很多時(shí)候我們需要將程序中的一些參數(shù)、數(shù)據(jù)等存儲(chǔ)在EEPROM或者Flash中，達(dá)到掉電保存的目的。但有些情況下，程序需要頻繁的修改這些參數(shù)，如果每次修改參數(shù)都進(jìn)行一次保存，那將大大降低存儲(chǔ)器的壽命
2022-11-17 09:14:50
1588 STM32系統(tǒng)中掉電保存數(shù)據(jù)的方法在嵌入式設(shè)備開(kāi)發(fā)中，往往需要保存一些掉電不易失性的數(shù)據(jù)，如果系統(tǒng)配置、用戶(hù)定制信息等等，如果增加額外的ROM IC，比如（基于I2C的24C02等等）往往會(huì)造成額外
2021-12-10 07:42:57
STM32系統(tǒng)中的2種數(shù)據(jù)掉電保護(hù)方法！在嵌入式設(shè)備開(kāi)發(fā)中，往往需要保存一些掉電不易失性的數(shù)據(jù)，如果系統(tǒng)配置、用戶(hù)定制信息等等，如果增加額外的ROM IC，比如（基于I2C的24C02等等）往往會(huì)
2020-04-17 15:16:15
使用stm32f103c8t這款芯片使用過(guò)程中我會(huì)將上位機(jī)發(fā)送過(guò)來(lái)的一些數(shù)據(jù)保存到flash中去，我的保存過(guò)程時(shí)這樣的：1、將起始頁(yè)定義為flash空間的第63頁(yè) #define PAGE_ADDR
2019-04-16 07:09:22
STM32與C51簡(jiǎn)述嵌入式開(kāi)發(fā)心得1.關(guān)于C51與STM32的說(shuō)明C51是最早一批進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)的可開(kāi)發(fā)操作的板子/芯片，在早期有著較好的發(fā)展方向?qū)W習(xí)浪潮，早期也有著發(fā)達(dá)的社區(qū)可供交流。隨著電子科技
2021-08-11 07:00:20
N76E003 FLASH 擦寫(xiě)次數(shù)幾項(xiàng)不太清楚，還請(qǐng)指教
1，F(xiàn)LASHE當(dāng)EEPROM用時(shí)，我在第一次用的時(shí)候已經(jīng)擦除整頁(yè)了，后續(xù)如果我想改變一頁(yè)中的個(gè)別字節(jié)時(shí)，是否需要在將一整頁(yè)擦除在重寫(xiě)
2023-06-25 10:24:18
為應(yīng)用程序提供靈活的擴(kuò)展和定制功能。本文主要說(shuō)明一下關(guān)于lua移植到STM32上的過(guò)程以及簡(jiǎn)單的舉兩個(gè)例子來(lái)說(shuō)明lua的應(yīng)用。Lua的簡(jiǎn)介關(guān)于Lua的官方介紹，此處不在說(shuō)明。有需要了解的看官可以在...
2021-08-03 07:30:59
AT32F4系列FLASH
擦寫(xiě)操作的地址偏移
說(shuō)明擦除或者編程flash 時(shí)，如果操作地址不在flash 絕對(duì)地址范圍內(nèi)，則操作會(huì)失?。?/div>
2023-10-23 08:24:03
EEPROM擦寫(xiě)頻率EEPROM擦寫(xiě)頻率怎么理解？怎么根據(jù)擦寫(xiě)頻率選擇EEPROM還是flash？比如如下這個(gè)案列每100ms采集一次數(shù)據(jù)，每秒存20個(gè)字節(jié)（實(shí)際使用清空EEPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是每周
2022-11-09 18:56:36
STM32f0301. FLASH擦寫(xiě)時(shí)間2. FLASH擦寫(xiě)次數(shù)和數(shù)據(jù)保存年限只能擦寫(xiě)1000次，有點(diǎn)少。非必要，不要擦寫(xiě)。比如記憶流水號(hào)之類(lèi)，經(jīng)常變動(dòng)的數(shù)據(jù)，最好使用EEPROM
2021-08-05 06:46:03
