中國晶圓廠今年將是人才爭奪戰(zhàn)關(guān)鍵年

電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊： TrendForce 旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新研究指出，由于中國本土晶圓廠的擴(kuò)張及先進(jìn)制程的推進(jìn)使人才需求孔急，近兩年中國引進(jìn) IC 產(chǎn)業(yè)人才的力道越來越大，人才挖角已成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中的熱點(diǎn)，且因多數(shù)新建廠的投片計(jì)劃集中在 2018 年下半年，預(yù)估 2017 年人才挖角將更趨白熱化，是人才爭奪戰(zhàn)的關(guān)鍵年。

拓墣指出，從紫光海外購并屢屢受阻、福建宏芯基金收購德國愛思強(qiáng)也因美國政府態(tài)度而暫緩等事件觀察，顯示在國際普遍關(guān)注下，中國未來想借著并購獲取技術(shù)及市場等資源將愈加困難，然而技術(shù)是 IC 產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心競爭力，如果并購的路不好走，那么人才引進(jìn)的步伐勢必加快。

拓墣表示，中國挖角主力集中在 IC 制造和設(shè)計(jì)端，這與目前中國晶圓廠快速擴(kuò)張的步伐相對應(yīng)。初步統(tǒng)計(jì)，目前中國正在建造和規(guī)劃的 12 寸晶圓廠達(dá) 11 座，未來新增加 12 寸晶圓產(chǎn)能將逾每月 90 萬 片。其中長江存儲、福建晉華、合肥長鑫及南京紫光都將產(chǎn)品鎖定存儲器（DRAM 和 3D-NAND Flash）領(lǐng)域，因此人才引進(jìn)的重心也將朝存儲器傾斜。

高端技術(shù)人才缺口大，挖角與培訓(xùn)須雙管齊下

除了挖角產(chǎn)業(yè)指標(biāo)性人物，具有豐富經(jīng)驗(yàn)的工程師級技術(shù)人才也是中國引進(jìn)人才的重點(diǎn)，有鑒于多數(shù)新建廠的投片計(jì)劃集中在 2018 下半年，2017 年中國 IC 人才挖角將更趨白熱化。拓墣指出，在企業(yè)普遍以高薪聘請外部人才的氛圍下，中國本土 IC 人才的整體待遇有望得到提升，同時可望進(jìn)一步完善 IC 人才的培養(yǎng)體系。

事實(shí)上，目前中國在培養(yǎng) IC 人才上，不論規(guī)?；蚱焚|(zhì)都還有很大的提升空間，特別是在師資和實(shí)訓(xùn)兩方面。以師資來說，多數(shù)師資缺乏在企業(yè)的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，與企業(yè)生產(chǎn)脫節(jié)，而實(shí)訓(xùn)基地高昂的設(shè)備采購 及維護(hù)費(fèi)用，并非大學(xué)所能承擔(dān)，需仰賴政府給予大力資金的支持。拓墣預(yù)估，2020 年中國 IC 產(chǎn)業(yè)高端技術(shù)人才缺口將突破 10 萬人，為中國 IC 人才培養(yǎng)體系帶來挑戰(zhàn)，因此擴(kuò)大培養(yǎng)規(guī)模、完善師資配備、加快實(shí)訓(xùn)基地落實(shí)將是培養(yǎng) IC 產(chǎn)業(yè)人才的重點(diǎn)。

人才引進(jìn)仍須顧及設(shè)備和材料發(fā)展，以強(qiáng)化整體產(chǎn)業(yè)鏈

拓墣進(jìn)一步表示，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在人才引進(jìn)的過程中，應(yīng)同時顧及整體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，尤其是中國 IC 產(chǎn)業(yè)鏈中最薄弱的設(shè)備和材料兩個環(huán)節(jié)。舉例而言，中國的新升半導(dǎo)體若能實(shí)現(xiàn) 12 寸硅晶圓國產(chǎn)化目標(biāo)，將有助中國半導(dǎo)體面對全球硅晶圓市場價格飆升的壓力。另外，同樣基于“ 瓦圣納”協(xié)定的制裁，中國半導(dǎo)體設(shè)備商必須突破瓶頸，將中國產(chǎn)機(jī)臺大力推廣到本土市場中，甚至走向國際。拓墣認(rèn)為，加強(qiáng)半導(dǎo)體設(shè)備和材料方面高端人才的引進(jìn)和培養(yǎng)，是后期中國 IC 人才策略中不可缺少的一環(huán)。

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