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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>南亞科完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM,重返PC市場(chǎng)

南亞科完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM,重返PC市場(chǎng)

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三星推出10nm級(jí)8GB LPDDR4芯片

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2016-10-20 10:55:481662

DRAM供不應(yīng)求,2018市場(chǎng)將是大好年!

年,32GB DDR4模組價(jià)格可望漲逾300美元,南亞科直接受惠,明年上半年20奈米DDR4產(chǎn)能已全賣光。 DRAM價(jià)格今年漲了一整年,但2018年看來(lái)仍是DRAM市場(chǎng)大好年。在供給端來(lái)看,包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠明年的投資仍集中在1x/1y奈米的制程微縮,舊有廠內(nèi)擠出空間
2017-12-25 08:56:387745

疑似紫光國(guó)芯標(biāo)識(shí)PC DDR4內(nèi)存條曝光背后,窺探國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

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,這是第一顆國(guó)產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片。 根據(jù)產(chǎn)品介紹,目前兩款 DDR4 顆粒單顆容量均為 8Gb(1GB),頻率 2666MHz,工作電壓 1.2V,工作溫度 0℃ 到 95 ℃,采用 78-ball
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受疫情影響,服務(wù)器DRAM需求增加、價(jià)格上漲!

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DDR4 DESIGNDDR4 DESIGNDDR4 DESIGN拿走拿走!
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DDR4復(fù)位偏差要求是什么?

(UG583)“UltraScale架構(gòu)PCB設(shè)計(jì)用戶指南”的V1.10表示(通常)DDR4接口信號(hào)reset_n不需要滿足適用于地址/命令/控制組中其他信號(hào)的偏移約束。但是,在專門引用DDR4
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2012-07-18 09:44:33840

ARM和Globalfoundries聯(lián)手研發(fā)20nm移動(dòng)芯片

8月14日消息,ARM和芯片工廠Globalfoundries日前宣布,雙方將聯(lián)手研發(fā)20nm工藝節(jié)點(diǎn)和FinFET技術(shù)。 ARM之前和臺(tái)積電進(jìn)行了緊密合作,在最近發(fā)布了若干使用臺(tái)積電28nm工藝節(jié)點(diǎn)制作的硬宏處理
2012-08-14 08:48:11636

臺(tái)積電20nm制程獲將用于蘋(píng)果A7試產(chǎn)

臺(tái)積電積極開(kāi)發(fā)20nm制程,花旗環(huán)球證券指出,在技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)下,未來(lái)1~2年內(nèi)有機(jī)會(huì)獨(dú)吞蘋(píng)果(Apple)A7處理器訂單。野村證券評(píng)估,臺(tái)積電明年第1季開(kāi)始試產(chǎn)A7,順利的話,后年上半
2012-09-28 09:40:061048

賽靈思(Xilinx)解讀20nm的價(jià)值:繼續(xù)領(lǐng)先一代

電子發(fā)燒友網(wǎng)訊:關(guān)于摩爾定律的經(jīng)濟(jì)活力問(wèn)題,有很多的討論。在過(guò)去的一年中,20nm節(jié)點(diǎn)進(jìn)入到這個(gè)辯論的前沿和中心。無(wú)論說(shuō)辭如何,包括賽靈思在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)在20nm研發(fā)上的積極
2012-11-14 11:19:521196

搶占20nm制高點(diǎn),Xilinx下一代產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)全解析

Xilinx公布其在20nm產(chǎn)品的表現(xiàn)上還將保持領(lǐng)先一代的優(yōu)勢(shì),究竟在20 nm制程上,Xilinx的產(chǎn)品有哪些演進(jìn)使其保持領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一代的優(yōu)勢(shì)?詳見(jiàn)本文
2013-01-10 09:33:43961

