美光科技(Micron)16日宣布進(jìn)一步推動DRAM產(chǎn)品的革新,其開始采用業(yè)界首個1z nm的工藝節(jié)點(diǎn)批量生產(chǎn)16Gb DDR4內(nèi)存。 與上一代1Y nm相比,該公司將使用1z nm節(jié)點(diǎn)來改善
2019-08-20 10:22:367258 10nm。研發(fā)部門正在努力擴(kuò)展該技術(shù),并最終將其替換為新的存儲器類型。 但是,到目前為止,還沒有直接的替代方法。并且,在采用新解決方案之前,供應(yīng)商將繼續(xù)擴(kuò)展DRAM并提高性能,盡管在當(dāng)前1xnm節(jié)點(diǎn)體制下將逐步增加。并且在未來的節(jié)點(diǎn)上,部分但不是全部DR
2019-11-25 11:33:185883 在歷經(jīng)16nm/14nm閘極成本持續(xù)增加后,可望在10nm時降低。雖然IBS并未預(yù)期工藝技術(shù)停止微縮,但預(yù)計試錯成本(cost penalty)將出現(xiàn)在采用20nm bulk CMOS HKMG和16/14nm FinFET之際。
2015-06-23 10:39:271246 市場傳出,DRAM龍頭三星半導(dǎo)體計劃減產(chǎn)三成標(biāo)準(zhǔn)型DRAM,產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)行動式記憶體(Mobile DRAM),以因應(yīng)蘋果新機(jī)出貨,同時通知OEM廠8月起不再調(diào)降標(biāo)準(zhǔn)型DRAM售價。法人預(yù)期,盤跌近七個月的DRAM價格可望止跌回升,華亞科、南亞科及華邦電等DRAM族群營運(yùn)可望再起。
2015-08-03 07:55:21451 DRAM大廠三星預(yù)定明年第1季率先量產(chǎn)1x(18奈米)DRAM,另一大廠SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)也將于明年跟進(jìn),三大DRAM廠明年進(jìn)入1x奈米大戰(zhàn);臺廠除南亞科(2408)也預(yù)約1x制程技術(shù)外,其余均專注利基型記憶體,避開戰(zhàn)火。
2015-12-31 08:20:551296 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒,加快半導(dǎo)體市場邁向更精密的 10nm 制程工藝之路,繼 2014 年首個量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒,成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56673 據(jù)三星官網(wǎng)新聞,韓國巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒,10nm級(10nm~20nm之間)工藝制造,可實(shí)現(xiàn)與20nm級4GB
2016-10-20 10:55:481662 南亞科、華亞科與華邦電等DRAM廠,受DRAM需求增加與價格上揚(yáng)影響,第3季運(yùn)營全面獲利,業(yè)界預(yù)期第4季DRAM供給將持續(xù)短缺,報價也將續(xù)漲,DRAM廠獲利成長可期,法人預(yù)期以南亞科最具爆發(fā)成長性。
2016-10-31 15:45:35375 年,32GB DDR4模組價格可望漲逾300美元,南亞科直接受惠,明年上半年20奈米DDR4產(chǎn)能已全賣光。 DRAM價格今年漲了一整年,但2018年看來仍是DRAM市場大好年。在供給端來看,包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠明年的投資仍集中在1x/1y奈米的制程微縮,舊有廠內(nèi)擠出空間
2017-12-25 08:56:387745 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,回顧2017年第四季,其中北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強(qiáng)勁,即使原廠透過產(chǎn)品線調(diào)整,但仍無法有效紓解市場供給吃緊的狀況。Server
2018-03-12 16:55:00772 4月20日,DRAM大廠南亞科宣布,將在新北市泰山南林科技園區(qū)興建一座雙層無塵室的 12 吋先進(jìn)晶圓廠,采用自主研發(fā)的 10nm制程技術(shù),規(guī)劃建置 EUV 極紫外光微影生產(chǎn)技術(shù),月產(chǎn)能約 4.5 萬片,計劃今年底動工、2024 年開始第一階段 1.5 萬片量產(chǎn),總投資額達(dá)新臺幣 3000 億元。
2021-04-20 14:14:438144 DRAM廠南亞科總經(jīng)理李培瑛表示,第4季DRAM需求相對于上半年轉(zhuǎn)趨保守,預(yù)估產(chǎn)品單價會下滑約5%,也因此下修今年資本支出約12.5%,來到210億元(新臺幣,下同)。
2018-10-17 10:36:161212 2月份DRAM與NAND Flash價格持續(xù)上漲,DRAM上漲最主要的動力來自于服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心正在快速布建5G基礎(chǔ)建設(shè)的需求持續(xù)強(qiáng)勁。
