深圳市致知行科技有限公司文章

• 8.2.12.5-8 關(guān)斷過程∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-09 05:01

  

  8.2.12.5關(guān)斷過程，0

  SiC 348瀏覽量

• 9.7.4 金屬封裝材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-09 01:06

  

  MetalPackagingMaterials撰稿人：中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所劉志平http://13.cetc.com.cn審稿人：中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)袁桐http://www.cemia.org.cn9.7封裝結(jié)構(gòu)材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.82

  封裝 229瀏覽量

• 8.2.12.1-4 開通過程∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-08 01:08

  

  8.2.12.1開通過程，0

  SiC 364瀏覽量

• 9.7.3 陶瓷封裝材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-08 01:07

  

  CeramicPackagingMaterials撰稿人：中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所劉志平http://13.cetc.com.cn審稿人：中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)袁桐http://www.cemia.org.cn9.7封裝結(jié)構(gòu)材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.

  封裝 266瀏覽量

• 國產(chǎn)CPLD、FPGA PINtoPIN替代Altera選型說明2022-03-07 01:09

  

  查看全部文章，請點(diǎn)擊↓↓↓FPGA是四大高端芯片之一（CPU、DSP、存儲(chǔ)器、FPGA），由于具有先購買再設(shè)計(jì)的特性，廣泛應(yīng)用在原型驗(yàn)證、通信、汽車電子、工業(yè)控制、航空航天、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。2019年全球FPGA市場規(guī)模約69億美元，中國FPGA市場約120億人民幣，其中民用市場約100億，國產(chǎn)滲透率僅約4%。從前年的華為事件開始，半導(dǎo)體的國產(chǎn)替代進(jìn)程開始逐

  FPGA 5062瀏覽量

• 8.2.12 MOSFET 瞬態(tài)響應(yīng)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-07 01:08

  

  8.2.12MOSFET瞬態(tài)響應(yīng)8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.11氧化層可靠性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》8.2.10.34H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果8.2.10.2反型層遷移率的器件相關(guān)定義8.2.10.1影響反型層

  MOS 688瀏覽量

• 9.7.2 塑封材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-07 01:06

  

  PlasticPackagingMaterials撰稿人：中國科學(xué)院化學(xué)研究所楊士勇http://www.iccas.ac.cn審稿人：中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)袁桐http://www.cemia.org.cn9.7封裝結(jié)構(gòu)材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.82301

  材料 271瀏覽量

• 8.2.11 氧化層可靠性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-06 01:08

  

  8.2.11氧化層可靠性8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.10.34H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果8.2.10.2反型層遷移率的器件相關(guān)定義8.2.10.1影響反型層遷移率的機(jī)理8.2.9閾值電壓控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用

  SiC 443瀏覽量

• 9.7.1 引線框架材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-06 01:06

  

  LeadFrameMaterials撰稿人：寧波康強(qiáng)電子股份有限公司馮小龍http://www.kangqiang.com審稿人：中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)袁桐http://www.cemia.org.cn9.7封裝結(jié)構(gòu)材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全

  集成電路 331瀏覽量

• 8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-05 01:07

  

  8.2.10.34H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.10.2反型層遷移率的器件相關(guān)定義8.2.10.1影響反型層遷移率的機(jī)理8.2.9閾值電壓控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和

  SiC 451瀏覽量