文章目錄目的GPIO口基礎(chǔ)說(shuō)明函數(shù)說(shuō)明使用演示總結(jié)目的GPIO口基礎(chǔ)說(shuō)明MicroPython for ESP32 GPIO主要說(shuō)明如下：可以用的IO為 0-19, 21-23, 25-27
2022-01-10 06:29:06
100萬(wàn)次，而數(shù)據(jù)保存期能超過(guò)40年。此外，新器件的全速USB 2.0接口包括一個(gè)片上收發(fā)器和一個(gè)并行流端口，能把數(shù)據(jù)直接傳送到外部的外設(shè)，減少CPU的開(kāi)銷(xiāo)?！ ￠_(kāi)發(fā)支持 大多數(shù)USB應(yīng)用設(shè)計(jì)人員的一
2008-07-31 07:47:18
PSOC4 EEPROM 寫(xiě)操作需要多長(zhǎng)時(shí)間，為了增加EEPROM擦寫(xiě)次數(shù)，寫(xiě)操作是在一開(kāi)辟的空間內(nèi)滾動(dòng)操作嗎，組件需要如何配置
2024-02-21 07:22:29
）- 大于100年數(shù)據(jù)保存期· 內(nèi)存組織：512K X 8· 扇區(qū)擦除功能：每扇區(qū)256字節(jié)· 低功耗- 工作電流：15 mA（典型值）為5.0V和10毫安（典型值）2.73.6- 待機(jī)電流：5μA
2012-08-24 14:10:13
！單片機(jī)的低壓設(shè)置為4.32V進(jìn)行檢測(cè)，2·低溫（-20°~-10°）之間進(jìn)行斷電數(shù)據(jù)保存的時(shí)候就會(huì)寫(xiě)不進(jìn)去，讀出來(lái)的數(shù)據(jù)全是1（說(shuō)明有擦除，但是并未寫(xiě)入。當(dāng)時(shí)考慮是不是電解電容供電時(shí)間太短，就換個(gè)超級(jí)電容！問(wèn)題依然存在，接著把快速把芯片升溫，低壓的擦寫(xiě)讀回復(fù)正常）
2020-01-04 13:38:44
STM8S003的flash可擦寫(xiě)次數(shù)是多少
2023-10-10 07:28:12
Socket API簡(jiǎn)要說(shuō)明:創(chuàng)建套接字 ( socket ) int socket(int domain, int type ,int protocol);參數(shù)描述domain協(xié)議族類(lèi)型type
2022-01-11 07:26:09
采用TDMS采集數(shù)據(jù)，每秒鐘采集5次數(shù)據(jù)（每次采集的數(shù)據(jù)是一個(gè)16*16的二維數(shù)組）。假設(shè)我一次采集10秒，且數(shù)據(jù)都存儲(chǔ)在一個(gè)TDMS里面，那樣的話就會(huì)有50組16*16的數(shù)據(jù)，如何能分隔開(kāi)每組數(shù)據(jù)
2018-12-18 19:50:30
由于FATFS使用了比較大的內(nèi)存，而且函數(shù)中的局部變量很多很大。而眾所周知，局部變量是保存到stack中的，因此，如果使用FATFS，必須要把stack調(diào)整大。否則會(huì)出現(xiàn)不可預(yù)估的問(wèn)題（堆棧溢出
2014-03-12 11:05:25
（VectorOffset） 9.3 點(diǎn)乘（VectorShift） 9.4 減法（VectorSub） 9.5 比例因子（VectorScale） 9.6 BasicMathFunctions的重要說(shuō)明 9.7 總結(jié)
2015-06-05 14:33:31
移植的重要說(shuō)明 2.2 移植前的準(zhǔn)備工作 2.3 STemWin的裸機(jī)移植 2.4 STemWin帶RTOS的移植 2.5 總結(jié)2.1 關(guān)于STemWin移植的重要說(shuō)明 關(guān)于STemWin的移植一定
2015-03-16 10:55:18
：Eeprom-Emulation-driver-STM32/FlASH_PAGE_F1.c at main · Yadnik1/Eeprom-Emulation-driver-STM32 (github.com)但是，沒(méi)有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在閃存中。我犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我無(wú)法識(shí)別它，有人可以指導(dǎo)我嗎？非常感謝你！！