高速設(shè)計(jì):用于DDR3/DDR4的xSignal

DDR4
Altium發(fā)布于 2023-06-25 17:49:32

臺(tái)電發(fā)布極光DDR4 A30內(nèi)存,自帶散熱裝甲

A30的主要亮點(diǎn)一是高頻,二是自主研發(fā)的散熱裝甲(御風(fēng)者)。據(jù)悉,極光A30 DDR4內(nèi)存分為4GB/8GB/16GB可選,頻率達(dá)到2400MHz,比常規(guī)普條(2133Mhz)更高。
2017-11-09 14:07:021246

三星利用二代10納米工藝研發(fā)8Gb DDR4芯片

三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級(jí)芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331114

三星宣布量產(chǎn)第二代10nm級(jí)別1y-nm 8Gb DDR4顆粒,高頻內(nèi)存3600MHz起步

據(jù)報(bào)道,三星第二代10nm級(jí)別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了,8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計(jì)技術(shù),比初代10nm級(jí)別(1x-nm)的高30%,并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:512785

“全球最小”8Gb DDR4 芯片 三星DRAM地位再增強(qiáng)

三星在DRAM市場(chǎng)的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道,三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片,這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:011534

叫板三星 紫光成功研發(fā)國(guó)產(chǎn)首條自主DDR4內(nèi)存

DRAM內(nèi)存制造技術(shù)一直都是國(guó)家最為關(guān)注的重要戰(zhàn)略之一。在內(nèi)存市場(chǎng)中國(guó)沒(méi)有足夠的話語(yǔ)權(quán),都被三星、SK海力士、美光幾家企業(yè)幾乎壟斷。據(jù)報(bào)道,紫光打造的中國(guó)第一款自主PC DDR4內(nèi)存條終于問(wèn)世,讓我們看到了國(guó)產(chǎn)內(nèi)存崛起的希望。
2017-12-22 16:00:261336

三星二代10納米將加速未來(lái)DRAM芯片問(wèn)世 進(jìn)一步搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)

三星的DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)十分強(qiáng)勁,并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場(chǎng)龐大需求,三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:38835

中國(guó)自主研發(fā)DRAM 芯片有希望在合肥誕生

,并開(kāi)始設(shè)備安裝;2018 年底量產(chǎn) 8Gb DDR4 工程樣品;2019 年 3 季度量產(chǎn) 8Gb LPDDR4;2019 年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能 2 萬(wàn)片/月;2020 年開(kāi)始規(guī)劃二廠建設(shè);2021 年完成 17 納米技術(shù)研發(fā)。
2018-04-18 13:50:007515

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片,國(guó)產(chǎn)DRAM在大力的突破

據(jù)國(guó)際電子商情,日前,消息稱長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片,啟動(dòng)試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0311871

三星第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升需求

12月20日,三星宣布已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強(qiáng)三星市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2018-07-31 14:55:25723

三星10nm級(jí)DDR4 SoDIMM內(nèi)存,容量達(dá)到32GB單條

DRAM芯片組成。三星稱,新品取代的是2014年推出的20nm級(jí)16GB SoDIMM模組,后者的單芯片容量是8Gb。
2018-08-06 16:38:014789

JEDEC的DDR4技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的公布

?!癑EDEC的DDR4技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的公布是數(shù)年來(lái)世界各地的內(nèi)存、系統(tǒng)、部件和模塊制造商共同努力的結(jié)果,”JEDEC下屬組織JC-42.3DRAM內(nèi)存委員會(huì)主席Joe Macri這樣說(shuō)?!靶聵?biāo)準(zhǔn)使下一代系統(tǒng)有更優(yōu)
2018-09-30 00:15:012117

SK海力士研發(fā)完成基于1Ynm工藝的DDR4 DRAM芯片

11月12日消息,SK Hynix(SK海力士)宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:353097