2020-03-10 10:39:541182 3月25日消息 三星電子(Samsung Electronics)宣布,已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首款10nm EUV級(D1x)DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評估,并將為在高端PC、移動終端、企業(yè)級服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-26 09:12:563600 ,不過,公司也于去年重返PCDRAM市場,并以切入毛利率較高的服務(wù)器用DRAM為目標(biāo),經(jīng)過一年多努力,南亞科在成功以20nm產(chǎn)生8GbDDR4DRAM、并獲手機(jī)廠導(dǎo)入產(chǎn)品后,決定將服務(wù)器用DDR4DRAM交予北美和中國大陸客戶驗(yàn)證,并訂于今年重返服務(wù)器市場。 此外,有消息稱,南亞科服務(wù)
2020-04-07 10:27:045633 研究機(jī)構(gòu)此前公布的數(shù)據(jù)顯示,雖然一季度主要DRAM廠商的銷售額環(huán)比下滑,但全球DRAM產(chǎn)品的價格卻有上升。由于居家經(jīng)濟(jì)對相關(guān)設(shè)備的需求依然強(qiáng)勁,對DRAM的需求也依然會保持強(qiáng)勁,DRAM的合約價格,在今年三季度仍將繼續(xù)上漲。
2020-06-02 09:41:583625 9月14日,臺資動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)廠南亞科技今天宣布,自15日起暫停供貨華為,未來將依照相關(guān)規(guī)定向美方申請恢復(fù)供貨。
2020-09-15 09:43:092715 。 ? ? 南亞科董事長吳嘉昭指出,今年預(yù)期DRAM市場售價止跌回升,整體產(chǎn)業(yè)可望走出谷底,并邁向成長。南亞科將投入更多的研發(fā)資源,加速開發(fā)10納米級制程技術(shù)與DDR5產(chǎn)品,同時規(guī)劃新廠擴(kuò)建,未來將以符合市場需求為目標(biāo),逐步增加產(chǎn)出。 ? 對于今年?duì)I運(yùn)計劃
2021-04-26 13:57:353249 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展,芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm,而最近據(jù)媒體報道,半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動
2019-12-10 14:38:41
想了解DRAM 的EFA測試,以及她的測試程序如何,學(xué)習(xí)的技巧等
2020-11-13 13:53:41
電路,導(dǎo)致電容會漏電和緩慢放電,所以需要經(jīng)常刷新來保存數(shù)據(jù)問題3:我們通常所說的內(nèi)存用的是什么呢?這三個產(chǎn)品跟我們實(shí)際使用有什么關(guān)系?答:內(nèi)存(即隨機(jī)存貯器RAM)可分為靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM,和動態(tài)
2012-08-15 17:11:45
、SDRAM、EDO RAM都屬于DRAM(Dynamic RAM),即動態(tài)內(nèi)存。所有的DRAM基本單位都是由一個晶體管和一個電容器組成。請看下圖: [/hide]
2009-10-21 18:27:06
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單,每一個bit的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
。根本原因不在三星、SK宣稱的市場因素,目前DRAM市場價格并不差,反倒是NAND的價格還在持續(xù)滑落中。擴(kuò)大價格低落的產(chǎn)品線,不是拿石頭砸自己的腳嗎?同時也不是媒體所猜測的國內(nèi)DRAM產(chǎn)能陸續(xù)釋放,國內(nèi)
2018-10-12 14:46:09
某16K x 4的存儲體由16個字長為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時擴(kuò)展而成,DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲矩陣。分析:由題得,16個DRAM芯片需要先在位方向擴(kuò)展為4位得
2022-03-02 06:18:45
。這就是為什么如果兩個市場都使用相同的外部硬件,那么最快的CPU可以和擁有10年歷史的CPU一樣慢的原因。這也是為什么在升級系統(tǒng)時,設(shè)計師必須了解導(dǎo)致系統(tǒng)速度下降的原因。這就是選擇RAM至關(guān)重要的地方
2020-09-25 08:01:20
先準(zhǔn)備在DVSDK的基礎(chǔ)上移植u-boot,由于更換了DDR,因此要修該DDR的參數(shù),但我找不到dram_init函數(shù)在哪一個文件里:搜索了一下有下面幾個文件比較像,但我不知到時哪一個,請各位幫忙
2020-08-17 11:19:18
三星電子近日在國際學(xué)會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱,三星此次試制出了20nm工藝的DRAM,并表示可以“采用同樣的方法,達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
通過 ODT 同時管理所有內(nèi)存顆粒引腳的信號終結(jié),并且阻抗值也可以有多種選擇,內(nèi)存控制器可以根據(jù)系統(tǒng)內(nèi)干擾信號的強(qiáng)度自動調(diào)整阻值的大小?!比珙},DDR2和DDR3的ODT功能只存在DQ,DQS和DM中,而這三個信號不存在多顆粒共用情況,都是每片DRAM顆粒獨(dú)立工作,怎么能起到抑制反射的作用呢?