2023-02-02 07:44:23
內(nèi)部Flash模擬EEPROM一、原因由于STM32F103系列的單片機(jī)內(nèi)部Flash的擦寫(xiě)次數(shù)僅有10k次，如果遇到想要存儲(chǔ)又多變，又需要掉電保存的數(shù)據(jù)，就顯得有點(diǎn)捉襟見(jiàn)肘了。我決定利用單片機(jī)
2022-01-26 06:59:28
我想將數(shù)據(jù)保存到閃存中，這樣即使斷電我也可以擁有這些數(shù)據(jù)。
我嘗試使用 spi_flash_write 但出現(xiàn)錯(cuò)誤
代碼：全選
char ssid[32] = SSID;
char test
2023-06-12 06:04:57
我想將我的數(shù)據(jù)計(jì)算保存在內(nèi)部存儲(chǔ)器或閃存中，而不會(huì)在重置后丟失。但是，我不知道該怎么做。因?yàn)樵?STM32WL MCU 中沒(méi)有內(nèi)存庫(kù)。
2022-12-13 07:19:32
我正在考慮在我的設(shè)計(jì)中用 STM32F151 替換 STM32F103，但找不到 AN3422 遷移應(yīng)用說(shuō)明中引用的 PM0062。我需要完成一些步驟才能獲得閃存/eeprom 編程手冊(cè)嗎？來(lái)自安為
2023-02-07 07:16:04
的耐擦寫(xiě)特性，并且大量的數(shù)據(jù)顯示，第三代技術(shù)能夠滿(mǎn)足這些應(yīng)用所要求的 50 萬(wàn)次耐擦寫(xiě)次數(shù)。圖 2 第 3 代嵌入式 SuperFlash（ESF3）嵌入式閃存是可以擴(kuò)展的十年以前，紛紛流傳嵌入式閃存
2020-08-14 09:31:37
你好，我想使用ECC閃存空間來(lái)保存用戶(hù)數(shù)據(jù)并處理8KB額外閃存。要做到這一點(diǎn)，我轉(zhuǎn)到Psoc Creator的系統(tǒng)選項(xiàng)卡，并啟用啟用錯(cuò)誤糾正代碼（ECC）的滴答聲。因此，假設(shè)現(xiàn)在我有64kb+8kb
2019-04-16 14:36:03
手機(jī)充電協(xié)議BC1.2· 目前市面上各種手機(jī)充電器，在手機(jī)廠家宣傳時(shí)也會(huì)提到自己的充電器，各種快充?？梢哉f(shuō)消費(fèi)者也是各種蒙圈。為了讓大家不至于蒙圈，此文只限于科普。BC1.2協(xié)議要介紹手機(jī)的充電必須要說(shuō)明
2021-09-14 08:40:13
EEPROM通常擦寫(xiě)次數(shù)都在百萬(wàn)次以下，如果每秒寫(xiě)一次，幾天就廢了，有沒(méi)有擦寫(xiě)次數(shù)無(wú)限制的類(lèi)似產(chǎn)品？
2023-11-08 06:15:04
本公司需要在儀器上裝一個(gè)監(jiān)控?cái)z像機(jī)，有人來(lái)開(kāi)始攝像，無(wú)人關(guān)閉，攝像保存在SD卡，最長(zhǎng)保存期為40天，后面的保存期會(huì)自動(dòng)把前面的覆蓋掉。每年大約需要5000臺(tái)，求大家給一個(gè)鏈接或者成品。
補(bǔ)充內(nèi)容
2017-03-14 07:52:33
SIKA電子流量監(jiān)控器用于對(duì)特定流速進(jìn)行監(jiān)控。只有應(yīng)用在指定設(shè)計(jì)用途（監(jiān)控液流）時(shí)，器件的工作可靠性才有保證。禁止超出列出的極值.遵守如下說(shuō)明，以達(dá)到最高測(cè)量精度，得到指定的輸出信號(hào)。? 要求
2018-09-29 16:36:38
熔絲位簡(jiǎn)要說(shuō)明熔絲位功能配置說(shuō)明 熔絲低位CKDIV8時(shí)鐘8分頻0：時(shí)鐘8分頻 1：時(shí)鐘不分頻 CKOUT時(shí)鐘輸出0：系統(tǒng)時(shí)鐘輸出（PB0） 1：不輸出 SUT1選擇啟動(dòng)時(shí)間根據(jù)時(shí)鐘源選擇..