南亞科啟動(dòng)自主研發(fā)的10納米世代制程研發(fā) 將擴(kuò)大辦理超過(guò)100人以上的研發(fā)人才招募

今年以來(lái)DRAM價(jià)格持續(xù)下跌,DRAM南亞科今年獲利表現(xiàn)恐不如去年好。為了維持穩(wěn)定獲利,南亞科將朝向優(yōu)化產(chǎn)品組合方向調(diào)整,提高DDR4及LPDDR4X等毛利率較好的產(chǎn)品比重。此外,南亞科已取得美光的1x/1y納米制程技術(shù)授權(quán)選擇權(quán),并啟動(dòng)自主研發(fā)的10納米世代制程研發(fā)。
2019-03-01 16:30:254125

三星宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片

3月21日,三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083251

三星突破DRAM的擴(kuò)展極限 成功研發(fā)10nm級(jí)DDR4內(nèi)存

,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。自開(kāi)始批量生產(chǎn)第二代10nm級(jí)(1y-nm8Gb DDR4以來(lái)僅僅16個(gè)月,三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)處理的情況下開(kāi)發(fā)1z-nm 8Gb DDR4,說(shuō)明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:541444

三星電子將開(kāi)發(fā)首款基于第三代10nm級(jí)工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:163659

三星第三代10nm工藝DDR4內(nèi)存下半年量產(chǎn)

關(guān)鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01215

美光科技正式宣布將采用第3代10納米級(jí)制程生產(chǎn)新一代DRAM

產(chǎn)的DRAM將會(huì)是16GBDDR4及LPDDR4X存儲(chǔ)器。對(duì)此,市場(chǎng)預(yù)估,美光的該項(xiàng)新產(chǎn)品還會(huì)在2019年底前,在美光位于中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線。
2019-08-19 15:45:223148

西安紫光國(guó)芯將展示全系列內(nèi)存產(chǎn)品 包括DDR4

隨著紫光、合肥長(zhǎng)鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè),國(guó)產(chǎn)自主DRAM芯片未來(lái)也會(huì)迎來(lái)一波爆發(fā)。除此之外,紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā),他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開(kāi)展示自研的內(nèi)存,包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 09:37:093598

SK海力士宣布開(kāi)發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb DDR4 DRAM

10月21日,SK海力士宣布開(kāi)發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。
2019-10-21 16:10:362869

DDR5內(nèi)存速度在DDR4基礎(chǔ)上翻倍,2020年才能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

最近一年來(lái),DDR4內(nèi)存芯片持續(xù)降價(jià),如今8GB DDR4單條內(nèi)存也不復(fù)三年前接近千元的售價(jià)之勇,只要200多塊就可以搞定。
2019-10-30 15:19:005766

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM芯片投產(chǎn) 力爭(zhēng)未來(lái)成為這個(gè)領(lǐng)域的領(lǐng)先者

最新消息,今天在安徽合肥召開(kāi)的2019世界制造業(yè)大會(huì)上,總投資約1500億元的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn),其與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10nm級(jí)第一代8Gb DDR4首度亮相,一期
2019-11-14 15:31:362410

合肥長(zhǎng)鑫量產(chǎn)DDR4內(nèi)存 暫時(shí)不會(huì)產(chǎn)生什么大影響

9 月份合肥長(zhǎng)鑫宣布量產(chǎn) 8Gb 顆粒的國(guó)產(chǎn) DDR4 內(nèi)存。對(duì)于國(guó)產(chǎn)內(nèi)存,市場(chǎng)預(yù)期不會(huì)對(duì)三星、SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭帶來(lái)太大影響,但是會(huì)擠壓第四大內(nèi)存廠商南亞科的空間。對(duì)此南亞科予以否認(rèn),表示短時(shí)間內(nèi)沒(méi)什么大影響。
2019-11-19 10:44:313316

國(guó)產(chǎn)紫光DDR4內(nèi)存亮相,年底完成DDR4內(nèi)存研發(fā)并推向市場(chǎng)

隨著紫光、合肥長(zhǎng)鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè),國(guó)產(chǎn)自主DRAM芯片未來(lái)也會(huì)迎來(lái)一波爆發(fā)。除此之外,紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā),他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開(kāi)展示自研的內(nèi)存,包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:143029