2018-01-19 09:43:18
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的區(qū)別.
2012-12-20 15:19:20
使用NI的 FPGA,開辟了一個1294*1040大小的DRAM,在60HZ幀頻下按地址一個MCK一個地址的刷新DRAM中的數(shù)據(jù),也就是每個地址刷新時間不到17微秒,一開始出現(xiàn)一個數(shù)據(jù)都寫不進(jìn)去,我
2018-11-07 23:57:30
市場的35%。明年,至少兩家中國集成電路供應(yīng)商(睿力集成電路和晉華集成電路)將成功進(jìn)入DRAM市場。盡管國產(chǎn)廠商的產(chǎn)能和制造流程最初不會與三星、SK 海力士或美光等公司匹敵,但看看中國的初創(chuàng)企業(yè)表現(xiàn)如何,將是一件有趣的事情。
2018-10-18 17:05:17
操作。 另外,采用2個系統(tǒng)時鐘是處理時鐘相位偏移的對策,DDRSDRAM利用雙向的選通信號實(shí)施時鐘相位偏移的處理對策,而Direct Rambus DRAM預(yù)各了由DRAM向
2008-12-04 10:16:36
[資訊] DRAM挺過7月 有望旺到后年動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)價格年初以來維持強(qiáng)勢,但封測廠強(qiáng)調(diào),7月爾必達(dá)新增產(chǎn)能是否可以去化是重要觀察期,一旦能順利消化,DRAM產(chǎn)業(yè)榮景將能持續(xù)到明、后年
2010-05-10 10:51:03
芯片可以存儲16384個bit數(shù)據(jù),同時期可同時進(jìn)行1bit的讀取或者寫入操作。DRAM地址引腳為7根,SRAM地址引腳為14根,這顆16K DRAM通過DRAM接口把地址一分為二,然后利用兩個連續(xù)
2010-07-15 11:40:15
臺積電與三星的10nm工藝。智能手機(jī)的普及,大大地改變了現(xiàn)代人們的生活方式,言猶在耳的那句廣告詞——“科技始終來自于人性”依舊適用,人們對于智能手機(jī)的要求一直是朝向更好、更快以及更省電的目標(biāo)。就像
2018-06-14 14:25:19
存儲器是怎樣進(jìn)行分類的?分為哪幾類?為什么要對DRAM進(jìn)行刷新?如何進(jìn)行刷新?
2021-09-28 08:50:24
***地區(qū)廠商達(dá)17.9%。由于三星、海力士與美光等廠商在產(chǎn)能配置上著重于Flash顆粒以及CMOS Image Sensor等產(chǎn)品,2007年僅***地區(qū)廠商大量的擴(kuò)充DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能,因此未來***地區(qū)廠商DRAM銷售額比重仍將持續(xù)攀高。
2008-05-26 14:43:30
介紹初步無名飛控解(上)鎖與遙控器簡單設(shè)置無名科創(chuàng)自研飛控平臺,經(jīng)過武漢科技大學(xué)連續(xù)四屆研究生師兄們參考國內(nèi)外主流飛控(APM、Pixhawk、Autoquad、MWC、CC3D、無窮開、ANO
2019-08-01 11:38:45
成。業(yè)界人看好南亞科及華邦電第二季也獲利跳增,第三季因價格持續(xù)看漲,營收及獲利可望再寫新高。無新產(chǎn)能,導(dǎo)致淡季變旺今年上半年包括三星、SK海力士、美光等記憶體大廠雖提高資本支出,但多數(shù)資金都用來進(jìn)行
2017-06-13 15:03:01
是一個晶體管加一個電容,并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1,電容漏電很快,為了防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯,需要周期性地給DRAM充電,故DRAM的充電速度比SRAM慢。另一方面,這種簡單的存儲
2019-09-18 09:05:09
`觀點(diǎn):受益于國內(nèi)低端智能手機(jī)市場火爆,聯(lián)發(fā)科銷售量迅速增長,使中國***廠商首度拿下全球第三大智能機(jī)芯片廠商的榮譽(yù)。為占更多市場份額,聯(lián)發(fā)科瞄向了東南亞平價智能型手機(jī)和平板計算機(jī)市場,近日與印尼
2012-10-12 16:55:49
近日,SIA發(fā)了個聳人聽聞的新聞,說intel放棄了10nm工藝的研發(fā),當(dāng)然這肯定是假消息就是了,今天intel也出面辟謠。不過相信很多人也會覺得奇怪,那邊TSMC 7...