2021-07-21 07:29:14
flash擦寫(xiě)次數(shù)有限，用N76E003flash做eeprom用什么方法保存一個(gè)計(jì)數(shù)的數(shù)據(jù)累加到數(shù)千萬(wàn)。
2023-06-14 07:11:59
`保存期限3天`
2012-11-02 16:40:44
富萊STM32-V5開(kāi)發(fā)板，主芯片STM32F407IGT6。 2.1 關(guān)于STemWin移植的重要說(shuō)明 2.2 移植前的準(zhǔn)備工作 2.3 STemWin的裸機(jī)移植 2.4 STemWin帶RTOS
2016-10-11 08:55:59
初學(xué)RL-TCPnet需要做的準(zhǔn)備工作。3.1 初學(xué)者重要提示3.2 開(kāi)發(fā)環(huán)境說(shuō)明3.3 配套例子重要說(shuō)明3.4 RL-TCPnet參考資料3.5 RL-TCPnet調(diào)試方法3.6總結(jié)
2017-10-12 20:24:16
RTX操作系統(tǒng)需要做的準(zhǔn)備工作。 3.1 開(kāi)發(fā)環(huán)境 3.2 重要說(shuō)明 3.3 RTX系統(tǒng)參考資料 3.4 RTX的調(diào)試方法 3.6 RTX調(diào)試組件功能介紹 3.5總結(jié)3.1開(kāi)發(fā)環(huán)境u IDE
2016-10-02 09:17:43
手冊(cè)上看到STM32F030 的FLASH 擦寫(xiě)次數(shù)只有1K,真的只有1K么？051系列的手冊(cè)上是10K,
2018-11-20 08:35:54
各位大神，想問(wèn)問(wèn)M0516LDN的Flash擦寫(xiě)次數(shù)是多少？
2023-08-24 06:19:46
參與競(jìng)標(biāo)時(shí)，提示“請(qǐng)輸入您能夠完成任務(wù)的簡(jiǎn)要說(shuō)明并且上傳相應(yīng)附件資料”，如貼主需要一個(gè)溫控開(kāi)關(guān)系統(tǒng)，“簡(jiǎn)要說(shuō)明”是否為所需芯片，如何做出來(lái)等；附件又該是什么？現(xiàn)象？
2019-08-01 05:00:08
有趣的問(wèn)題就是MRAM保存數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性，熱穩(wěn)定性毫無(wú)疑問(wèn)會(huì)影響數(shù)據(jù)的保留期限，溫度越高就越不穩(wěn)定，這就需要平衡數(shù)據(jù)保存的期限。 一般的半導(dǎo)體數(shù)據(jù)保存期限是10年，為此需要1bit或者2bit的ECC
2020-04-15 14:26:57
其安全等級(jí)和訪問(wèn)方式。3、高可靠性。提供多達(dá)10萬(wàn)次擦寫(xiě)次數(shù)和10年的數(shù)據(jù)保存期。4、高速度。在I2C串行總線方式下，通信速率最高可達(dá)1MHz。5、在AT88SC0104的基礎(chǔ)上嵌入32位隱藏加密算法
2014-03-18 14:02:57
鎳氫充電電池使用指南重要說(shuō)明此說(shuō)明書(shū)上有關(guān)鎳氫電池的數(shù)據(jù)源自說(shuō)明書(shū)準(zhǔn)備之時(shí)的遼寧九夷三普電池公司生產(chǎn)的電池由于產(chǎn)品的性能和特點(diǎn)時(shí)常需要調(diào)整使用三普鎳氫
2009-11-03 09:33:29
50 關(guān)于S7-200存儲(chǔ)區(qū)以及數(shù)據(jù)保存的說(shuō)明。
S7-200常用存儲(chǔ)區(qū)包括 RAM區(qū)、V 區(qū)、M 區(qū)、T 區(qū)、C 區(qū)和EEPROM區(qū)，這些
2010-09-09 15:30:0341 開(kāi)發(fā)了一個(gè)基于閃存平臺(tái)的嵌入式文件系統(tǒng)。為保證閃存扇區(qū)的平均使用率和均衡擦寫(xiě)次數(shù)，引入了損壞管理策略，在這種策略中采用了動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)空間管理模式和先入先出（FIFO）策
2010-09-30 16:24:5721 正確選擇閃存寫(xiě)入緩沖區(qū)大小，優(yōu)化擦寫(xiě)速度
在各種電子技術(shù)快速發(fā)展和電子市場(chǎng)高速擴(kuò)大的今天，存儲(chǔ)器的需求量迅猛增長(zhǎng)。在眾多存儲(chǔ)器類(lèi)型中，NOR型閃存由于具有隨
