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10.1.5 負柵電容晶體管∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-22 01:05
NegativeCapativeMOSFET(NC-MOSFET)審稿人:北京大學蔡一茂喻志臻https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學張興10.1非傳統(tǒng)新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTM晶體管 316瀏覽量 -
9.2.1 電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-21 01:05
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10.1.4 自旋場效應晶體管∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-21 01:04
SpinField-effectTransistor撰稿人:清華大學許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人:北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統(tǒng)新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代A晶體管 200瀏覽量 -
10.1.3 碰撞電離MOS器件∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-20 01:06
ImpactIonizationMOS撰稿人:清華大學許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人:北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統(tǒng)新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型MOS 404瀏覽量 -
9.1.10阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-19 01:07
9.1.10阻斷電壓9.1雙極結型晶體管(BJT)第9章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK7202V電壓 217瀏覽量 -
10.1.2 隧道場效應晶體管(TFET)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-19 01:06
TunnelingField-effectTransistor撰稿人:清華大學許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人:北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統(tǒng)新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAP晶體管 644瀏覽量 -
9.1.9 共發(fā)射極電流增益:復合效應∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-18 03:01
9.1.9共發(fā)射極電流增益:復合效應9.1雙極結型晶體管(BJT)第9章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科電流 351瀏覽量 -
10.1.1 柵極全環(huán)繞器件∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-18 01:06
Gate-all-around(GAA)Device撰稿人:清華大學許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人:北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統(tǒng)新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代A器件 235瀏覽量 -
9.7.12 底填料Underfill∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-17 04:01
Underfill撰稿人:中國科學院深圳技術研究院朱朋莉http://www.siat.ac.cn審稿人:中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究院羅樂http://www.sim.ac.cn9.7封裝結構材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtP材料 364瀏覽量 -
9.1.8 共發(fā)射極電流增益:溫度特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-17 02:08
9.1.8共發(fā)射極電流增益:溫度特性9.1雙極結型晶體管(BJT)第9章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科電流 480瀏覽量