三星否認MR-RUF方式用于HBM內(nèi)存生產(chǎn)
韓國媒體NEWSIS于3月14日曝出三星電子否認路透社其將轉用MR-RUF方式生產(chǎn)高帶寬存儲器（HBM）之推測。
實現(xiàn)HBM的關鍵所在為多層DRAM堆疊，市場主要采用兩種鍵合作程： SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM，后填塑模具填充間隙；后者則為熱壓粘連NCF（非導電薄膜）至各DRAM層之間。
隨著DRAM層數(shù)的增多，晶圓厚度需相應減小但所需力度卻增大，可能導致翹曲加劇。因此，據(jù)部分分析人士觀點，SK海力士采用的MR-RUF方式更有助于控制翹曲問題。
此前路透社報道提及，三星HBM3芯片良率僅10～20％，遠遜于SK海力士的60～70％，為此，三星或尋求采購日本企業(yè)提供的MR-RUF模具塑料。
對此，三星明確表明路透社此報道不實，公司正采用NCF方案尋找最優(yōu)解。坊間認為，由于三星在NCF材料研發(fā)及產(chǎn)量擴大方面已投入大量資金，故短期內(nèi)并不宜轉換為MR-RUF。IT之家曾報道，三星擬將MR-RUF技術運用于3DS RDIMM產(chǎn)品之中。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
DRAM
+關注
關注
40文章
2291瀏覽量
183115 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
930瀏覽量
38350 -
HBM
+關注
關注
0文章
350瀏覽量
14655
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
三星電子調(diào)整HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃，應對英偉達供應延遲
近日，三星電子因向英偉達供應HBM3E內(nèi)存的延遲，對其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進行了調(diào)整。據(jù)韓媒報道，三星
三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動
進入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過英偉達嚴格測試。然而，
三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試
近日，有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而，三星電子迅速對此傳聞進行了回應，明確表示該報道并不屬實。
三星HBM技術逆襲:NVIDIA認證助力業(yè)績飆升
在8月1日公布的最新財報中，三星電子再次展示了其在高帶寬內(nèi)存（HBM）領域的強勁表現(xiàn)。數(shù)據(jù)顯示，三星第二季度HBM銷售額同比大幅增長超過50
三星電子否認HBM3e芯片通過英偉達測試
韓國新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產(chǎn)品測試，預示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達供貨的序幕。然而，三星電子方面迅速對此消息進行了
三星否認HBM3E通過英偉達測試傳聞
近期，有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內(nèi)存）質量測試，并預計很快將啟動量產(chǎn)流程，以滿足市場對高性能存儲解決方案的迫切需求。然而，這一消息迅速遭到了三星
三星HBM3E質量認證進展：官方否認，測試仍在進行
近日，韓國媒體的一則報道引發(fā)了業(yè)界廣泛關注，稱三星電子的新一代高帶寬內(nèi)存HBM3E已經(jīng)順利通過了GPU巨頭英偉達（NVIDIA）的質量認證，即Qualtest PRA（產(chǎn)品準備批準），并預示著該產(chǎn)品
英偉達否認三星HBM未通過測試
英偉達公司CEO黃仁勛近日就有關三星HBM（高帶寬內(nèi)存）的傳聞進行了澄清。他明確表示，英偉達仍在認證三星提供的HBM
三星否認HBM芯片發(fā)熱問題，與全球合作伙伴開展測試
但三星電子發(fā)表聲明予以否認，堅稱正與多家全球合作伙伴順利開展HBM芯片測試工作，并持續(xù)與其他商業(yè)伙伴緊密合作，保證產(chǎn)品質量與可靠性。
三星電子否認HBM產(chǎn)品未達標，多家合作公司保證質量
針對媒體報道三星電子高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品未達英偉達品質標準的傳聞，三星予以明確否認。該報道列舉了散熱及功耗等問題，并稱三星的
三星HBM3E芯片驗證仍在進行，英偉達訂單分配備受關注
業(yè)內(nèi)評論指出，三星HBM之所以出現(xiàn)問題，主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與
三星聯(lián)席CEO在AI合作交流中力推HBM內(nèi)存
慶桂顯此行主要推廣三星的HBM內(nèi)存，并探索AI合作可能性。然而，由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤，三星已被競爭對手SK海力士超越；位于第
英偉達CEO贊譽三星HBM內(nèi)存，計劃采購
提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會上直接認可三星實力，稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對
三星澄清：未采用MR-MUF工藝，持續(xù)創(chuàng)新引領HBM芯片技術
近期，針對三星是否在其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片生產(chǎn)中采用了MR-MUF(Magnetic RAM based Multi-Level Uni
受困于良率？三星否認HBM芯片生產(chǎn)采用MR-MUF工藝
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）據(jù)報道，三星電子在半導體制造領域再次邁出重要步伐，計劃增加“MUF”芯片制造技術，用于生產(chǎn)HBM（高帶寬內(nèi)存
工商網(wǎng)監(jiān)
評論