2009-11-23 10:00:04966 重要說(shuō)明： ● 本說(shuō)明書(shū)為A 型說(shuō)明書(shū)。 ● 本說(shuō)明書(shū)包含B 型、C 型的基本功能。 ● B 型（卷繞專(zhuān)用型）的專(zhuān)用功能另見(jiàn)卷繞功能操作說(shuō)明書(shū)。 ● C 型（工程專(zhuān)用型）的專(zhuān)用功能另見(jiàn)說(shuō)明
2011-01-26 18:34:11735 收銀程序安裝簡(jiǎn)要說(shuō)明，感興趣的可以看看。
2016-02-29 16:21:251 STM32/FLASH保存數(shù)據(jù)，適合初學(xué)者
2016-09-27 14:46:3921 6000工業(yè)以太網(wǎng)交換機(jī)用戶(hù)手冊(cè)簡(jiǎn)要說(shuō)明
2016-12-23 02:34:100 W25X16是華邦公司推出的繼W25X10/20/40/80（1～8 MB）后容量更大的Flash產(chǎn)品，W25X16的容量為16 Mb.W25X16的擦寫(xiě)周期為10 000次，具有20年的數(shù)據(jù)保存期限
2018-07-17 12:26:00922 
變量的名稱(chēng)、類(lèi)型、初始值和數(shù)值范圍確定與數(shù)據(jù)變量存盤(pán)相關(guān)的參數(shù)，如存盤(pán)的周期、存盤(pán)的時(shí)間范圍和保存期限等。
2018-02-09 09:00:1710897 
? 1024 字節(jié)的數(shù)據(jù) EEPROM
? 3.6 KB 的通用寄存器 （SRAM）
? 閃存程序存儲(chǔ)器可耐受 10，000 次 （典型值）擦 /
寫(xiě)
? 數(shù)據(jù) EEPROM 存儲(chǔ)器可耐受 100，000 次 （典型
值）擦 / 寫(xiě)
? 閃存的保存期限最短為 40 年
2018-06-26 17:25:007 等），并在需要時(shí)方便地重寫(xiě)信息。數(shù)據(jù)EEPROM存儲(chǔ)器基于與程序存儲(chǔ)器相同的閃存技術(shù)，并經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期數(shù)據(jù)保存和更高的耐擦寫(xiě)次數(shù)。
2018-06-07 09:28:006 閃存塊（Block）具有一定的壽命，不是長(zhǎng)生不老的。前面提到，當(dāng)一個(gè)閃存塊接近或者超出其最大擦寫(xiě)次數(shù)時(shí)，可能導(dǎo)致存儲(chǔ)單元的永久性損傷，不能再使用。隨著閃存工藝不斷向前，這個(gè)擦寫(xiě)次數(shù)也變得越來(lái)越小。
2018-07-25 11:09:164521 
在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次，而NOR的擦寫(xiě)次數(shù)是十萬(wàn)次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì)，典型的NAND塊尺寸為NOR器件的八分之一，每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
2018-10-07 15:37:0012470 FLASH是用于存儲(chǔ)程序代碼的，有些場(chǎng)合也可能用它來(lái)保存數(shù)據(jù)，當(dāng)然前提是該單片機(jī)的FLASH工藝是可以自寫(xiě)的（運(yùn)行中可擦寫(xiě)），但要注意FLASH的擦寫(xiě)次數(shù)通常小于一萬(wàn)次，而且通常FLASH只能
2019-09-26 17:16:001 PCBA是表面焊接好各種元器件的印刷線路板，較多人關(guān)注其長(zhǎng)時(shí)間、高頻率運(yùn)行的可靠性，間而需要了解其保存期限。一般情況下，PCBA保存期限為2~10年。
2019-10-01 17:17:0010812 大家有什么重要數(shù)據(jù)想要保存的嗎？如果你需要容量大、速度快以及保存期超長(zhǎng)的備份方式，那可以試試索尼日前發(fā)布的第三代“光驅(qū)”，單盒容量達(dá)到了5.5TB，數(shù)據(jù)能保存100年不壞。
2019-11-26 09:15:342210 大家有什么重要數(shù)據(jù)想要保存的嗎？如果你需要容量大、速度快以及保存期超長(zhǎng)的備份方式，那可以試試索尼日前發(fā)布的第三代“光驅(qū)”，單盒容量達(dá)到了5.5TB，數(shù)據(jù)能保存100年不壞。