七彩虹推出兩款DDR4普條,頻率都為DDR4 2666

12月8日消息,近日,七彩虹推出了兩款DDR4 普條,都是DDR4 2666頻率,8GB單條售價(jià)188元,16GB單條售價(jià)299元。
2019-12-09 15:49:496112

南亞科李培瑛宣布已完成自主研發(fā)10納米級(jí)DRAM技術(shù) 預(yù)計(jì)2020下半年陸續(xù)進(jìn)入產(chǎn)品試產(chǎn)

南亞科總經(jīng)理李培瑛近日宣布,已完成自主研發(fā)10納米級(jí)DRAM技術(shù)。
2020-01-13 15:16:102164

南亞科自研10nm DRAM DRAM產(chǎn)品可持續(xù)微縮至少三個(gè)時(shí)代

1 月 13 日訊,近日,南亞科技股份有限公司稱,公司已完成自主研發(fā) 10 納米級(jí) DRAM 技術(shù),將在今年下半年試產(chǎn)。順應(yīng) 10 納米制程發(fā)展,南亞科今年資本支出金額將高于去年的 55 億元。據(jù)悉,除可改善成本,南亞科成功自主開(kāi)發(fā) 10 納米制程技術(shù),將有助掌握朝高密度新產(chǎn)品發(fā)展機(jī)會(huì)與技術(shù)進(jìn)展。
2020-01-14 10:47:27702

長(zhǎng)鑫國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片的外觀和參數(shù)曝光,使用19納米制造技術(shù)

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正使用其10G1工藝技術(shù)(即19nm工藝)來(lái)制造4GB8GBDDR4內(nèi)存芯片,目標(biāo)是在2020年第一季度上市?,F(xiàn)在,一名用戶就曝光了新款內(nèi)存的外觀和參數(shù)。
2020-02-26 15:01:137803

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM產(chǎn)品陸續(xù)上線 向更先進(jìn)和更大容量的DRAM發(fā)展

2 月 27 日訊,日前,國(guó)產(chǎn)芯片代表企業(yè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方正式上線 DRAM 產(chǎn)品,包括 8Gb DDR4 芯片、8GB DDR4 內(nèi)存條、2GB/4GB LPDDR4X 產(chǎn)品,均符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
2020-02-28 14:23:351325

8GB內(nèi)存的PC是否夠用?

4年前也就是2016年的時(shí)候,旗艦款的智能手機(jī)在內(nèi)存容量上也就是剛剛邁入了4GB的階段,而那個(gè)時(shí)候的PC平臺(tái)已經(jīng)進(jìn)入了DDR4的時(shí)候,主流級(jí)平臺(tái)的內(nèi)存容量也已經(jīng)基本從4GB開(kāi)始向8GB邁進(jìn),而且基本從2017年開(kāi)始,8GB內(nèi)存已經(jīng)算是主流級(jí)PC的標(biāo)配,更不用說(shuō)是對(duì)性能要求更高的游戲型PC了。
2020-04-12 09:30:174456

江波龍嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE推出DDR4國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存

江波龍嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE推出了3款國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存,分別為DDR4SODIMM 8GB、DDR4UDIMM 8GB、DDR4UDIMM 16GB,核心DRAM均采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的顆粒,這標(biāo)志著中國(guó)
2020-05-22 15:24:522345

兆易創(chuàng)新DRAM芯片自主研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目完成資金募集

公告顯示,兆易創(chuàng)新DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目計(jì)劃投資總額約40億元,擬投入募集資金33億元。兆易創(chuàng)新擬通過(guò)本項(xiàng)目,研發(fā)1Xnm級(jí)(19nm、17nm)工藝制程下的DRAM技術(shù),設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。
2020-08-17 16:44:292983

