為系統(tǒng)愈來愈復雜
2020-11-19 09:09:58
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導體業(yè),有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設、術(shù)語和誤解。因此,弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
光年一般是用來量度很大的距離,老南京工藝珠寶店如太陽跟另一恒星的距離。光年不是時間單位。老南京工藝珠寶店在天文學,秒差距是另一個常用的單位,1秒差距=3.26光年宇宙中天體間的距離非常大,老南京工藝
2013-08-19 15:17:36
眾所周知,鎂光大S的芯片是屬于降級片,在使用的時候肯定會有些缺陷,有沒有什么辦法可以在量產(chǎn)的時候把芯片里不穩(wěn)定的塊找出來屏蔽掉,以減少出故障率,讓芯片更穩(wěn)定些。
2015-08-12 12:58:25
,25nm新工藝NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售,預計今年晚些時候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產(chǎn),這也是該領域的制造工藝首次進軍到
2022-01-22 07:59:46
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D閃存MT29F4G08ABAEAWP-IT:E美系內(nèi)存大廠美光(Micron)日前正式推出25奈米NAND Flash制程,預計于2010年中量產(chǎn)
2022-01-22 08:05:39
MX25L25645GZ2I-08GMX25L25645GZNI-08G閃存芯片陳立白表示,整體而言,去年DRAM價格從3月開始一路跌到年底,今年全年的狀況會比去年來的好,DRAM模塊廠只要好好經(jīng)營
2022-02-17 08:59:47
QN9080量產(chǎn)時閃存編程指南
2022-12-14 06:13:01
大家好, 我正在研究 IMXRT1176,我對內(nèi)存使用有一些疑問: XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存?如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動,則加載程序必須將應用程序復制到
2023-03-29 07:06:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表,斯巴達6家族有廣泛的第三方SPI(高達x4)和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺閃存和JTAG但是,如果它支持NAND閃存,我不太清楚嗎?我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺,我當時
2019-05-21 06:43:17
親愛的大家,任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設計他的7020定制板,并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問候錢德拉以上來自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊,這些嵌入式產(chǎn)品應用于移動數(shù)碼消費產(chǎn)品,包括手機和數(shù)碼相機,樣品將于2008年9月出廠,從第四季度開始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
芯片,收購鎂光DDR閃存顆粒,長期高價回收鎂光顆粒,專業(yè)回收庫存電子料,回收flash內(nèi)存,回收電子ic,收購清倉ic,回收工廠淘汰電子料,高價收購過期原裝ic,專業(yè)回收各種IC ,手機IC芯片,高
2020-12-29 18:12:29
,收購鎂光DDR閃存顆粒,長期高價回收鎂光顆粒,專業(yè)回收庫存電子料,回收flash內(nèi)存,回收電子ic,收購清倉ic,回收工廠淘汰電子料,高價收購過期原裝ic,專業(yè)回收各種IC ,手機IC芯片,高通IC
2021-07-26 17:14:30
,收購鎂光DDR閃存顆粒,長期高價回收鎂光顆粒,專業(yè)回收庫存電子料,回收flash內(nèi)存,回收電子ic,收購清倉ic,回收工廠淘汰電子料,高價收購過期原裝ic,專業(yè)回收各種IC ,手機IC芯片,高通IC
2021-11-13 16:15:12
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器(我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器)。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應 nand 閃存 hal 函數(shù)和一個鏈接器來構(gòu)建 .stldr?我走對路了嗎?
