下面我們?cè)俜治鲆幌虑蛎娼Y(jié)的雪崩電壓。首先對(duì)(7-17)從PN結(jié)邊界到耗盡區(qū)積分,結(jié)果如下,
計(jì)算出雪崩電場(chǎng)對(duì)應(yīng)的耗盡區(qū)寬度,在帶入(7-22)即可得到球面結(jié)的雪崩電壓。將(7-17)帶入碰撞電離率的經(jīng)驗(yàn)表達(dá)式(7-9),并在整個(gè)耗盡區(qū)內(nèi)進(jìn)行積分,
同樣,對(duì)于1200V的IGBT,假設(shè)PN結(jié)深,襯底濃度為,求解(7-23),可以得到雪崩時(shí)的耗盡區(qū)寬度,顯然遠(yuǎn)小于平面結(jié)的和柱面結(jié)的。
將代入(7-19),得到球面結(jié)的雪崩電場(chǎng)為,
同樣由于碰撞電離率經(jīng)驗(yàn)公式的偏差問題,雪崩電場(chǎng)的絕對(duì)值與平面結(jié)和柱面結(jié)有所差別,但在同一個(gè)數(shù)量級(jí),這個(gè)計(jì)算過程是可信的。
令(7-22)中的,即可得到球面結(jié)的雪崩電壓為( ),。
回顧《平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異2》,平面結(jié)和柱面結(jié)在雪崩時(shí)所對(duì)應(yīng)的耐壓分別為1920V和250V,可見球面結(jié)對(duì)雪崩電壓的影響。
為解決上述問題,就需要避免出現(xiàn)球面或者小曲率半徑的PN結(jié)界面,這需要在設(shè)計(jì)中仔細(xì)考慮。
因?yàn)閿U(kuò)散工藝自身的特點(diǎn),柱面PN結(jié)是不可避免的,比較容易想到的就是多用幾個(gè)PN結(jié)來分擔(dān)峰值電場(chǎng),即芯片外圍的由多個(gè)柱面結(jié)來共同承擔(dān)電壓,常見的終端結(jié)構(gòu)基本都是按這個(gè)邏輯進(jìn)行設(shè)計(jì)。
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