詳談智能手機(jī) LPDDR5 內(nèi)存與電腦 DDR4 內(nèi)存的區(qū)別

2020年很多高端手機(jī)都使用了LPDDR5內(nèi)存了,容量也達(dá)到了8GB以上,16GB也不新鮮。但是電腦上的內(nèi)存還是DDR4,DDR5也只完成了標(biāo)準(zhǔn),還沒(méi)量產(chǎn)呢。
2020-09-18 09:51:389435

合肥長(zhǎng)鑫加速開(kāi)發(fā)17nm工藝內(nèi)存研發(fā)

在量產(chǎn)國(guó)內(nèi)首個(gè)8Gb DDR4芯片之后,合肥長(zhǎng)鑫日前又獲得了156億元的巨額投資,將加速開(kāi)發(fā)17nm工藝的DDR5內(nèi)存研發(fā)及生產(chǎn)。
2020-12-18 09:53:144084

塵埃落定,1月份DDR4內(nèi)存合約價(jià)全面上漲

供應(yīng)鏈的消息,1月份服務(wù)器DRAM價(jià)格止跌上漲,32GB DDR4 RDIMM合約價(jià)月增4.6%達(dá)115美元,64GB DDR4 LRDIMM合約價(jià)月增4.9%達(dá)235美元。 1月份PC標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格
2021-02-03 16:59:201695

基于20nm工藝制程的FPGA—UltraScale介紹

UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA,而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:544129

存儲(chǔ)芯片拐點(diǎn)何時(shí)到來(lái)?DRAM價(jià)格已連續(xù)12個(gè)月下跌

市場(chǎng)上,DRAM價(jià)格已連續(xù)12個(gè)月下跌,4月份DDR4 8Gb批發(fā)價(jià)為每個(gè)1.48美元左右,環(huán)比下跌1%。
2023-06-01 17:59:111713

三星再次減產(chǎn),刺激DDR4價(jià)格上漲

三星公司計(jì)劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能,而今年以來(lái)這一減產(chǎn)主要針對(duì)DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期,三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫(kù)存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會(huì)導(dǎo)致DDR4市場(chǎng)價(jià)格上漲,而目前
2023-09-15 17:42:08996

兆易創(chuàng)新:NOR Flash和SLC Nand Flash價(jià)格已趨于平穩(wěn)

對(duì)于DRAM業(yè)務(wù),這個(gè)公司的主要是低端市場(chǎng),如小容量DDR4、DDR3等產(chǎn)品,且正在積極投入8Gb DDR4等新型DRAM研發(fā),以便完善標(biāo)準(zhǔn)接口DRAM產(chǎn)品線,推動(dòng)DRAM業(yè)務(wù)發(fā)展,滿足客戶需求。
2023-12-27 13:58:31249

DRAM合約價(jià)一季度漲幅預(yù)計(jì)13~18%,移動(dòng)設(shè)備DRAM引領(lǐng)市場(chǎng)

據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示,PC DRAM方面,DDR5訂單需求未得到充分滿足,買方預(yù)期DDR4價(jià)格將進(jìn)一步上漲,這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5轉(zhuǎn)型,但對(duì)于DDR4采購(gòu)量增幅不定。預(yù)計(jì)PC DRAM季度合約價(jià)變化幅度將在10~15%之間,其中DDR5占據(jù)更大比例。
2024-01-08 14:27:26195

南亞科存儲(chǔ)芯片營(yíng)收連續(xù)虧損,第四季度DRAM平均售價(jià)環(huán)比增長(zhǎng)

2024年,南亞科預(yù)披露將啟動(dòng)資本開(kāi)銷約200億元,有待董事會(huì)批準(zhǔn)。同時(shí)進(jìn)一步釋放消息,計(jì)劃2024年使用10nm第二代制程技術(shù)(1B)來(lái)生產(chǎn)8Gb DDR4及16Gb DDR5產(chǎn)品,由此可見(jiàn)其對(duì)于未來(lái)發(fā)展的投入決心。
2024-01-11 09:43:00182

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