消息稱美光或開發(fā)EUV應(yīng)用技術(shù)

根據(jù)韓國媒體《Etnews》報導(dǎo)指出，目前全球3大DRAM存儲器中尚未明確表示采用EUV極紫外光刻機(jī)的美商美光（Micron），因日前招聘網(wǎng)站開始征求EUV工程師，揭露美光也在進(jìn)行EUV運(yùn)用于DRAM先進(jìn)制程，準(zhǔn)備與韓國三星、SK海力士競爭。

報導(dǎo)指出，美光招聘敘述是“企業(yè)內(nèi)部開發(fā)EUV應(yīng)用技術(shù)，并管理新EUV系統(tǒng)，以及與EUV設(shè)備制造商阿斯麥（ASML）溝通”，工作地點(diǎn)就在美光總部美國愛達(dá)荷州。美光已開始生產(chǎn)第3代10納米級（1z）DRAM存儲器，預(yù)計2021上半年開始大量生產(chǎn)第4代10納米級（1a）DRAM存儲器。

與競爭對手三星、SK海力士不同的是，美光不打算將EUV技術(shù)運(yùn)用在第4代10納米級DRAM存儲器，而是未來第7代10納米級（1d）DRAM存儲器。

存儲器與CPU邏輯制程一樣，近年面臨制程微縮的問題。如果使用EUV光刻技術(shù)，可減少多重曝光過程，提供更細(xì)微的制程精度與良率，進(jìn)一步減少產(chǎn)品生產(chǎn)時間并降低成本，還可提高效能。

不過，EUV光刻設(shè)備每部單價近1.5億歐元，初期投資成本較深紫外光光刻設(shè)備（DUV）高許多，因此會讓廠商考慮再三。美光先前就是因成本考量，加上采用DUV設(shè)備打造的DRAM符合市場需求，因此時程落后三星及SK海力士。

目前三星已在第3代10納米級DRAM存儲器生產(chǎn)導(dǎo)入EUV技術(shù)，且還預(yù)計2021年發(fā)表第4代10納米級的DRAM存儲器生產(chǎn)增加EUV技術(shù)。至于SK海力士則將在2021年量產(chǎn)第4代10納米級DRAM存儲器導(dǎo)入EUV技術(shù)，目前SK海力士也分批導(dǎo)入EUV設(shè)備，預(yù)計在京畿道利川市的新DRAM工廠建立EUV技術(shù)產(chǎn)線。

相較兩家競爭對手已導(dǎo)入或正導(dǎo)入EUV技術(shù)，美光顯然落后。外界解讀這次美光招聘EUV工程人員，目的在于先研究EUV運(yùn)作技術(shù)，以在未來正式推出相關(guān)技術(shù)的產(chǎn)品。因市場預(yù)期存儲器市場將逐漸迎接正循環(huán)周期，美光也藉此儲備未來市場競爭的最佳能量。
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