2022-12-20 07:17:39
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠離ML403板支持的CFI兼容性,您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項目僅限于Virtex 4平臺,由于速度需求,不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
至 2015 年之間, NAND的市場復合年增長率將達到 7%。技術(shù)方面,內(nèi)存密度因采用 25nm 及以下制程技術(shù),讓制造商能進一步擴大優(yōu)勢。領先的 NAND 閃存制造商開始用 20-30nm 范圍
2014-04-22 16:29:09
你好,對于Linux 3.14的32 nm閃存驅(qū)動程序是否有更新。事實上,我們正面臨NAND從UBoad讀取的問題。烏迪
2019-10-24 11:02:20
保存用戶數(shù)據(jù))。英特爾的50nm MLC NAND有10000個擦寫周期。幾何尺寸較小的晶體管雖然成本較低,但卻降低了耐久性。 在34nm時,英特爾的P/E數(shù)量下降到了5000個周期,在25nm時,P
2017-11-27 16:50:14
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器,主要用于存儲卡、MP3播放器、手機、固態(tài)驅(qū)動器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲單元陣列以外,它還有大量
2010-06-10 16:25:0326 三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù),據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23533 Intel-鎂光反擊,2xnm制程NAND芯片將試制
在本月22日召開的一次電話會議上,鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品,并對其進行取樣測試。盡管
2009-12-26 09:56:491134 飚速度355MB/s 鎂光將發(fā)布6Gbps SSD
鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產(chǎn)品線,一個原生6Gbps的SATA設備引起了廣泛注意,鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下
2010-01-08 17:13:512524 東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤將于二季度上市
日本東芝公司在NAND閃存制造領域的地位可謂舉足輕重,其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷量僅次于三星公司,目前東芝公司推出的SSD硬盤
2010-01-08 17:15:13988 Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布,已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片,并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 震撼存儲產(chǎn)業(yè),IMFT發(fā)布25nm SSD
去年8月份,Intel剛剛發(fā)布了全球首批34nm MLC NAND閃存新工藝固態(tài)硬盤,從50nm進化至34nm。而現(xiàn)在,Intel與Micron所合資的公司IMFT此次再次推動
2010-02-02 09:05:47785 鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片
鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品,雙方并宣稱下一代30nm制程級別
2010-02-10 09:40:501091 傳鎂光公司欲收購Numonyx公司
業(yè)界傳言鎂光公司目前仍在考慮收購Numonyx公司事宜,并稱其仍對NOR閃存市場抱有興趣。一位市場分析師稱:”我聽說鎂光有可能會收購 N
2010-02-10 09:42:01632 Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布,繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品,并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081045 爾必達計劃收購Spansion NAND閃存業(yè)務
據(jù)國外媒體報道,日本爾必達公司表態(tài)計劃收購美國Spansion(飛索半導體)旗下的NAND閃存業(yè)務資產(chǎn)。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19660 IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布,25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售,預計今年晚
2010-03-23 11:58:41600 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在:
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個20納米級(nm) NAND芯片,用于安全數(shù)字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 NAND閃存的自適應閃存映射層設計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 美光科技 (Micron Technology Inc.) 日前宣布,美光獲獎的25nm NAND 已獲日立LG數(shù)據(jù)儲存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡稱 HLDS) 采用作為其新型混合
2010-11-03 09:40:211653 目前,限制SSD普及的門檻依然是昂貴的價格和較小的容量,而各大閃存制造廠商也在為SSD的普及,積極地研制新制程技術(shù),以期望帶來更具性價比的產(chǎn)品。顯然,英特爾和美光的合
2011-01-02 12:57:48891 嵌入式市場閃存解決方案的創(chuàng)新領軍者Spansion公司今日宣布其首個單層單元(SLC)系列Spansion NAND閃存產(chǎn)品開始出樣。這一最新SLC NAND閃存產(chǎn)品采用4x nm浮柵技術(shù),專門用于汽車、消費及網(wǎng)
2012-05-29 08:55:471159 據(jù)報道,市場傳出,聯(lián)發(fā)科上周向臺積電大砍6月至8月間約2萬片28nm訂單;以聯(lián)發(fā)科在臺積電28nm單季投片逾6萬片計算,占比近三成。
2017-04-19 01:02:19489 現(xiàn)在,西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存,其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)(下半年出樣,2018年開始量產(chǎn)),除了TLC類型外,其還會支持QLC,這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40709 如果用一個詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場的話,那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里,圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事,包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價,閃存顆粒的制程問題引發(fā)
2017-10-13 20:33:266 三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 鎂光MT29F閃存規(guī)格書
2017-10-17 10:16:32133 據(jù)外媒報道,英特爾和鎂光宣布,它們不再合作開發(fā)下一代3D NAND內(nèi)存。
2018-01-11 09:16:024070 武漢建設NAND工廠,預計今年內(nèi)量產(chǎn),據(jù)悉國產(chǎn)NAND閃存是32層堆棧的,是1000多名研究人員耗時2年、耗資10億美元研發(fā)的。
2018-05-16 10:06:003750 位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺11日正式進場安裝,這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產(chǎn)準備階段,我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn),從而填補我國主流存儲器領域空白。
2018-06-20 10:26:001857 2018年勢必是半導體產(chǎn)業(yè)忙碌的一年,目前6大類重大項目有序推進,產(chǎn)業(yè)項目占比超七成,小米系企業(yè)落地,臺積電也表示會在年中量產(chǎn)。