2021-07-26 08:10:47
SoC芯片的自研,顯然是想將手機(jī)的優(yōu)勢帶入到更廣泛的物聯(lián)網(wǎng)終端領(lǐng)域。OPPO推出6nm的NPU芯片,也是考慮到通過自研芯片拉開和競爭對手的差距,給自家高端化手機(jī)提供差異化體驗(yàn)。國產(chǎn)替代的三個誤區(qū)集成電路
2022-01-02 08:00:00
三星加速制程微縮 DRAM進(jìn)入40納米世代
三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮,積極導(dǎo)入40納米制程,第4季已開始小幅試產(chǎn)DDR3,預(yù)計2010年下半40納米將成為主流制程
2009-11-18 09:20:55466 南亞科擴(kuò)建12寸廠 全球市占挑戰(zhàn)10%
南亞科將逆勢擴(kuò)建旗下12寸廠,從現(xiàn)有3萬片擴(kuò)增至5萬~6萬片,成為此波DRAM景氣復(fù)蘇后,首家擴(kuò)產(chǎn)的臺系DRAM廠。值得注意
2010-01-22 09:52:57639 DRAM,DRAM是什么意思
RAM (Random Access Memory隨機(jī)存貯器)是指通過指令可以隨機(jī)地、個別地對每個存儲單元進(jìn)行訪問、訪問所需時間基本固定、且
2010-03-24 16:04:3313084 DRAM模塊,DRAM模塊是什么意思
DRAM 的英文全稱是"Dynamic RAM",翻譯成中文就是"動態(tài)隨機(jī)存儲器"。。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),
2010-03-24 16:17:211587 由于市場需求仍持續(xù)低迷,以現(xiàn)階段DRAM總投片約1300K為基準(zhǔn)來計算,至少需減產(chǎn)20%,才有機(jī)會讓市場供需平衡,DRAM價格至少到明年第2季后才能見到春燕歸來的跡象。
2011-08-28 10:19:10839 利基型記憶體包括Mobile DRAM、Specialty DRAM,與Graphics DRAM等3大類產(chǎn)品線,各產(chǎn)品線主要終端應(yīng)用產(chǎn)品各自不同。加總Mobile DRAM、Specialty DRAM與Graphics DRAM等3大產(chǎn)品總市場需求,DIGITIMES預(yù)估
2011-10-28 09:39:003382 本月,三星電子宣布實(shí)現(xiàn)10nm級別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn),再次拉大與“三國殺”剩下兩個玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031033 三星是全球最大的DRAM芯片供應(yīng)商,自己一家就占據(jù)了47.5%的份額,遠(yuǎn)高于SK Hynix和美光。不僅如此,三星在DRAM技術(shù)上也遙遙領(lǐng)先于其他兩家,去年3月份就宣布量產(chǎn)18nm工藝的DRAM芯片
2017-03-03 14:22:572482 在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中,介紹了單個 Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中,將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
2017-03-17 16:12:144417 Digitimes發(fā)布消息稱,英特爾可以按計劃在今年底首發(fā)10nm處理器,但僅限低功耗移動平臺,預(yù)計是Core m或者后綴U系列的低電壓版本。而就在上周,英特爾剛宣布,第一代基于10nm工藝制程Cannon Lake處理器已經(jīng)完工,同時第二代10nm處理器Ice Lake也已經(jīng)完成了最終設(shè)計。
2017-06-15 11:43:441317 三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報道,三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片,這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:011534 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一,三星Q3凈利潤高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片的消息,更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331472 三星的DRAM市場表現(xiàn)十分強(qiáng)勁,并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求,三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:38835 隨物聯(lián)網(wǎng)時代來臨,數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視,研調(diào)單位指出,協(xié)助運(yùn)算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫,南亞科(2408)日前表示,今年DRAM市場仍供不應(yīng)求,帶動存儲器族群行情向上,旺宏(2337)在權(quán)證市場同受關(guān)注,昨(29)日登上成交金額之首。
2018-06-22 15:45:001233 內(nèi)存廠南亞科24日舉行股東會,展望今年整體市況,董事長吳嘉昭表示,預(yù)期今年DRAM位元需求將年增22%,位元供給將增加21%,DRAM整體仍是需求仍大于供給,今年?duì)I運(yùn)狀況不錯。