2019-11-26 15:44:512572 PCBA印刷線路板在加工完成后，由于材料的選擇、加工工藝、所處環(huán)境的不同，會(huì)有不同的保存期限，一般是2-10年。
2020-02-05 10:54:543609 在未使用產(chǎn)品前，不要將產(chǎn)品的防潮袋打開(kāi)，在未開(kāi)封前要保證溫度在30℃以下，以及濕度在60%以下的環(huán)境中，保存期為一年。
2020-03-04 11:03:361870 不同產(chǎn)品要選擇不同的焊錫膏，如何選擇一款焊錫膏是PCBA生產(chǎn)中需要解決的重要問(wèn)題，現(xiàn)結(jié)合國(guó)內(nèi)外有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，將焊錫膏的檢驗(yàn)項(xiàng)目介紹如下，焊錫膏的選擇包括合金成份、粘度、有效作業(yè)時(shí)間、保存期限。
2020-04-21 11:36:454864 焊墊氧化后將造成焊錫不良，最終可能導(dǎo)致功能失效或掉件風(fēng)險(xiǎn)。電路板不同的表面處理對(duì)于抗氧化的效果會(huì)不一樣，原則上ENIG要求要在12個(gè)月內(nèi)用完，而OSP則要求要在六個(gè)月內(nèi)用完，建議依照PCB板廠的保存期限（shelflife）以確保品質(zhì)。
2020-06-17 10:47:493387 通過(guò)串口命令查看EMMC擦寫(xiě)次數(shù)的三大方法
2020-06-19 10:34:1812854 
焊墊氧化后將造成焊錫不良，最終可能導(dǎo)致功能失效或掉件風(fēng)險(xiǎn)。電路板不同的表面處理對(duì)于抗氧化的效果會(huì)不一樣，原則上ENIG要求要在12個(gè)月內(nèi)用完，而OSP則要求要在六個(gè)月內(nèi)用完，建議依照PCB板廠的保存期限（shelflife）以確保品質(zhì)。
2020-06-27 13:22:004463 ； 4. 擦寫(xiě)次數(shù)幾十億次！生命周期； 5. 超低延遲； 6. 數(shù)據(jù)保存期很久：85度高溫下數(shù)據(jù)可以保存10年以上； 7. 數(shù)據(jù)錯(cuò)
2020-07-10 14:19:20684 ； 5. 超低延遲； 6. 數(shù)據(jù)保存期很久：85度高溫下數(shù)據(jù)可以保存10年以上； 7. 數(shù)據(jù)錯(cuò)誤率低； 8. 可靠性強(qiáng)。 MRAM可應(yīng)用在
2020-09-19 11:38:322609 得益于容量大、價(jià)格低的優(yōu)勢(shì)，如今越來(lái)越多的SSD硬盤(pán)轉(zhuǎn)向QLC閃存，大家擔(dān)心的主要是QLC閃存的壽命，具體來(lái)說(shuō)就是P/E擦寫(xiě)次數(shù)，通常在1000次左右，而IBM現(xiàn)在解決了QLC壽命問(wèn)題，做到了史無(wú)前例的16000次擦寫(xiě)壽命，壽命比SLC還強(qiáng)。
2020-12-08 09:40:034095 本應(yīng)用筆記旨在提供有關(guān)如何防止閃存意外擦寫(xiě)操作（可能導(dǎo)致輕微到災(zāi)難性現(xiàn)場(chǎng)故障）的指南和最佳實(shí)踐。在固件中添加閃存編程保護(hù)功能有助于降低發(fā)生問(wèn)題的風(fēng)險(xiǎn)，確保穩(wěn)健的現(xiàn)場(chǎng)更新。以下內(nèi)容通過(guò)了解潛在問(wèn)題來(lái)提高固件的穩(wěn)健性，并提供了避免這些問(wèn)題的方法。
2021-03-30 14:19:078 關(guān)于 S7-200存儲(chǔ)區(qū)以及數(shù)據(jù)保存的說(shuō)明。
2021-05-07 10:22:269 STM32閃存編程手冊(cè)(嵌入式開(kāi)發(fā)和編程)-STM32閃存編程手冊(cè)?STM32開(kāi)發(fā)必備技術(shù)文檔之一
2021-08-04 12:44:2345 ；不過(guò)FLASH的容量還是可觀的，我們可以利用FLASH模擬EEPROM。根據(jù)《STM32F10X閃存編程》中的介紹，F(xiàn)LASH除了保存用戶(hù)代碼的部分，其余部分我們是可以利用其作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)使用的。s...