2018-02-28 10:38:49726 DVEVM可以啟動或(默認),與非門,或通用異步接收機/發(fā)射機(UART)。NOR 閃存提供了一個字節(jié)隨機的優(yōu)點訪問和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)軟件讓它訪問;然而,由于它的價格低,速度快,壽命長,許多客戶想設計NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 的堆棧厚度為2.5μm,層厚度大約70nm,48層的閃存堆棧厚度為3.5μm,層厚度減少到62nm,現(xiàn)在的64/72層閃存堆棧厚度大約4.5μm,每層厚度減少到60nm,而到了140+層,堆疊厚度將增至
2018-05-28 16:25:4847895 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況,三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒,堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167 慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation今日宣布旗下SM2256 SATA(6Gb/s)客戶端SSD控制器現(xiàn)支持Micron(鎂光)新推出的16nm
2018-07-30 09:33:001577 ,第一代3D NAND閃存的成本也符合預期,堆棧層數(shù)達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了,今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
2018-08-03 16:15:031188 從NAND閃存中啟動U-BOOT的設計 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復雜,它對大容量數(shù)據(jù)存儲的需求越來越緊迫。而嵌入式設備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應用。NAND閃存 設備就是
2018-09-21 20:06:01485 了——NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC類型之分,為了進一步提高容量、降低成本,NAND的制程工藝也在不斷進步,從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm,但NAND閃存跟處理器不一樣,先進工藝雖然
2018-10-08 15:52:39395 研發(fā)支持原廠3D TLC NAND高品質(zhì)固件的固態(tài)硬盤完整解決方案。據(jù)了解,MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片,已經(jīng)適配了全球全部量產(chǎn)的所有3D MLC/TLC NAND閃存顆粒,繼在今年9月國內(nèi)首發(fā)量產(chǎn)
2018-11-19 17:22:316838 由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2019-04-17 16:32:345462 IDC調(diào)整了其對NAND閃存的供需預測,稱2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長39%和38%。并預計閃存價格的降低趨勢可能會放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示,2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01282 國產(chǎn)存儲芯片再下一城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱,中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片,這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:121582 現(xiàn)在,長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 16:30:002263 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 美光宣布,已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu),并計劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32791 任何了解SD卡,USB閃存驅(qū)動器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎知識的人都知道,控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 W25M02GV(2 x 1G位)串行MCP(多芯片封裝)閃存基于W25N串行SLC NAND SpiFlash?系列,將兩個單獨的W25N01GV芯片堆疊到標準8針封裝中。它為低管腳數(shù)封裝提供
2019-12-31 08:00:008 在NAND閃存市場,三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能,留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中,兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:54:342726 在NAND閃存市場,三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能,留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中,兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:46:522302 兩年前,鎂光發(fā)布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的固態(tài)硬盤,其型號為5210 ION系列。
2020-04-22 11:31:142262 無論消費者還是企業(yè)機構(gòu),大多數(shù)人在談到閃存時,首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講,NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?;趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度,使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 通常情況下,固態(tài)硬盤(SSD)的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此對您的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)生不同的影響,在這篇文章中,我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營,今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國外媒體報道,專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息,SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:232416 寫入問題確實是NAND閃存的在企業(yè)級應用中的一個限制么?
2021-04-01 17:50:562894 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:561299 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長期處于領先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100 在NAND閃存的應用中,程序/擦除周期存在一個限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊將變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常,當人們討論存儲時,他們只談論NAND閃存,而忽略了單獨的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡單地說,沒有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 在NAND閃存的應用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431518 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit,用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到,NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū),硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983 基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案,采用了232層3D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達到最高
2023-07-19 19:02:21864 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281
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