2018-07-04 06:30:00605 DRAM大廠陸續(xù)洽談第3季DRAM合約價格,維持小漲局面,推升全球本季DRAM產(chǎn)值將再改寫新高,臺系DRAM南亞科(2408)和華邦電等,預(yù)料今年將繳出逐季創(chuàng)新高佳績。
2018-07-04 17:08:00581 12月20日,三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級DRAM的生產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強(qiáng)三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:25723 三星宣布推出基于10nm級(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組,用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條,頻率2666MHz,結(jié)構(gòu)上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014789 三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來,三星就開始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等,5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281050 7月10日報導(dǎo),JP摩根目前對今明兩年DRAM市場銷售額、出貨量預(yù)估較上個月高出5-6%。JP摩根分析師Harlan Sur指出,美光科技的年度銷售額大約有30%來自服務(wù)器用DRAM。他預(yù)期服務(wù)器用DRAM將占整體產(chǎn)業(yè)銷售額的四分之一、超越PC用DRAM成為第二大產(chǎn)品(僅次于移動設(shè)備用DRAM)。
2018-08-09 15:50:541052 4月25日,三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)汽車用10nm級16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能,同時還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262143 DRAM價格飆漲帶動2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值沖破4000億美元,國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI預(yù)估,在三星電子、SK海力士(SK Hynix)持續(xù)擴(kuò)展DRAM產(chǎn)能下,2018年DRAM供給端產(chǎn)能可能再
2018-08-27 17:05:531850 臺塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科技術(shù)能力大躍進(jìn),完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM,并通過個人電腦(PC)客戶認(rèn)證,本月開始出貨,為南亞科轉(zhuǎn)攻利基型DRAM多年后,再度重返個人電腦市場,明年農(nóng)歷年后將再切入服務(wù)器市場,南亞科借此成為韓系和美系大廠之后,另一穩(wěn)定供貨來源。
2018-08-28 16:09:212734 由于DRAM市場正逐漸由供貨吃緊轉(zhuǎn)向供過于求,在需求前景不明且供給持續(xù)增加下,買方回補(bǔ)庫存意愿偏低,DRAM價格可能終結(jié)連9季上揚(yáng)態(tài)勢,南亞科第4季營收恐難再創(chuàng)高。
2018-09-05 14:12:034161 DRAM大廠南亞科今昨日公布第3季財報,展望后市,南亞科總經(jīng)理李培瑛不諱言,第4季DRAM需求相對前半年保守,預(yù)期單季平均銷售單價可能下滑5%左右,PC需求為目前唯一表現(xiàn)趨緩的應(yīng)用,且由于
2018-10-18 16:40:111089 三星電子今天宣布,開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763 19日出具調(diào)查報告指出,今年上半年DRAM市場仍供過于求,價格持續(xù)下跌,不僅本季價格跌幅將超過二成,下季仍持續(xù)看跌15%,相當(dāng)于上半年累計跌價幅度超過三成,比市場原預(yù)期更悲觀,華邦、南亞科等芯片廠,以及模組廠威剛、宇瞻等,營運(yùn)將面臨下修壓力。
2019-02-22 09:20:122234 今年以來DRAM價格持續(xù)下跌,DRAM廠南亞科今年獲利表現(xiàn)恐不如去年好。為了維持穩(wěn)定獲利,南亞科將朝向優(yōu)化產(chǎn)品組合方向調(diào)整,提高DDR4及LPDDR4X等毛利率較好的產(chǎn)品比重。此外,南亞科已取得美光的1x/1y納米制程技術(shù)授權(quán)選擇權(quán),并啟動自主研發(fā)的10納米世代制程研發(fā)。
2019-03-01 16:30:254125 DRAM大廠南亞科總經(jīng)理李培瑛表示,近期服務(wù)器用DRAM需求已經(jīng)反彈,此舉將幫助第二季DRAM市況優(yōu)于首季,下半年轉(zhuǎn)好。
2019-03-05 17:30:134400 3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083251 ,動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級(1y-nm)8Gb DDR4以來僅僅16個月,三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4,說明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:541444 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:163659 關(guān)鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01215 DRAM廠南亞科昨日舉行股東會,總經(jīng)理李培瑛會后受訪表示,第2季DRAM市況已看到會比第1季好,第3季又會比第2季稍好,合約價跌幅會比現(xiàn)貨價小;整體而言,隨著旺季到來,下半年DRAM還是會比上半年好。