2021-11-26 16:51:0723 STM32f0301. FLASH擦寫(xiě)時(shí)間2. FLASH擦寫(xiě)次數(shù)和數(shù)據(jù)保存年限只能擦寫(xiě)1000次，有點(diǎn)少。非必要，不要擦寫(xiě)。比如記憶流水號(hào)之類(lèi)，經(jīng)常變動(dòng)的數(shù)據(jù)，最好使用EEPROM
2021-12-01 20:36:1314 內(nèi)部Flash模擬EEPROM一、原因由于STM32F103系列的單片機(jī)內(nèi)部Flash的擦寫(xiě)次數(shù)僅有10k次，如果遇到想要存儲(chǔ)又多變，又需要掉電保存的數(shù)據(jù)，就顯得有點(diǎn)捉襟見(jiàn)肘了。我決定利用單片機(jī)
2021-12-02 11:36:2131 STM32重要源文件和頭文件說(shuō)明
2021-12-05 18:21:0827 （AN2606）。1 閃存單存儲(chǔ)區(qū)和雙存儲(chǔ)區(qū)配置STM32F7系列器件的閃存大小分別為1 MB和2 MB。該閃存可以配置為單存儲(chǔ)區(qū)或雙存儲(chǔ)區(qū)。1.1 1 MB閃存組織結(jié)構(gòu)圖 1介紹了適用于兩種配置的1 ...
2021-12-08 21:06:229 最開(kāi)始用STM32的flash保存數(shù)據(jù)的方法都是用原子的例程，STM32F1的話，原子的方法大概是創(chuàng)建一個(gè)1K或者2K的緩存......
2022-02-08 16:19:1714 PCB烘烤的主要目的在去濕除潮，除去PCB內(nèi)含或從外界吸收的水氣，因?yàn)橛行㏄CB本身所使用的材質(zhì)就容易形成水分子。
2023-05-20 14:22:16750 在諸多工業(yè)、汽車(chē)等對(duì)可靠性有高要求的應(yīng)用場(chǎng)景中，通常會(huì)使用FRAM存儲(chǔ)器來(lái)儲(chǔ)存系統(tǒng)中的重要信息，這得益于FRAM本身的特性，數(shù)據(jù)保存期限久、耐久性出色、擦寫(xiě)次數(shù)高，讓FRAM在眾多存儲(chǔ)器件中脫穎而出
2022-09-08 14:25:25367 
在諸多工業(yè)、汽車(chē)等對(duì)產(chǎn)品可靠性有高要求的應(yīng)用場(chǎng)景中，如BMS，會(huì)使用存儲(chǔ)器來(lái)儲(chǔ)存系統(tǒng)中的重要信息，這得益于存儲(chǔ)器本身的特性，數(shù)據(jù)保存期限久、耐久性出色、擦寫(xiě)次數(shù)高。FRAM在眾多存儲(chǔ)產(chǎn)品中脫穎而出
2022-10-18 17:50:29342 
錫膏是電子元器件生產(chǎn)加工中必不可少的一種材料，它能夠保護(hù)電路板焊點(diǎn)并降低焊接溫度，使得電子元器件更加堅(jiān)固和穩(wěn)定。但是，與其它材料一樣，錫膏也有保存期限。那么一般保存期限是多久呢，下面錫膏廠家說(shuō)一下
2023-04-18 15:35:441262 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講PCBA加工使用過(guò)期PCB電路板的危害都有哪些?pcb超期使用風(fēng)險(xiǎn)。PCB板也有保質(zhì)期，拆真空包裝后要及時(shí)進(jìn)行加工，不能久放，超過(guò)PCB板廠的保存期限進(jìn)行
2023-07-24 09:36:43793 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論