Vishay Siliconix發(fā)布用于功率MOSFET的免費在線仿真工具

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 3 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產(chǎn)品的免費在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線，功能強大的最新版本ThermaSim引入了很多關鍵特性，比如裸片溫度對功率耗散的時間縮放功能，定義更多的真實條件以提高仿真精度和設計靈活性，減輕對用戶使用經(jīng)驗的要求。

　　其他熱仿真工具只能進行封裝級的仿真，而ThermaSim使用有限元分析（FEA）技術來提高精度。這款免費在線工具在高電流、高溫應用中特別有用，例如汽車、固網(wǎng)通信、桌面和筆記本電腦，以及工業(yè)系統(tǒng)。最新版本的仿真工具還非常適合裕量小的設計，以及會受UIS（未鉗位的電感開關）和汽車拋負載等瞬態(tài)情況影響的應用。

　　ThermaSim可幫助設計者在產(chǎn)品原型前對Vishay Siliconix的功率MOSFET、IC和DrMOS產(chǎn)品進行詳盡的熱仿真，從而縮短上市時間。對于高可信設計，ThermaSim 3.0在很多方面提供了大量新的和改進的功能；可到http://www.vishay.com/doc？49641找到詳細介紹，并包括以下內容：

　　瞬態(tài)熱仿真（僅對MOSFET）：

　　對仿真的功率耗散數(shù)據(jù)進行時間縮放（最大1000級），提高設計可靠性。這種方法可以在仿真曲線的時間段上的多個位置進行縮放，對高功率脈沖（kW級）及持續(xù)時間短（≥1ns）的情況特別有用。此外，工具能夠以最初MOSFET裸片面積的10%、15%或25%作為散熱區(qū)，以便對低柵極驅動和漏源電壓尖峰等情況進行更好的分析。

　　改善用戶體驗：

　　為節(jié)省時間和消除可能的數(shù)據(jù)錄入錯誤，ThermaSim 3.0允許用戶上傳Excel?格式的功率曲線數(shù)據(jù)包，可根據(jù)需要的次數(shù)反復上傳數(shù)據(jù)包，當需要的時候用戶之間可交換仿真結果和整個設計的副本。另外，強大的工具用圖形顯示的方式在PCB上擺放元器件。

　　根據(jù)“真實條件”進行仿真：

　　用戶甚至可以定義更多的條件，包括在頂層和底層PCB板上的銅擴散，焊錫厚度，焊點質量，氣隙，膠/隔離層的厚度，以及在PCB上或PCB外的導線端接。

　　高效仿真：

　　異步重新加載和web接口（Ajax），以及負載均衡和高網(wǎng)格解析度，能更快得到仿真結果。

　　ThermaSim 3.0現(xiàn)提供在線免費使用，網(wǎng)址http://www.vishay.com/mosfets/thermasim。

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology， Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1，000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。