2019-05-31 16:58:212105 DRAM與NAND Flash持續(xù)維持下降走勢。
2019-07-06 11:38:563485 三星電子有限公司(Samsung Electronics)在其官網(wǎng)上發(fā)布消息,該公司正式宣布,首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝(1z-nm)8GB 超高性能和高功效的 DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。
2019-09-27 17:23:291003 南亞科總經(jīng)理李培瑛近日宣布,已完成自主研發(fā)10納米級DRAM技術(shù)。
2020-01-13 15:16:102164 三星電子(Samsung Electronics)今天宣布,已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首款10nm EUV級(D1x)DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評估,并將為在高端PC、移動終端、企業(yè)級服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572345 的工藝節(jié)點(diǎn)都不使用明確的數(shù)字,而是1x、1y、1z、1α等等,越往后越先進(jìn),或者說1xnm比較接近20nm,1αnm則更接近10nm。 美光的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內(nèi)存芯片,尤其適用于最新旗艦手機(jī)標(biāo)配的LPDDR5,相比于1z工藝可以將容量密度增加多達(dá)40%,同時還能讓功耗降低15%
2021-01-27 17:28:331589 DRAM作為PC必備器件之一,大家自然對DRAM較為熟悉。但是,大家知道DRAM存儲具有哪些分類嗎?大家了解DRAM控制器是如何設(shè)計出來的嗎?如果你對DRAM以及本文即將要闡述的內(nèi)容具有興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:193766 Intel正在各個領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從14nm向10nm的過渡:輕薄本上代還是14/10nm混合,現(xiàn)在已經(jīng)完全是10nm;游戲本、服務(wù)器馬上就都會首次嘗鮮10nm;桌面則要等到明年底的12代最終實(shí)現(xiàn)交接。
2020-12-07 10:00:071764 據(jù)悉,南亞科技預(yù)計DRAM的價格一季度開始上漲,是因?yàn)槭袌龉?yīng)緊張,供不應(yīng)求所致,價格上漲的趨勢將持續(xù)到二季度。
2021-01-12 10:57:221585 據(jù)etnews報道,SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機(jī),以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內(nèi)在M16廠建設(shè)產(chǎn)線以生產(chǎn)下一代DRAM,不過并未透露
2021-01-20 18:19:202146 美光今天宣布,已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝,可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513088 2月22日消息,據(jù)國外媒體報道,英文媒體此前曾多次報道,DRAM的價格在今年一季度將上漲,二季度仍將持續(xù),相關(guān)的廠商將從中獲益。 在此前的報道中,英文媒體就提到,受市場供應(yīng)緊張,供不應(yīng)求推動,南亞
2021-02-22 16:28:011645 %。其中生產(chǎn)設(shè)備資本支出降幅約四成。 ? 展望2022第四季度DRAM市場供需,南亞科表示,全球性總體經(jīng)濟(jì)面臨衰退,受高通膨、升息、俄烏戰(zhàn)爭、封控等負(fù)面因素電子產(chǎn)品市場需求疲弱,部分終端客戶庫存逐步去化。 ? 供應(yīng)商庫存增加,部分供應(yīng)商調(diào)降資本支出,整體市
2022-10-19 14:16:081747 DRAM制造技術(shù)進(jìn)入10nm世代(不到20nm世代)已經(jīng)過去五年了。過去五年,DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此,本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢。
2023-11-25 14:30:15538 部分存儲模組廠已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價格上調(diào)15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價,故預(yù)計后者將會持續(xù)上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%,不及3D TLC NAND約10%;
2024-01-03 10:46:21550
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