南茂明年?duì)I運(yùn)續(xù)揚(yáng) 產(chǎn)能估雙位數(shù)成長

封測廠南茂昨（8）日召開線上法說，董事長鄭世杰表示，雖然半導(dǎo)體景氣仍不明朗，南茂受惠標(biāo)準(zhǔn)型DRAM訂單增加、觸控面板感應(yīng)芯片（TDDI）產(chǎn)品滲透率提升，預(yù)期明年?duì)I運(yùn)將持續(xù)成長。不過，因仍有許多不確定因素，將密切注意市場及客戶狀況因應(yīng)。

南茂財(cái)務(wù)長蘇郁姣表示，第三季整體稼動率約75～80%，其中測試約75～78%，封裝約65%，驅(qū)動IC約80～85%，凸塊約75～80%。

展望第四季，受惠新客戶測試產(chǎn)能陸續(xù)到位、投入生產(chǎn)，且10月再度調(diào)漲面板驅(qū)動IC（DDIC）測試及12英寸薄膜覆晶封裝（COF）報(bào)價(jià)，鄭世杰預(yù)期第四季DDIC稼動率估維持滿載，帶動營收持續(xù)成長。

同時(shí)，TDDI產(chǎn)品在新型智能手機(jī)滲透率持續(xù)增加，且新型窄邊框、全屏幕智能手機(jī)帶動的12寸COF需求非常強(qiáng)勁，鄭世杰預(yù)期需求將持續(xù)到年底、甚至到明年，南茂將持續(xù)投資擴(kuò)產(chǎn)，主要擴(kuò)充TDDI、車用DDIC測試及12寸COF封裝、晶圓凸塊產(chǎn)能。

鄭世杰表示，預(yù)期南茂明年產(chǎn)能將年增約雙位數(shù)，資本支出將達(dá)年?duì)I收約20～25%。明年新增的封測產(chǎn)能，均與客戶簽署產(chǎn)能保障協(xié)議，確保未來3年的基本稼動率，若未達(dá)規(guī)定稼動率，客戶會按單位時(shí)間及費(fèi)用支付給南茂。

鄭世杰表示，由于目前機(jī)器交期設(shè)備相當(dāng)長，預(yù)期明年產(chǎn)能供需仍緊，認(rèn)為南茂DDIC產(chǎn)品明年?duì)I收將持續(xù)成長，按目前簽署的產(chǎn)能保障協(xié)議最低門檻推估，明年TDDI占驅(qū)動IC營收比重，將自今年第三季的22%提升至30～35%。

存儲器方面，受終端產(chǎn)品需求減緩、客戶調(diào)節(jié)庫存影響，鄭世杰預(yù)期第四季利基型DRAM及Flash營收會較第三季稍降。不過，由于美系DRAM客戶自第四季起增加對南茂封測代工下單量，預(yù)期第四季存儲器產(chǎn)品營收將持平第三季。

鄭世杰指出，美系DRAM客戶明年初將繼續(xù)增加標(biāo)準(zhǔn)型DRAM代工訂單量，并將較成熟的低容量NAND Flash陸續(xù)轉(zhuǎn)由南茂封裝生產(chǎn)，目前既有產(chǎn)能已足以因應(yīng)上述新增訂單需求，看好明年封裝營收及稼動率將進(jìn)一步成長提升。

對于美系DRAM客戶在臺中興建自有封裝產(chǎn)能，是否擔(dān)心影響未來外包釋單量，鄭世杰表示，DRAM主要分為標(biāo)準(zhǔn)型、行動型及下世代的DDR4/DDR5，南茂目前承接該客戶的存儲器封裝訂單，和其臺中廠產(chǎn)品線完全沒有重疊，因此不會有此影響。

至于上海紫光宏茂目前仍處虧損，南茂前三季認(rèn)列約新臺幣1.5億元虧損，南茂表示，第三季認(rèn)列紫光宏茂虧損約新臺幣6000多萬，目前投資機(jī)器設(shè)備已有既定產(chǎn)能安排，預(yù)期稼動率可望逐季逐月提升，可望帶動虧損逐季下降，期望明年第二、三季能出現(xiàn)單月或單季損平。

本文來源：中時(shí)電子報(bào)